全球記憶體市場(chǎng)需求持續(xù)不減，國(guó)際大廠(chǎng)紛紛投入擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng),。包括龍頭三星在NAND Flash 方面,，宣布中國(guó)西安開(kāi)始第2 期的建設(shè)工程，DRAM 上也有意在南韓平澤（Pyeongtaek）廠(chǎng)大幅生產(chǎn),。而另一家南韓大廠(chǎng)SK 海力士，除了生產(chǎn)NAND Flash 的M15 廠(chǎng)預(yù)期在2019 年正式營(yíng)運(yùn)之外，在DRAM 部分也斥資86 億美元,，將在中國(guó)無(wú)錫興建第2 期廠(chǎng)房。
另外,，專(zhuān)注在NAND Flash 產(chǎn)品的東芝,，除了Fab 6 廠(chǎng)即將在2019 年?duì)I運(yùn)外,，還斥資70 億美元用于興建Fab7 廠(chǎng)，完成后將用于96 層堆疊的3D NAND Flash 生產(chǎn),。美光部分,，日前除宣布將在新加坡設(shè)立NAND Flash 的第3 座工廠(chǎng)之外，在DRAM 產(chǎn)品方面,，雖然無(wú)新擴(kuò)建產(chǎn)能的計(jì)劃,，但是預(yù)計(jì)將在臺(tái)灣以提高生產(chǎn)效率來(lái)拉高位元成長(zhǎng)率的方式，提升產(chǎn)能,。因此,，面對(duì)各家國(guó)際記憶體大廠(chǎng)的來(lái)勢(shì)洶洶，中國(guó)的記憶體廠(chǎng)投資也開(kāi)始急起直追,，預(yù)計(jì)也將在2019 年加入全球擴(kuò)產(chǎn)戰(zhàn)局,。
據(jù)TrendForce 記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange) 指出，中國(guó)記憶體產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash 市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ),、專(zhuān)注于行動(dòng)式記憶體的合肥長(zhǎng)鑫,，以及致力于利基型記憶體晉華集成3 大陣營(yíng)為主。以目前3 家廠(chǎng)商的進(jìn)度來(lái)看,，其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在2018 年下半年,，隨著3 大陣營(yíng)的量產(chǎn)的時(shí)間可能皆落在2019 年上半年，揭示著2019 年將成為中國(guó)記憶體生產(chǎn)元年,。
DRAMeXchange 表示,，從3 大廠(chǎng)目前布局進(jìn)度來(lái)看，合肥長(zhǎng)鑫的廠(chǎng)房已于2017 年6 月封頂完工,，并且于第3 季開(kāi)始移入測(cè)試用機(jī)臺(tái),。合肥長(zhǎng)鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時(shí)程將會(huì)落于2018 年第3 季,，量產(chǎn)則暫定在2019 年的上半年,，時(shí)程較預(yù)期落后。此外,，由于合肥長(zhǎng)鑫直攻三大DRAM 廠(chǎng)最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb,，爾后面臨專(zhuān)利爭(zhēng)議的可能性也較高，為了避免此一狀況,，除了積極累積的專(zhuān)利權(quán)外,，初期可能將鎖定于中國(guó)銷(xiāo)售。
反觀,，專(zhuān)注于利基型記憶的晉華集成,，在2016 年7 月宣布于福建省晉江市建12 吋廠(chǎng)，投資金額約53 億美元，以目前進(jìn)度來(lái)看,，其利基型記憶體的試產(chǎn)延后至2018 年第3 季度,，量產(chǎn)時(shí)程也將落在2019 年上半年。
此外,，從中國(guó)廠(chǎng)商N(yùn)AND Flash 的發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，2016 年12 月底,，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家記憶體基地正式動(dòng)土,，官方預(yù)期分3 階段，共建立3 座3D-NAND Flash 廠(chǎng)房,。第一階段廠(chǎng)房已于2017 年9 月完成興建,，預(yù)定2018 年第3 季開(kāi)始移入機(jī)臺(tái)，并于第4 季進(jìn)行試產(chǎn),，初期投片不超過(guò)1萬(wàn)片,，用于生產(chǎn)32 層3D-NAND Flash 產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于自家64 層技術(shù)成熟后,，再視情況擬定第2,、3期生產(chǎn)計(jì)劃。
DRAMeXchange 指出,，觀察中國(guó)記憶體廠(chǎng)商的研發(fā)與產(chǎn)出計(jì)劃,，2019 年將是中國(guó)記憶體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年。但也由于2 家DRAM 廠(chǎng)預(yù)估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大,，短期難撼動(dòng)全球市場(chǎng)現(xiàn)有格局,。無(wú)論是DRAM 或是NAND Flash 產(chǎn)品，各家都是初試啼聲,，相較于耕耘多年的既有記憶體大廠(chǎng)所面臨的挑戰(zhàn)更多,，因此亦不排除量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)也可能比原先預(yù)期延后。
長(zhǎng)期來(lái)看,，隨著中國(guó)記憶體產(chǎn)品逐步成熟,，預(yù)計(jì)2020 年到2021 年，2 家DRAM 廠(chǎng)商現(xiàn)有工廠(chǎng)將逐步滿(mǎn)載,，在最樂(lè)觀的預(yù)估下,，屆時(shí)2 家廠(chǎng)商合計(jì)約有每月25 萬(wàn)片的投片規(guī)模，可能將開(kāi)始影響全球DRAM 市場(chǎng)的供給,。另一方面,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃設(shè)有的3 座廠(chǎng)房總產(chǎn)能可能高達(dá)每月30 萬(wàn)片，不排除長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成64 層產(chǎn)品開(kāi)發(fā)后,，可能將進(jìn)行大規(guī)模的投片,，進(jìn)而在未來(lái)3 到5年對(duì)NAND Flash 的供給產(chǎn)生重大影響。