隨著全球信息化浪潮的不斷涌起,，智能手機(jī),、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來高速發(fā)展契機(jī)。值此背景之下,，其上游存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)再遇爆發(fā)期,，作為生產(chǎn),、消費(fèi)大國的中國,，自然首當(dāng)其沖,，成為存儲(chǔ)器芯片大戰(zhàn)的主戰(zhàn)場。在中國存儲(chǔ)器芯片市場風(fēng)云迭起的同時(shí),，“攪局者”的出現(xiàn)正緩緩改變著戰(zhàn)場的局勢……

美日韓的壟斷之勢

在全球半導(dǎo)體市場日益擴(kuò)張的趨勢下,，芯片市場供不應(yīng)求之勢越發(fā)明顯，這其中又以存儲(chǔ)器市場為最,。據(jù)統(tǒng)計(jì),，2016全球存儲(chǔ)器市場容量約800億美元左右，約占半導(dǎo)體市場的23%,，是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品,。

以目前市場來看，存儲(chǔ)器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類,。其中2016年DARM市場容量約414億美元,，NAND Flash約346億美元。在DRAM方面,，全球DRAM價(jià)格持續(xù)七個(gè)季度高漲,，是歷來漲勢最久的一次,，據(jù)業(yè)界人士預(yù)測，此漲勢將持續(xù)至2018年第二季度,。在NAND Flash方面,，全球NAND Flash產(chǎn)線出現(xiàn)2D向3D轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，且3D NAND 在SSD產(chǎn)品上的應(yīng)用也日趨增多,，至此閃存市場供應(yīng)得到緩解,。

而在供應(yīng)短缺以及高增長的背后，壟斷之勢也越發(fā)明顯,。據(jù)數(shù)據(jù)調(diào)查顯示,，僅三星電子、SK海力士,、英特爾,、美光科技以及東芝半導(dǎo)體等五家美日韓半導(dǎo)體企業(yè)，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲(chǔ)器市場,。

以三星電子為例,，據(jù)業(yè)界人士預(yù)估，在三星今年260億美元半導(dǎo)體資金中,，3D NAND Flash約為140億美元,，DRAM約為70億美元。面對如此“誘人”的存儲(chǔ)器市場,，三星電子完全無法忍住誘惑,。據(jù)消息透漏，三星電子計(jì)劃于2018年將DRAM價(jià)格上調(diào)5%左右,，并且會(huì)加大3D NAND Flash技術(shù)研發(fā)的投入,。而且，隨著智能手機(jī),、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)需求的增加,，3D NAND Flash將得到長足發(fā)展。在這種趨勢下,，中國也開始了布局,。

紫光國際“攪局” 破勢而出

事實(shí)上，在全球存儲(chǔ)器市場需求的不斷驅(qū)動(dòng)下,，中國存儲(chǔ)器市場的起色也很明顯,。為了打破美日韓企業(yè)的壟斷之勢，中國芯片企業(yè)并未放棄對半導(dǎo)體的研究,。而且隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷衍進(jìn),，存儲(chǔ)器芯片研發(fā)難度隨之加大，加之3D NAND技術(shù)的出現(xiàn)，都為國產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商彎道超車提供了機(jī)會(huì),。

2016年,，在三星電子、SK海力士,、英特爾,、美光以及東芝等存儲(chǔ)器廠商開始量產(chǎn)32層3D NAND Flash的時(shí)候，國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商才開始布局,，錯(cuò)失良機(jī)的國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商急忙與政府合作,，投資建立“國產(chǎn)存儲(chǔ)器基地”，建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房以供3D NAND Flash研發(fā)與生產(chǎn),。在這場全球3D NAND Flash市場之戰(zhàn)中,，紫光國際首先“舉旗”，長江存儲(chǔ),、武漢新芯以及中國科學(xué)院微電子研究所緊隨其后,，互相配合共同研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)。

2017年11月中旬,，長江存儲(chǔ)已經(jīng)成功研發(fā)出32層3D NAND Flash芯片,，預(yù)計(jì)將于2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前,，紫光國際與長江存儲(chǔ)已經(jīng)在研究64層3D NAND Flash技術(shù),，預(yù)計(jì)將于2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

當(dāng)然,，彎道超車依舊困難重重,。從國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商的發(fā)展情況來看，主要面臨的機(jī)遇有以下四點(diǎn)：

其一,，全球存儲(chǔ)器芯片價(jià)格持續(xù)走高,、市場供不應(yīng)求的趨勢；

其二,，智能手機(jī),、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等科技的不斷發(fā)展，導(dǎo)致存儲(chǔ)器芯片的需求也隨之增加,；

其三，全球存儲(chǔ)器領(lǐng)先技術(shù)突破的趨勢減緩,，各項(xiàng)技術(shù)的不斷成熟,；

其四，國家政策的不斷出臺(tái),，政企聯(lián)合之勢擴(kuò)大,。

在機(jī)遇存在的同時(shí)，國內(nèi)存儲(chǔ)器廠商所面臨的挑戰(zhàn)也不可謂不小，主要體現(xiàn)在以下三方面：

其一,，國內(nèi)存儲(chǔ)器技術(shù)人才匱乏,，導(dǎo)致技術(shù)研發(fā)速度過慢；

其二,，原材料價(jià)格的不斷上漲,，導(dǎo)致投入過高；

其三,，存儲(chǔ)器增長過快,，產(chǎn)能過剩的風(fēng)險(xiǎn)隨時(shí)將至。

小結(jié)：

從國內(nèi)存儲(chǔ)器市場的趨勢來看,，紫光國際以及長江存儲(chǔ)已成為“攪局者”,，于國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言，將是一把利劍,，也是打破美日韓壟斷國內(nèi)存儲(chǔ)器市場的希望,。可以預(yù)料的是,，隨著國內(nèi)3D NAND Flash技術(shù)的不斷突破與成熟,，加之DRAM產(chǎn)量的不斷提升，未來與五大存儲(chǔ)器巨頭的差距將越來越小,。