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東芝芯片業(yè)務出售生波折 中國芯何時閃耀世界

2017-08-08
關(guān)鍵詞: 存儲器 智能 終端 芯片

存儲器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件,,一直是芯片行業(yè)的重要組成部分,也是我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的重點方向之一,。今年以來在存儲器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中,,東芝出售存儲芯片業(yè)務絕對要算在其中,且近日又有關(guān)于此事的消息傳出,。

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據(jù)金融時報報道,,消息人士稱,日本政府目前正在進一步地參與到東芝出售存儲芯片業(yè)務的交易中,,此前這筆交易因為種種原因進展緩慢,,已經(jīng)引發(fā)了投資者的不滿。

據(jù)悉,,日本政府正在努力和東芝內(nèi)部達成意見一致,,加速交易進程。熟悉此次競購的消息人士稱,,東芝存在“基礎(chǔ)性的公司治理缺陷”,。

東芝作為全球閃存的發(fā)明者和領(lǐng)先企業(yè),在市場份額上,,僅次于三星電子名列全球第二,。而此次出售存儲芯片業(yè)務的交易還導致東芝與合作伙伴西部數(shù)據(jù)之間發(fā)生了法律糾紛。東芝出售存儲芯片業(yè)務是為了彌補巨額虧損,,避免被東京股票交易所摘牌,。參與談判的銀行家和律師表示,考慮到交易的必要流程,,東芝必須在8月底之前確定買家,。

目前討論的焦點仍是來自由貝恩資本、日本政府基金INCJ,,以及SK海力士所組成財團提出的方案,。

中國芯何時閃耀世界?

存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備,存儲器芯片領(lǐng)域,,主要分為兩類:易失性和非易失性,。易失性:斷電以后,存儲器內(nèi)的信息就流失了,,例如DRAM,,電腦中的內(nèi)存條。非易失性:斷電以后,,存儲器內(nèi)的信息仍然存在,,主要是閃存(NAND FLASH和NOR FLASH),NOR主要應用于代碼存儲介質(zhì)中,,而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲,。在整個存儲器芯片里面,主要有的三種產(chǎn)品是:DRAM,、NOR FLASH和NAND FLASH,。

在芯片行業(yè),處理器等邏輯電路一直都占第一位,,不過隨著數(shù)據(jù)的不斷爆炸性增長,,市場對存儲芯片的需求在不斷增長,這導致存儲芯片市場的容量正在迅速增長,,估計很快將超過邏輯電路,。據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)顯示2016年邏輯電路市場容量為883億美元,存儲芯片市場容量為743億美元,,兩者的差距已縮小到20%以內(nèi),。其中,閃存芯片是一個發(fā)展前景廣闊的朝陽業(yè)務,,目前智能手機、個人電腦配置的閃存越來越多,。

目前國內(nèi)在用的NAND,、DRAM芯片幾乎全部依賴進口,以紫光為首的公司正在大力推動國產(chǎn)NAND芯片,,32層堆棧的3D NAND閃存已經(jīng)出樣,,預計明年開始量產(chǎn),2019年則要推出64層3D NAND閃存,。

目前NAND閃存主要被三星,、SK Hynix、美光,、東芝等少數(shù)公司壟斷,,然而隨著物聯(lián)網(wǎng)需求的發(fā)展,存儲芯片更成為電子行業(yè)的剛需。

中國也積極接入存儲產(chǎn)業(yè),,整合上游廠商發(fā)展出具中國自有技術(shù)并聯(lián)合中,、下游的產(chǎn)業(yè),形成群聚效應,,進而推進中國半導體產(chǎn)業(yè)的進一步成長,。

目前發(fā)展最快的,是紫光主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地,,他們的主要產(chǎn)品就是國產(chǎn)3D NAND閃存,。來自中科院的消息稱,長江存儲研發(fā)的3D NAND閃存已經(jīng)取得標志性進展,,堆棧層數(shù)達到了32層,。

相比國際大廠的研發(fā)進度,三星,、美光和東芝都開始向72層及以上的研發(fā)加快步伐,,國內(nèi)的研發(fā)進程還有一定距離。

不過,,3D閃存工廠的生產(chǎn)裝備將在2018年Q1季度完成安裝,,2019年則會完全量產(chǎn)。目標是在2020年時技術(shù)上達到國際領(lǐng)先的存儲芯片供應商的水平,,實現(xiàn)存儲芯片的后發(fā)先至,。

中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產(chǎn)能,而國家存儲芯片基地更是在萬眾矚目下迅速壯大,。在強大的市場需求及中國政府的財政支持下,,我們希望能早日看到“中國芯”的產(chǎn)品出現(xiàn)在世界的舞臺。


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