2018年4月9-10日，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁,、中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟名譽(yù)理事長(zhǎng)丁文武先生一行密集調(diào)研寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的情況,，調(diào)研的單位包括基本半導(dǎo)體、英諾賽科,。
4月9日首先蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研,。基本半導(dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士向丁文武先生介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品,，包括性能達(dá)到國(guó)際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管,，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片,。
基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士介紹了公司的發(fā)展情況,?；景雽?dǎo)體通過(guò)引進(jìn)由海歸人才和外籍專(zhuān)家組成的高層次創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，對(duì)碳化硅器件的材料制備,、芯片設(shè)計(jì),、制造工藝、封裝測(cè)試,、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等各方面進(jìn)行研發(fā),，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，建立了一支國(guó)際一流的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì),?；景雽?dǎo)體立志于整合海外創(chuàng)新技術(shù)與國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)資源，打破國(guó)外技術(shù)壟斷,，把基本半導(dǎo)體打造成為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),，實(shí)現(xiàn)中國(guó)在寬木材帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的彎道超車(chē)。
丁文武對(duì)基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定,，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲,，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大,，成為中國(guó)寬禁帶a半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),。
4月10日來(lái)到英諾賽科進(jìn)行調(diào)研座談。英諾賽科董事長(zhǎng)駱薇薇博士向丁文武總裁介紹了公司近期投產(chǎn)的“8英寸硅基氮化鎵”生產(chǎn)線(xiàn),，重點(diǎn)介紹了自主研發(fā)的硅基氮化鎵增強(qiáng)型功率器件和面向5G通信的射頻器件,，隨后參觀了潔凈車(chē)間和產(chǎn)品應(yīng)用展廳。
丁文武表對(duì)英諾賽科在8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),、芯片研發(fā)和制造等方面取得的進(jìn)展給予充分肯定,，并為英諾賽科這一平臺(tái)吸引到眾多國(guó)際一流企業(yè)的半導(dǎo)體骨干人才感到振奮。希望公司要發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),，把握市場(chǎng)先機(jī),，同時(shí)在生產(chǎn)規(guī)模上再上臺(tái)階。
寬禁帶半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率,、高擊穿場(chǎng)強(qiáng),、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可以滿(mǎn)足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫,、高功率,、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求,，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最有前景的材料,，市場(chǎng)潛力巨大,。
寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用最廣的是氮化鎵和碳化硅。碳化硅是開(kāi)發(fā)最早的寬禁帶半導(dǎo)體材料,，早在1824年就被發(fā)現(xiàn)了,，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn),；到了1987年,，商業(yè)化生產(chǎn)的碳化硅開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)，但直到進(jìn)入21世紀(jì)后,，碳化硅的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi),。目前已被證實(shí)的碳化硅多形體就超過(guò)200種，最常見(jiàn)的碳化硅多型體有立方結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方結(jié)構(gòu)的6H-SiC,、4H-SiC,。在現(xiàn)今已開(kāi)發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體中，碳化硅是技術(shù)發(fā)展最成熟的一種,。雖然氮化鎵相比碳化硅的發(fā)展起步較晚,，但是氮化鎵半導(dǎo)體工藝近20年來(lái)發(fā)展態(tài)勢(shì)極為迅猛。
目前,，寬禁帶半導(dǎo)體已成為高溫器件,、節(jié)能功率器件、高頻器件,、微波器件,、抗輻射器件領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。
不過(guò),，國(guó)內(nèi)在寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)度還比較緩慢,，不過(guò)令人欣喜的是，國(guó)家層面已經(jīng)在一定程度上認(rèn)識(shí)到了相關(guān)技術(shù)對(duì)國(guó)防軍工,、信息技術(shù)等產(chǎn)業(yè)的價(jià)值,，不斷投入科研經(jīng)費(fèi)，鼓勵(lì)相關(guān)單位進(jìn)行技術(shù)研究,，以求早日實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化方面的突破,。
相信隨著國(guó)外產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的刺激，加上國(guó)內(nèi)政策方面的支持,，國(guó)內(nèi)的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必將迎來(lái)曙光,！