相較于硅,，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性,。SiC無反向恢復電流,，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,，因此被視為下一代功率半導體。

　　安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列,，提供更高的能效,、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器,、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器,、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn),。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn),。

　　自從16多年前第一款SiC二極管問市以來,，這一技術已經(jīng)日益成熟，質量/可靠性測試和現(xiàn)場測試都已充分證明其高品質水平,。

　　在基板處理,、外延生長和制造方面的進步顯著地降低缺陷密度，我們將看到持續(xù)的工藝改進和更高的量,。安森美半導體在整個工藝周期采用了獨特的方法,，以確保客戶獲得最高品質的產(chǎn)品,。

　　另一重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設計,。SiC能夠應對高場應力，因此很多設計都是為了應對這些高應力條件,。例如,，終端結構需要很多心思，才能確保器件的耐用性,。

　　利用寬帶隙（WBG）材料的獨特特性,，SiC技術比硅提供實在的優(yōu)勢，其強固的結構為嚴苛環(huán)境中的應用提供可靠的方案,。我們的客戶將受益于這些簡化的,、性能更佳、尺寸設計更小的新器件,。

　　SiC為系統(tǒng)提供顯著好處,。SiC更高的開關頻率可以使用更小的磁性元件和無源元件，使整體系統(tǒng)縮小50％以上,，從而大大節(jié)省整體元件和制造成本,。