三星15日在韓國宣布，開始大規(guī)模量產64層堆疊,、256Gb（32GB）,、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存,。

　　其實在今年1月,，三星已經向關鍵的大客戶出貨采用64層 V-NAND介質的SSD產品，如今半年過去,，產能擴充,，消費級用戶可以順利用上了。

　　新的閃存芯片將用于生產手機UFS存儲,、PC/服務器固態(tài)盤,、外置存儲卡等產品。

　　三星強調,，新一代64層V-NAND的帶寬速率高達1Gbps,，是目前業(yè)界最快，是上一代48層3bit的1.5倍,。

　　另外,，在功耗方面，電壓從3.3V降低到2.8V,，說明工藝改良了不少,，漏電極大減少，從而使效能提升30%,。

　　競爭對手方面,，東芝的64層也已經少量出貨，SK海力士計劃在今年底量產更激進的72層產品,。不過,，三星強調，作為一哥和3D NAND的始創(chuàng)者,，它們有信心繼續(xù)保持領先,，并在年底前將64層閃存的產能覆蓋到月度總量的50%以上,。

　　可以預見，以TB為單位的固態(tài)盤,、以及128GB以上的UFS3.0手機閃存或將迅速普及開來,。