國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片,,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,,這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑,,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長江存儲,國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破,,為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁,。
無獨(dú)有偶,合肥長鑫合作方兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人朱一明先生在昨晚宣布辭去公司總經(jīng)理職務(wù),,但將繼續(xù)擔(dān)任公司董事長及董事會相關(guān)職業(yè)委員會職務(wù),。雖然公告沒有透露朱一明先生的下一步動向,但據(jù)知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,,朱一明下一步赴合肥長鑫擔(dān)任重要職位,,推動國產(chǎn)DRAM的發(fā)展。這進(jìn)一步夯實(shí)了國內(nèi)企業(yè)攻堅(jiān)DRAM的決心,。而這也是中國電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天必須要推進(jìn)的一個(gè)領(lǐng)域,。
打造國產(chǎn)DRAM勢在必行
DRAM因?yàn)槠鋺?yīng)用的廣泛性和重要性,是電子產(chǎn)品必不可少的一種重要半導(dǎo)體元件,。也是原器件領(lǐng)域的一個(gè)重要組成部分,。根據(jù)IHS Markit的數(shù)據(jù),,去年(2017)全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的市場規(guī)模為722億美元,較2016年的415億美元增長了74%,。更重要的一點(diǎn)的是,,從2016年開始,DRAM的價(jià)格多次提高,,2017年的價(jià)格漲幅更是高達(dá)40%,。讓一些終端廠商,尤其是國內(nèi)的廠商叫苦不堪,。這一方面是因?yàn)閲鴥?nèi)在這方面的缺失,。
過往的經(jīng)驗(yàn)表明,無論是面板,、指紋識別芯片,還是CIS,,只要有國產(chǎn)參與其中,,他們不但能把產(chǎn)品的價(jià)格拉的比較低,還能倒逼國外的供應(yīng)商降低價(jià)格,,利好于終端廠商,。但在DRAM這個(gè)領(lǐng)域,國內(nèi)幾近一片空白,。
IHS Markit的數(shù)據(jù)顯示,,在2017年的DRAM市場,三星電子以44.5%的市場份額穩(wěn)居市場第一,,SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后,。美光科技(22.9%)、南亞科技(2.2%),、華邦電子(0.8%)分列其后,。這幾家?guī)缀跄依巳蛩械腄RAM供應(yīng)。
如果說他們能夠公平地做生意,,在一個(gè)全球分工的時(shí)代,,這也是個(gè)能被勉強(qiáng)接受的局面。但最新消息顯示,,作為DRAM龍頭的三星,,在過去一年的DRAM上漲過程中,似乎耍了一些手段,。
據(jù)騰訊科技昨日的報(bào)道,,因?yàn)闈q價(jià)的影響,包括DRAM和NAND Flash在內(nèi)的存儲產(chǎn)品在2017年較之2016年的800億美元暴漲了65%,。但進(jìn)入今年NAND Flash開始走弱,,但是DRAM還價(jià)格還在持續(xù)上揚(yáng),,據(jù)透露,三星的蓄意減產(chǎn)是造成這個(gè)結(jié)局的一個(gè)重要原因,。
在之前,,市場還傳出了三星18nm工藝的內(nèi)存芯片遭遇良率問題,需要兩三個(gè)月時(shí)間才能解決,,這或?qū)?dǎo)致高端市場內(nèi)存缺貨,,但這是在三星18nm產(chǎn)品亮相兩年后出現(xiàn)的傳聞,這就讓人對三星的操作有所懷疑,。瑞銀分析師Timothy Arcuri更是表示,,三星18nm芯片良率導(dǎo)致減產(chǎn)問題,可能只是暫停生產(chǎn)以控制產(chǎn)品供應(yīng)量,。他指出三星在內(nèi)存價(jià)格下跌之前就延遲增產(chǎn),,這個(gè)舉動不尋常,他認(rèn)為三星此舉是貫徹了過去幾年中該公司“利潤第一”的管理方式,。
況且,,數(shù)據(jù)顯示,DRAM需求在未來幾年會迅速增長,。國內(nèi)作為主要的制造大國,,對其需求有增無減。多方面的因素綜合,,迫使中國去打造自主可控的DRAM企業(yè),。
合肥長鑫將扮演重要角色
安徽合肥和福建晉華兩個(gè)地方政府和相關(guān)人士看到了國產(chǎn)DRAM的不足,就投入了相關(guān)相關(guān)的DRAM的研發(fā),,這次投片的合肥長鑫將扮演國產(chǎn)DRAM的一個(gè)重要角色,。
據(jù)天眼查資料顯示,合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司是由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司和合肥產(chǎn)投新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)(有限合伙)投資建立的,。公司成立于2016年,,由中芯國際前CEO王寧國主導(dǎo)。
2017年5月25日,,長鑫宣布,,預(yù)計(jì)由合肥長鑫投資72億美元,興建12寸晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品,,未來完成后,,預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬片規(guī)模。
這邊廂合肥長鑫做的如火如荼,,另一邊廂,,國內(nèi)Nor Flash龍頭兆易創(chuàng)新也在尋找DRAM的破局之法。
2016年,,他們宣布欲以65億元的價(jià)格收購北京矽成(ISSI),。因?yàn)樵摴驹贒RAM方面有不錯(cuò)的積累,,兆易創(chuàng)新就想借助這個(gè)企業(yè)涉足DRAM。但到了2017年年初,,兆易創(chuàng)新宣布終止了這單交易,,這就宣告了兆易創(chuàng)新第一次布局DRAM的出師未捷。
到了2017年10月,,兆易創(chuàng)新再次宣布,,將與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項(xiàng)目。據(jù)公告規(guī)定,,本項(xiàng)目內(nèi)容為在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器(含 DRAM 等)的研發(fā),,目標(biāo)是在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功,即實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的芯片占整個(gè)晶圓的比例)不低于 10%,。
按照項(xiàng)目產(chǎn)能的約定,。在保證合法合規(guī)的前提下,項(xiàng)目研發(fā)及生產(chǎn)的 DRAM 產(chǎn)品優(yōu)先供本公司銷售并滿足本公司客戶的市場需求,,價(jià)格參照市場行情且給予最佳優(yōu)惠,。項(xiàng)目優(yōu)先承接本公司 DRAM 產(chǎn)品的代工需求,為本公司設(shè)計(jì)產(chǎn)品的流片,、生產(chǎn)提供支持與便利,價(jià)格參照市場行情且給予最佳優(yōu)惠,。
從目前的發(fā)展上看,,兆易創(chuàng)新和合肥長鑫的這次合作非常順利。
據(jù)集微網(wǎng)報(bào)道,,王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動”上表示,,合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成,設(shè)備也開始安裝,。根據(jù)計(jì)劃,,長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,,到2019年年底,,產(chǎn)能將達(dá)到2萬片一個(gè)月。從2020年開始,,公司則開始規(guī)劃二廠,,2021年則完成17nn的研發(fā)。
從這次投產(chǎn)時(shí)間來看,,一切都在計(jì)劃之內(nèi),。而在短短兩年的發(fā)展中,公司方面也獲得了不少的積累,。王寧國同時(shí)指出,,合肥長鑫在短短的兩年內(nèi),,在元件、設(shè)計(jì),、光罩,、制造和測試領(lǐng)域都做了不少的積累。截至2017年底,,已申請專利354件,,2018年計(jì)劃申請專利1155件:其中計(jì)劃申請?jiān)@?26件、設(shè)計(jì)專利144件,、成像專利224件,。計(jì)劃至2018年底,申請專利數(shù)量總計(jì)達(dá)到1509件,。
合肥長鑫的技術(shù)積累(source:集微網(wǎng))
雖然合肥長鑫已經(jīng)邁出了重要一步,,但在強(qiáng)敵環(huán)伺下,他們未來還有很長的一段路要走,。同時(shí)希望福建晉華的DRAM項(xiàng)目也能及時(shí)傳來好消息,。