紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷,，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置,、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界,。

　　近期3Ｄ NAND芯片價(jià)格走弱，長江存儲(chǔ)挾紫光集團(tuán)資源,，投入主流NAND芯片量產(chǎn),，為市場投下震撼彈，對群聯(lián),、威剛等NAND概念股影響值得觀察,。

　　另一方面，長江存儲(chǔ)在先進(jìn)NAND技術(shù)報(bào)捷,，也將牽動(dòng)后段封測廠訂單狀況,，南茂先前透過處分轉(zhuǎn)投資上海宏茂科技股權(quán)予紫光集團(tuán),，成為國內(nèi)首家與紫光集團(tuán)搭上合資聯(lián)盟的業(yè)者，長江存儲(chǔ)大量產(chǎn)出后,，南茂可望搶食相關(guān)封測訂單,，成為此波大陸大舉擴(kuò)張NAND勢力的受惠臺(tái)廠。

　　據(jù)了解,，長江存儲(chǔ)將于今天在國際性快閃存儲(chǔ)器指標(biāo)性盛會(huì)“快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)”（Flash Memory Summit）正式公布64層3D NAND 芯片專利,，向全球展現(xiàn)大陸已具備自主研發(fā)快閃存儲(chǔ)器技術(shù)能力，并追上主流產(chǎn)品腳步,，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)明年量產(chǎn),，加入全球列強(qiáng)競逐快速成長的NAND芯片市場。

　　消息人士透露,，紫光此次選在國際性盛會(huì)公布長江存儲(chǔ)自行研發(fā)的64層3D NAND芯片專利,，等于開放全球存儲(chǔ)器大廠公開檢視長江存儲(chǔ)的64層3D NAND芯片技術(shù)布建，向全球宣示大陸在發(fā)展快閃存儲(chǔ)器的腳步比前一期的32層產(chǎn)品更快,，未來將會(huì)是3D NAND芯片供應(yīng)鏈的重要一員,。

　　據(jù)了解，長江存儲(chǔ)董事長楊士寧今天親自上陣,，在美國Santa Clara舉行的“快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)”正式發(fā)表長江存儲(chǔ)的64層 3D NAND芯片專利,。目前全球僅三星、SK海力士,、東芝,、美光、英特爾等大廠有能力生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品,。

　　長江存儲(chǔ)宣稱32層3D NAND芯片良率已超過九成,，不過由于產(chǎn)品市場接受力有限，長江存儲(chǔ)只當(dāng)做練兵,，月產(chǎn)能僅5,000片,，預(yù)料未來進(jìn)入64層3D NAND芯片世代將加快量產(chǎn)規(guī)模，屆時(shí)對NAND市場沖擊加深,，震撼業(yè)界,。