三星15日在韓國宣布,，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）,、3bit的V-NAND閃存芯片,，是為第四代3D閃存。

　　其實在今年1月,，三星已經(jīng)向關鍵的大客戶出貨采用64層 V-NAND介質的SSD產(chǎn)品,，如今半年過去，產(chǎn)能擴充,，消費級用戶可以順利用上了,。

　　新的閃存芯片將用于生產(chǎn)手機UFS存儲、PC/服務器固態(tài)盤,、外置存儲卡等產(chǎn)品,。

　　三星強調(diào)，新一代64層V-NAND的帶寬速率高達1Gbps,，是目前業(yè)界最快,，是上一代48層3bit的1.5倍,。

　　另外，在功耗方面,，電壓從3.3V降低到2.8V,，說明工藝改良了不少，漏電極大減少,，從而使效能提升30%,。

　　競爭對手方面，東芝的64層也已經(jīng)少量出貨,，SK海力士計劃在今年底量產(chǎn)更激進的72層產(chǎn)品,。不過，三星強調(diào),，作為一哥和3D NAND的始創(chuàng)者,，它們有信心繼續(xù)保持領先，并在年底前將64層閃存的產(chǎn)能覆蓋到月度總量的50%以上,。

　　可以預見,，以TB為單位的固態(tài)盤、以及128GB以上的UFS3.0手機閃存或將迅速普及開來,。