致力于在功耗,、安全,、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合,，包括提供下一代1200 V,、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,，及下一代700 V,、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片,。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產品系列中的其它最新器件,。

　　美高森美繼續(xù)擴大其SiC產品系列的開發(fā)工作，已經成為向市場提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一,。這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業(yè) 和汽車市場中的多種應用,，包括混合動力車(HEV)/電動車(EV)充電、插電/感應式車載充電器(OBC),、DC-DC轉換器和電動車動力系統(tǒng)/牽引控制,。它們也可用于醫(yī)療、航天,、國防和 數據中心應用中的開關模式電源,、光伏(PV)逆變器和電機控制。

　　美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務部門經理Leon Gross表示：“對于電動車充電,、DC-DC轉換器,、動力系統(tǒng)、醫(yī)療和工業(yè)設備以及航空驅動等應用,，若要SiC解決方案快速獲得采用,，這些系統(tǒng)中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水平,。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極管系列將會通過AEC-Q101資質認證以確保高可靠性水平,，而且其高重復性無箝制感應開關(UIS)能力在額定電流下不會出現(xiàn)退化或失效，可見其穩(wěn)健性,?！?/p>

　　市場研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約5.405億美元,，年復合增長率(CAGR)超過18%,。該公司還預測2021年前全球汽車半導體應用SiC器件市場的年復合增長率將達到20%左右。美高森美在這些發(fā)展趨勢中處于有利地位,，其SiC MOSFET和肖特基勢壘二極管器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能,，能夠實現(xiàn)穩(wěn)健工作,，并具有充足功能來滿足這些不斷增長的應用趨勢。

　　與競爭Si/SiC二極管/MOSFET和IGBT解決方案相比,，美高森美下一代1200 V,、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對客戶極具吸引力的巨大優(yōu)勢,，包括可在更高的開關頻率下實現(xiàn)更高效的開關運作,，以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值，從而實現(xiàn)穩(wěn)健可靠的運作,。例如,，SiC MOSFET器件的開發(fā)重點是平衡特定導通電阻、低柵極電阻和熱阻,，以及低柵極閾值電壓和電容,，從而實現(xiàn)可靠的工作。這些器件針對高良率工藝和低溫度范圍參數變化而設計,，在高結溫(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案) 工作,，能夠擴展HEV/EV及其它應用中的電池系統(tǒng)。

　　這些新器件樣品正在進行AEC-Q101認證,，并已通過了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時間依賴性介質擊穿(TBBD)測試,，證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。其它主要特性包括：

　　·比競爭SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力,，實現(xiàn)雪崩穩(wěn)健性,；

　　·比競爭SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能，實現(xiàn)更穩(wěn)健的工作,；

　　·針對中子敏感性,，在額定電壓下的失效時間(FIT)較同類Si IGBT器件降低10倍；性能與中子輻照有關的SiC競爭產品相當,；以及

　　·與Si器件相比,，SiC器件具有更高的功率密度，充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線電容器和更少的散熱元件,，從而實現(xiàn)更緊湊的外形尺寸,，降低整體系統(tǒng)成本。

　　6月5日至7日在PCIM展會6號展廳318展臺進行演示

　　美高森美產品專家將在PCIM展會期間于公司展臺上展示其下一代SiC解決方案,，重點展品包括最近推出的新一代1200 V,、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產品,。如要了解更多信息或在展會期間安排會面,，請訪問公司網頁https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe。

　　產品供貨

　　美高森美現(xiàn)在提供下一代1200 V SiC MOSFET器件和裸片以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件樣品,。如要了解更多信息,，請訪問公司網頁https://www.microsemi.com/product-directory/discretes/3613-silicon-carbide-sic 或聯(lián)絡[email protected],。

　　關于美高森美公司

　　美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為通信、國防和安保,、航空航天和工業(yè)市場提供全面的半導體與系統(tǒng)解決方案,，產品包括高性能、耐輻射模擬混合集成電路,，可編程邏輯器件(FPGA) ,；可定制系統(tǒng)級芯片(SoC) 與專用集成電路(ASIC)；功率管理產品,；時鐘同步設備以及精密定時解決方案為全球的時鐘產品設定標準,；語音處理器件；RF解決方案,；分立組件；企業(yè)存儲和通信解決方案,；安全技術和可擴展反篡改產品,；以太網解決方案; 以太網供電 (PoE) IC與電源中跨 (Midspan) 產品；以及定制設計能力與服務,。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,，全球員工總數約4,800人。欲獲取更詳盡信息,，請訪問網站：http://www.microsemi.com,。