功率半導體元件或簡稱功率元件，是電子裝置的電能轉換與電路控制的核心,；主要用途包括變頻,、整流、變壓,、功率放大、功率控制等,，并同時可具有節(jié)能的功效,，因此功率元件廣泛應用于移動通訊,、消費電子、新能源交通等眾多領域,。

　　其中,，金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）自1980年即進入電子商業(yè)應用，主要用在PC,、NB等消費性電子的主機板跟電路板上,，屬中低壓市場，在900V以上的高壓領域較無用武之地,，而絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）的發(fā)明,，則滿足大功率化與高頻化的需求，自1988年以來已進展至第六代產品,，成為目前高壓電子產品之主流應用,。

　　功率元件全球市場規(guī)模約140億美元，占全球半導體市場的3.5％,，其中MOSFET規(guī)模約68億美元,、IGBT約12.6億美元，占功率半導體元件分別為48％與9％,；根據(jù)IEK調查指出,，近年受惠電動汽車與油電混和車快速發(fā)展、汽車電子化比重提升以及手機快充,、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）新應用興起,，功率元件在提高能源轉換效率上占據(jù)重要地位，產業(yè)需求逐漸提升,；而未來電動車半導體的需求為傳統(tǒng)汽車的兩倍以上,，預期MOSFET等功率元件用量將大幅提升。

　　MOSFET與IGBT市場過去皆呈大廠寡占的態(tài)勢,，英飛凌,、安森美與瑞薩占MOSFET市場近50％，IGBT市場英飛凌,、三菱電機與富士電機三家市占率更達61％,；此類IDM垂直整合大廠以英飛凌為首，均優(yōu)先將產能給毛利率較高的新產品,，相繼退出中低壓MOSFET一般消費性產品線,，導致MOSFET供需缺口擴大，使臺廠自去年第2季開始即逐漸感受到轉單效應,，預料這股缺貨風潮恐將持續(xù)下去,。

　　在晶圓供給方面，MOSFET與IGBT產品考量8吋光罩費用僅12吋的1/10，加以功率元件還有不漏電的要求,，尚無法做到尺寸微縮等原因,，臺灣與大陸的MOSFET功率元件IC設計公司都投產在8吋晶圓廠；然由于指紋辨識,、影像感測器（CIS）,、電源管理（ICPMIC）等IC產品，受到資安需求提升,，對8吋晶圓需求亦增加，致使全球8吋晶圓投片量提升,。

　　MOSFET市場的供需失衡,，讓臺廠迎來多年以來難得的成長契機，上游IC設計方面,，大中（6435）,、杰力（5299）在PC市場與消費性電子產品較具競爭優(yōu)勢，預計下半年供需仍吃緊態(tài)勢下,，對下游的議價能力轉強,，有助其獲利表現(xiàn)；在晶圓生產方面,，世界先進（5347）8吋產能滿載,，加上電源管理營收占比持續(xù)提升改善產品組合，未來營運展望樂觀,。

　　此外,，隨著氮化鎵（GaN）相關分離式元件的制程研發(fā)，對IGBT等高壓市場需求增強,，強茂（2481）預期未來能搭上IGBT代工潮,，且積極導入自動化并進行車規(guī)認證，目前產能滿載,，2018年預估產品平均漲幅15?20％,，后續(xù)成長可期；MOSFET及IGBT等產品雖早已應用于電子產品,，然近年市況匹變,，需求大增，將迎來一場功率半導體元件的逆襲,。