全球記憶體市場需求持續(xù)不減,，國際大廠紛紛投入擴(kuò)產(chǎn)行動,。包括龍頭三星在NAND Flash 方面,，宣布中國西安開始第2 期的建設(shè)工程,，DRAM 上也有意在南韓平澤（Pyeongtaek）廠大幅生產(chǎn)。而另一家南韓大廠SK 海力士,，除了生產(chǎn)NAND Flash 的M15 廠預(yù)期在2019 年正式營運(yùn)之外,，在DRAM 部分也斥資86 億美元，將在中國無錫興建第2 期廠房,。
另外,，專注在NAND Flash 產(chǎn)品的東芝，除了Fab 6 廠即將在2019 年營運(yùn)外,，還斥資70 億美元用于興建Fab7 廠,，完成后將用于96 層堆疊的3D NAND Flash 生產(chǎn)。美光部分,，日前除宣布將在新加坡設(shè)立NAND Flash 的第3 座工廠之外,，在DRAM 產(chǎn)品方面，雖然無新擴(kuò)建產(chǎn)能的計劃,，但是預(yù)計將在臺灣以提高生產(chǎn)效率來拉高位元成長率的方式,，提升產(chǎn)能。因此,，面對各家國際記憶體大廠的來勢洶洶,，中國的記憶體廠投資也開始急起直追，預(yù)計也將在2019 年加入全球擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)局,。
據(jù)TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange) 指出,，中國記憶體產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash 市場的長江存儲、專注于行動式記憶體的合肥長鑫,，以及致力于利基型記憶體晉華集成3 大陣營為主,。以目前3 家廠商的進(jìn)度來看，其試產(chǎn)時間預(yù)計將在2018 年下半年,，隨著3 大陣營的量產(chǎn)的時間可能皆落在2019 年上半年,，揭示著2019 年將成為中國記憶體生產(chǎn)元年。
DRAMeXchange 表示,，從3 大廠目前布局進(jìn)度來看,，合肥長鑫的廠房已于2017 年6 月封頂完工，并且于第3 季開始移入測試用機(jī)臺,。合肥長鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同,，試產(chǎn)時程將會落于2018 年第3 季，量產(chǎn)則暫定在2019 年的上半年,，時程較預(yù)期落后,。此外，由于合肥長鑫直攻三大DRAM 廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb,，爾后面臨專利爭議的可能性也較高,，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權(quán)外,，初期可能將鎖定于中國銷售,。
反觀,，專注于利基型記憶的晉華集成，在2016 年7 月宣布于福建省晉江市建12 吋廠,，投資金額約53 億美元,，以目前進(jìn)度來看，其利基型記憶體的試產(chǎn)延后至2018 年第3 季度,，量產(chǎn)時程也將落在2019 年上半年,。
此外，從中國廠商N(yùn)AND Flash 的發(fā)展進(jìn)程來看,，2016 年12 月底,，由長江存儲主導(dǎo)的國家記憶體基地正式動土，官方預(yù)期分3 階段,，共建立3 座3D-NAND Flash 廠房,。第一階段廠房已于2017 年9 月完成興建，預(yù)定2018 年第3 季開始移入機(jī)臺,，并于第4 季進(jìn)行試產(chǎn),，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32 層3D-NAND Flash 產(chǎn)品,，并預(yù)計于自家64 層技術(shù)成熟后,，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計劃,。
DRAMeXchange 指出,，觀察中國記憶體廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計劃，2019 年將是中國記憶體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年,。但也由于2 家DRAM 廠預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大,，短期難撼動全球市場現(xiàn)有格局。無論是DRAM 或是NAND Flash 產(chǎn)品,，各家都是初試啼聲,，相較于耕耘多年的既有記憶體大廠所面臨的挑戰(zhàn)更多，因此亦不排除量產(chǎn)時間點(diǎn)也可能比原先預(yù)期延后,。
長期來看,，隨著中國記憶體產(chǎn)品逐步成熟，預(yù)計2020 年到2021 年,，2 家DRAM 廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿載,，在最樂觀的預(yù)估下，屆時2 家廠商合計約有每月25 萬片的投片規(guī)模,，可能將開始影響全球DRAM 市場的供給,。另一方面，長江存儲計劃設(shè)有的3 座廠房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30 萬片,，不排除長江存儲完成64 層產(chǎn)品開發(fā)后,，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片,，進(jìn)而在未來3 到5年對NAND Flash 的供給產(chǎn)生重大影響。