在美商應(yīng)材公司材料技術(shù)獲致重大突破下，預(yù)估臺積電5nm制程量產(chǎn)藍圖將更加確定,，預(yù)料論壇中將揭露5nm量產(chǎn)時程,，也將成為全球第一個對外宣布提供5nm代工服務(wù)的晶圓廠,。

　　臺積電供應(yīng)鍵透露,，今年臺積電技術(shù)論壇將由共同執(zhí)行長暨總經(jīng)理魏哲家擔(dān)綱主持,，除揭示臺積電引以為傲的7nm即將于今年底進行投片量產(chǎn)外，也將確立5納米制程試產(chǎn)和量產(chǎn)時程,；同時也會針對市場矚目的3nm設(shè)廠地點,，提出進一步的說明。

　　應(yīng)材昨（17）日宣布成功運用鈷金屬材料取代銅,，作為半導(dǎo)體先進制程中進行沉積制程的關(guān)鍵材料,，且獲致導(dǎo)電性更佳和功耗更低、讓芯片體積更小等重大突破,，讓摩爾定律得以延伸推進到7納米,，甚至到5納米和3納米,，預(yù)料將使臺積電等晶圓制程廠7納米量產(chǎn)腳步加速。

　　美商應(yīng)材研發(fā)人員昨?qū)３虂砼_宣布這項重要材料創(chuàng)新技術(shù),，也意謂應(yīng)材在半導(dǎo)體先進制程設(shè)備和材料運用,，持續(xù)扮演領(lǐng)先地位，并透露包括臺積電等晶圓制造廠將先進制程推進至7納米以下的商業(yè)化腳步,，更向前邁進一大步,。

　　應(yīng)材表示，目前各大晶圓制程廠已導(dǎo)入在7納米制程采用這項新的材料革新,，如果成效良好,，不排除可能在7納米就可以看到導(dǎo)入鈷金屬取代銅制程技術(shù)變革。

　　應(yīng)材表示,，當(dāng)半導(dǎo)體金屬沉積制程進入7納米以下的技術(shù)節(jié)點時,，鏈接芯片中數(shù)10億個晶體管的導(dǎo)線電路漸漸成為技術(shù)瓶頸。 一方面要擴增芯片上晶體管的數(shù)量,，一方面追求系統(tǒng)整合芯片封裝,，縮小導(dǎo)線進而增加晶體管密度是必然的趨勢。

　　但應(yīng)材強調(diào),，當(dāng)導(dǎo)線的截面積減少,，導(dǎo)電區(qū)域的體積也減少，這會造成電阻增加,，阻礙最佳效能的實現(xiàn),。 這種阻容遲滯有賴以創(chuàng)新突破技術(shù)瓶頸，包括在阻障層,、內(nèi)襯層微縮制程,，以及運用新的材料，以利在更狹小的空間中改善導(dǎo)電特性,。

　　應(yīng)材強調(diào),，為了解決導(dǎo)線的電阻問題，用新的鈷取代傳統(tǒng)的銅,，并運用多年累積的沉積制程技術(shù),，同時將物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積和原子層三種不同沉積制程技術(shù),，整合在同一設(shè)備平臺上,，運用單一整合程序，制造復(fù)雜的薄膜堆棧結(jié)構(gòu),。

　　應(yīng)材指出,，以鈷取代傳統(tǒng)銅進行沉積制程的關(guān)鍵材料，已獲致傳導(dǎo)性更快且功耗更低等優(yōu)越性能,，同時大幅節(jié)省芯片體積,，芯片效能更快,、體積更大。