在DRAM供貨吃緊的情況下,，其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象,。據(jù)業(yè)者估計,，2017年DRAM整體價格漲幅將高達(dá)39%,，在智能手機(jī)存儲器容量提升以及服務(wù)器需求的驅(qū)動下，明年將出現(xiàn)持續(xù)增長現(xiàn)象,。

據(jù)市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,，2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求，帶動2017年第一季度上漲30%以上,。以DRAM市場整體走向來看,，今年第三季度平均漲幅約7%，未來第四季度漲幅約5%-10%,，雖然漲幅依舊,，但是至2018年，漲幅會逐漸趨于平穩(wěn),，相比2017年,，漲幅不會太大。

DRAM連續(xù)一年漲幅的主要原因為以下幾點(diǎn),，其一,，近年來，小米,、華為以及OPPO等國產(chǎn)手機(jī)開始走中高端路線,。其二，數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器對于DRAM需求加強(qiáng),。其三,，DRAM產(chǎn)業(yè)制程接近極限，技術(shù)研發(fā)難度增加,，導(dǎo)致供貨短缺,。

至于NAND Flash走勢情況，據(jù)業(yè)者分析,，在今年第四季度蘋果需求的沖擊下,，其缺口會逐漸擴(kuò)大，但是除蘋果外,，其余手機(jī)廠商對于NAND Flash并沒有需求,，所以其整體相對于第三季度會處于平衡狀態(tài)。明年第一季度為傳統(tǒng)淡季,，整體價格可能會不升反降,。

在芯片市場的沖擊下，三星電子,、美光科技以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場份額,，強(qiáng)勢控制價格增長的比率。至于國內(nèi)外其余芯片企業(yè),，則“分羹”較少,，處于緊追猛趕的狀態(tài)，但整體來看,，國內(nèi)外市場短期內(nèi)也是呈現(xiàn)欣欣向榮之景,。

三星的布局

在經(jīng)歷Galaxy Note 7手機(jī)爆炸的影響后，三星對于產(chǎn)品質(zhì)量以及生產(chǎn)過程有了嚴(yán)格的把控,，借助于DRAM市場漲勢,，三星漸漸“恢復(fù)元?dú)狻薄Ｗ鳛槿蜃畲蟮腄RAM芯片制造商,，三星無疑是這場漲勢中最大的受益者,，據(jù)第二季業(yè)績展望報告顯示，其營業(yè)利潤再創(chuàng)新高,，同比增長約72%,，預(yù)計未來第三季度將持續(xù)增長。

據(jù)了解,，蘋果,、OPPO、三星以及Vivo已經(jīng)承包了三星DRAM近70%的產(chǎn)量,，而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相關(guān)印刷電路板材料短缺的問題,，使得DRAM供應(yīng)短缺更加嚴(yán)重,。

對于新技術(shù)研發(fā)方面，三星似乎早有布局,。據(jù)消息稱,，三星目前正在研發(fā)17nmDRAM,預(yù)計明年將進(jìn)入量產(chǎn)階段。同時,，三星也展開了16nmDRAM的研發(fā),，不過最快量產(chǎn)時間也將在2020年，畢竟隨著制程技術(shù)提升,，后面的研發(fā)難度會越來越大,。而且三星預(yù)測15nm將接近DRAM的物理極限，未來將很長時間開發(fā)新材質(zhì),，提升制程穩(wěn)定性以便于縮小線寬,。

以目前市場來看，Galaxy Note 8的預(yù)定量再創(chuàng)歷史新高,，而且iPhone X所搭載的OLED屏幕均來自于三星,，故三星第三季度的營收數(shù)據(jù)肯定不會太差，據(jù)消息透漏,，三星將于月底公布營收的詳細(xì)結(jié)果,。

美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)

此前，美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區(qū)由于氮?dú)庑孤兜脑?，造?000至1萬片的晶圓直接報廢,，4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。好在公司迅速解決并恢復(fù)正常生產(chǎn)運(yùn)作,，對于其之后的產(chǎn)能并沒有太大的影響,。

8月14日，美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設(shè)成功,。據(jù)悉,，這個工廠主要用于美光研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲技術(shù)，美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示,，美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠,，未來將加快3D NAND以及DRAM全新技術(shù)的研發(fā)。

受惠于DRAM市場的漲潮,，美光預(yù)計2017年會計年度第四季營收同比增長91%,，高達(dá)61.38億美元，且對于2017年底營收的展望遠(yuǎn)超市場預(yù)期,，預(yù)估為63億美元左右,。美光執(zhí)行長SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM以及64層3D NAND的良率將于今年年底達(dá)到穩(wěn)定階段,，從產(chǎn)業(yè)目前情況來看,，今年年底前,，DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。

SK海力士強(qiáng)勢出擊

對于內(nèi)存與存儲器市場,，SK海力士則表現(xiàn)的極為“豪氣”,，直接出資86.1億美元進(jìn)行3D NAND Flash以及DRAM擴(kuò)產(chǎn)，似乎是市場趨勢一片大好的原因,，SK海力士將兩廠擴(kuò)產(chǎn)竣工的時間直接縮短至明年第四季度,。

據(jù)了解,，此次SK海力士擴(kuò)產(chǎn)主要用于技術(shù)升級,，產(chǎn)能至多提升3%-5%，相對于美光來說,，這更像是一場新技術(shù)研發(fā)速度的比賽,，畢竟美光剛建設(shè)新廠不久，兩者建設(shè)新廠的目的似乎不謀而合,。

在產(chǎn)品研發(fā)上,，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI,、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6,。

在NAND Flash 產(chǎn)品方面，美光成功開發(fā)出72層堆疊芯片,，相比于上一代48層堆疊芯片,，其運(yùn)行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%,，生產(chǎn)效能也增長了30%,，目前已經(jīng)開始量產(chǎn)。

總結(jié)：

在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下,，三星電子,、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現(xiàn)狀，而是不斷研發(fā)全新產(chǎn)品,。在這場角逐中,，或許他們?nèi)叨际勤A家。