在中國建廠與投資FD－SOI（全耗盡絕緣層上硅）工藝，或許是格芯（GlobalFoundries）CEO Sanjay Jha職業(yè)生涯最重要的賭注，期望通過這兩項舉措給晶圓代工市場格局帶來變化,。在第五屆FD－SOI論壇上,，介紹完格芯成都工廠建設(shè)進度與22FDX工藝發(fā)展近況以后，Sanjay表示，2017年格芯22FDX平臺接到的試驗性流片（即MPW，直譯為多項目晶圓）訂單有20例，其中10例來自中國設(shè)計公司,。“市場廣闊,，機會難得,，F(xiàn)DX就是為中國市場量身打造的技術(shù)?！?/p>

在演講中,，Sanjay Jha對三個尚未量產(chǎn)的22納米工藝進行了對比。與臺積電22ULP（超低功耗22納米工藝）及英特爾22FFL（22納米低功耗鰭式場效應(yīng)晶體管工藝）相比,，格芯的22FDX（22納米FD－SOI工藝）晶體管密度最高,，光罩?jǐn)?shù)最少（流片成本低），功耗也最低,。

由于和體硅工藝路線不同,，所以格芯22FDX在2018年推出并不奇怪,，但對臺積電和英特爾而言，最先進工藝已經(jīng)走到了10納米節(jié)點,，為何又回頭重新開發(fā)22納米低功耗工藝,？（當(dāng)然，英特爾剛在中國召開新聞發(fā)布會,，宣布2017年下半年量產(chǎn)10納米工藝,，并稱根據(jù)其計算方法，臺積電和三星的10納米工藝遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后英特爾10納米,，根本就不是一代技術(shù),。）

芯原董事長兼CEO戴偉民認(rèn)為,，臺積電22ULP的推出,，很大程度是為5G做準(zhǔn)備，因為在FinFET上很難實現(xiàn)射頻工藝,，退回平面工藝以后,，可以相對容易地集成射頻功能。

英特爾推出的22FFL工藝,，也特地強調(diào)包含一個完整的射頻（RF）套件,，可結(jié)合多種模擬和射頻器件來實現(xiàn)高度集成的芯片。

與28納米工藝相比,，這三種22納米工藝功耗更低,，晶體管密度更高，而與14／16納米工藝相比,，22納米工藝開發(fā)成本更低,，也都可實現(xiàn)射頻工藝集成。

所以,，5G到來以后新一代物聯(lián)網(wǎng)終端芯片,，將是這三種22納米工藝的最主要目標(biāo)市場。

雖然近年來資本支出排行榜排名前三的公司中,，兩家都回頭去做22納米低功耗工藝,，但三星現(xiàn)在并沒有在22納米工藝投資的計劃。這一方面是由于三星28納米FD－SOI工藝當(dāng)前最為成熟,，據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung介紹,，過去三年，三星FD－SOI工藝已經(jīng)有7家客戶,，36個產(chǎn)品進行了流片,，現(xiàn)在流片產(chǎn)品數(shù)量在不斷增加。相比28納米體硅工藝,，28納米FD－SOI的特色就是功耗低,，因此非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,。

另一方面，三星FD－SOI工藝規(guī)劃的下一個節(jié)點是18納米,，因此在三星代工產(chǎn)品線當(dāng)中,，28納米和14納米節(jié)點之間，除了規(guī)劃中的18納米FD－SOI,，就沒有其他工藝提供,。

不過，如果22納米低功耗工藝市場接受度良好,，不知道急于擴大代工業(yè)務(wù)的三星是準(zhǔn)備用18納米FD－SOI工藝來錯位競爭,，還是也跟風(fēng)上22納米？反正對財大氣粗的三星電子來說,，開發(fā)22納米工藝的資金不成問題,。