內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品,。

不過(guò),，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND  Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢,，且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制,，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性,。

根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì),，包含STT-MRAM、FRAM,、CBRAM,、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段,。  不過(guò),，這些新興內(nèi)存技術(shù)中，除了少數(shù)例外,，要發(fā)展到能跟DRAM,、NAND Flash分庭抗禮的程度，恐怕還需要很長(zhǎng)的一段時(shí)間,，因?yàn)镈RAM與NAND  Flash已具備極為龐大的經(jīng)濟(jì)規(guī)模,，即便新興內(nèi)存技術(shù)在性能方面明顯優(yōu)于現(xiàn)有內(nèi)存，在供貨穩(wěn)定度,、成本方面也未必能與現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)比拚,。

有鑒于此，某些新興內(nèi)存技術(shù)選擇朝利基市場(chǎng)發(fā)展,，搶攻DRAM,、NAND  Flash不適合應(yīng)用的領(lǐng)域，例如德州儀器(TI),、柏士半導(dǎo)體(Cypress),、富士通微電子(Fujitsu)的FRAM，便主要鎖定汽車應(yīng)用或作為微控制器(MCU)的內(nèi)嵌內(nèi)存,。