DRAM、NAND型快閃存儲近來報價走勢超優(yōu),，科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights為此決定將今(2018)年的全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍,，從原本的8%一口氣上修至15%。
IC Insights 14日發(fā)表研究報告指出,，今年DRAM均價遠(yuǎn)優(yōu)于預(yù)期,，估計將較去年跳增36%，延續(xù)去年大漲81%的上升走勢,，而去年均價跳漲45%的NAND,，今年報價也有望續(xù)增10%,。相較之下，DRAM,、NAND今年的位元出貨量成長率則只將達(dá)到1%,、6%。
基于上述預(yù)測,，IC Insights認(rèn)為,，今年DRAM的全球市場規(guī)模有望成長37%，遠(yuǎn)優(yōu)于先前估計的13%,，而NAND則將成長17%,、也高于先前估計的10%。
報告稱,，2018年DRAM市場的整體規(guī)模預(yù)料會達(dá)到996億美元,，比NAND的621億美元大幅超出375億美元，成為IC業(yè)界規(guī)模最大的產(chǎn)品類別,。從該機(jī)構(gòu)制作的圖表可以看出(見左圖),，過去五年來，DRAM已成為左右全球IC成長的關(guān)鍵因素,。
美國存儲大廠美光(Micron Technology)受惠DRAM報價看俏,、NAND型快閃存儲毛利增加，去年股價狂飆87.57%后,，今年以來又續(xù)漲45.38%,。
barron`s.com、CNBC,、路透社等外電報導(dǎo),，Nomura Instinet分析師Romit Shah 3月12日發(fā)表研究報告指出，年初以來,，存儲報價僅下滑3%，跌幅遠(yuǎn)不如過去三年的Q1平均跌幅(10~20%),，預(yù)估未來六個月報價有望上揚(yáng)10%,。研究顯示，供應(yīng)商應(yīng)該會在Q2,、Q3開始漲價,，跟市場原本預(yù)測的「未來四季報價每季會跌5-6%」大相徑庭。
Shah認(rèn)為,，美光股價順利突破3-4個月的盤整期,，目前正處于另一波大漲行情的初始階段。他提出了幾項對美光有利的因素,，當(dāng)中包括DRAM報價有望自第2季起恢復(fù)揚(yáng)升走勢,、公司將在5月首度宣布股利發(fā)放和庫藏股計劃,、NAND的毛利率持續(xù)擴(kuò)張，以及有關(guān)整并的討論增多等,。
DRAM缺貨一整年價格逐季漲
全球最大存儲廠韓國三星電子正在進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)能大挪移,，以提升產(chǎn)能運(yùn)用效率，三星雖然決定在韓國華城Line 17及平澤Line 18擴(kuò)大先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能,，但三星同時卻將華城Line 11及Line 13的舊制程DRAM產(chǎn)能,，移轉(zhuǎn)生產(chǎn)CMOS影像感測器，有意擠下日本索尼,、搶占CMOS影像感測器龍頭寶座,。
業(yè)界認(rèn)為，三星在增加DRAM新制程產(chǎn)能之際,，同時縮減舊制程產(chǎn)能,，總投片量今年及明年都不會增加太多，只利用制程轉(zhuǎn)換至1y/1z納米來提高位元出貨成長率,。由此來看,，DRAM市場今年恐將缺貨一整年，價格逐季調(diào)漲已無可避免,。
業(yè)界指出,，今年總投片量增加幅度十分有限，DRAM價格3月見到明顯漲勢,，季度漲幅可望上看5～10％,，優(yōu)于先前預(yù)期的5％，第二季價格可望再續(xù)漲5～10％,。法人看好南亞科（2408）,、華邦電（2344）、威剛（3260）將直接受惠,。
根據(jù)韓國外電報導(dǎo),，韓系存儲廠三星以及SK海力士已調(diào)漲第一季DRAM報價，漲幅約達(dá)5～10％,，包括標(biāo)準(zhǔn)型,、伺服器、利基型,、行動式等DRAM價格都全面上漲,。
第一季是傳統(tǒng)淡季，DRAM價格在淡季調(diào)漲,，代表市場供不應(yīng)求情況未獲紓解,，其中又以伺服器DRAM缺貨最為嚴(yán)重。
業(yè)界人士透露,，資料中心需求強(qiáng)勁,，搭載的伺服器DRAM價格比智慧型手機(jī)采用的行動式DRAM高出2成,，所以三大DRAM廠上半年產(chǎn)能都移轉(zhuǎn)到伺服器DRAM。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM則在英特爾,、超微的新平臺推出后,，帶動需要搭載8GB以上高容量DRAM的電競PC熱賣，PC DRAM需求強(qiáng)勁且價格持續(xù)上漲,，目前價格幾乎是去年同期的2倍,。
為解決DRAM缺貨問題，龍頭大廠三星已宣布擴(kuò)產(chǎn)計畫,。三星將利用位于韓國平澤Line 18的2樓空間擴(kuò)增DRAM產(chǎn)能,，設(shè)備已完成裝機(jī)并準(zhǔn)備啟動生產(chǎn)，華城Line 17的部份產(chǎn)線也由NAND Flash轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DRAM,，下半年將啟動生產(chǎn),。三星的擴(kuò)產(chǎn)計畫一度讓市場擔(dān)憂DRAM市場好日子是不是快過去了，但事實上,，三星卻同時縮減舊制程DRAM產(chǎn)能,。
外電報導(dǎo)指出，三星已將原本用來生產(chǎn)DRAM的華城Line 11舊制程生產(chǎn)線,，在去年底改為生產(chǎn)CMOS影像感測器,，預(yù)計今年底改裝完畢，隨后華城Line 13舊制程DRAM生產(chǎn)線也會跟著移轉(zhuǎn)成為CMOS影像感測器生產(chǎn)線,。而值得注意之處,，在于三星的CMOS影像感測器將用來投產(chǎn)堆疊DRAM及類比邏輯芯片的三層（3-layer stacked）影像感測器。