據(jù)臺媒報道,，鴻海集團對下世代存儲很有興趣,，并已與SK集團長期策略合作,。旗下半導體次集團總經理暨夏普董事劉揚偉證實,，在于海力士合作之前,，鴻海集團與臺灣的存儲大廠旺宏也接觸過考量技術演進,。
在鴻海方面看來,，存儲持續(xù)往3D堆疊發(fā)展并有新技術崛起,，可能會進入到下世代特殊型存儲,，如類似MRAM（磁電阻式隨機存取存儲）,、ReRAM（可變電阻式存儲）等應用。
鴻海集團1994年就開始低調發(fā)展半導體領域,，近一年對外以「S次集團」浮上臺面,，并納入集團整體陸續(xù)發(fā)展的晶圓設備、封測,、IC設計與服務等領域,。另一方面，鴻海集團也積極在大陸尋找半導體領域投資標的,，據(jù)了解,，鴻海集團半導體擴張布局傾向透過投資與收購，相關計畫都是「現(xiàn)在進行式」,，善用大陸資源,，促成半導體產業(yè)一條龍布局，與集團發(fā)揮互補作用,。
鴻海進軍存儲之心由來已久
去年,，在東芝宣布將出售存儲業(yè)務的時候，計劃改變代工局面,，涉足上游的鴻海集團就表現(xiàn)出了對這塊業(yè)務的信心,。
鴻海集團掌門人郭臺銘聯(lián)合戴爾、金士頓科技,、蘋果等企業(yè)已想對東芝存儲發(fā)起收購。在郭看來,，因為它們的產品在使用東芝的半導體,，可以支撐起經營。他同時透露,，亞馬遜已接近加入,，鴻海與谷歌、微軟和思科的談判仍在進行中,。
郭臺銘同時透露,，希望鴻海與夏普的出資比率控制在40%以下，東芝的出資比率至少維持在15%,。他還表示,，為了追趕全球排名第一的韓國三星電子，其領頭的財團將大力進行研發(fā)投資,。
鴻海一直是東芝芯片業(yè)務的堅定競購者,。此前曾有消息稱，鴻海向東芝芯片開出了3萬億日元（約合270億美元）的報價,，在競購者的出價中排名第一,。
但鴻海在這樁競購中卻被日本方面的不認可,。
按照郭臺銘的說法，他之所以想入局存儲,，是為了應對因人工智能等領域不斷發(fā)展而出現(xiàn)增長的數(shù)據(jù)中心需求,。他強調，未來大數(shù)據(jù),、海量資料與8K影像都會用到更多儲存裝置,。富士康是全球最大的服務器制造廠，未來將需要更多更大量的儲存設備,，以滿足市場需求,。而東芝掌握的最新型存儲媒體“固態(tài)硬盤（SSD）”也被郭臺銘特別強調。他認為,，固態(tài)硬盤具有出色的節(jié)能性,，掌握著未來產業(yè)的關鍵。
但最后鴻海出局,，東芝存儲售給以美國投資公司貝恩（Bain Capital）為主的「美日韓聯(lián)盟」,，這是后話。
下世代存儲技術看誰,？
現(xiàn)代電子產品中,，存儲扮演不可或缺的重要的角色。2017年半導體產業(yè)產值預估首次超過4,000億美元,，其中原因之一是存儲需求大增,，廠商能提高售價，2017年營收成長約五成,，南韓三星是最大的存儲供應商,，獲利最大。這波存儲熱潮預計被新興的需求繼續(xù)推動,，物聯(lián)網,、穿戴式裝置、云端儲存和巨量資料運算等都將成帶動存儲市場的動能,。
目前存儲依儲存特性,，以斷電后資料是否消失可分為揮發(fā)性和非揮發(fā)性存儲，揮發(fā)性存儲斷電后資料不能留存,，成本較高但是速度快,，通常用于資料暫存；非揮發(fā)性存儲存取速度較慢,，但可長久保存資料,。
由于主流存儲DRAM與NAND在微縮制程上已出現(xiàn)瓶頸與影響，因此找出替代性的解決方案或改變電路等,，以因應未來資料儲存需求,，將是目前存儲產業(yè)最重要的議題,。
開發(fā)下世代存儲的三大衡量標準包括成本、元件效能,、可微縮性與密度等,，其中成本需考量存儲顆粒、模組與控制電路等總體,；元件效能則包含延遲時間,、可靠度、資料保存耐久度等,。
下世代的存儲,，目前普遍朝向改變過去儲存電荷來存取資料的方式，藉由改變儲存狀態(tài)機制解決制程上的限制,，另外,，低功耗為下世代存儲甚至元件的共通目標。
同時兼具運算,、儲存能力的下世代存儲,，如磁阻式存儲(MRAM)、電阻式存儲(RRAM),、3D XPoint技術與高潛力的自旋電子磁性存儲(STT-MRAM)等,，就成為下世代存儲技術的新寵兒。
MRAM的技術在學理上存取速度將超越DRAM達到接近SRAM,，且斷電后資料不流失,，早期由Everspin公司開發(fā)，被視為下世代存儲技術的重要的競爭者,。2017年是MRAM技術爆發(fā)的一年,，當年在日本舉辦的大型積體電路技術日本舉辦的大型積體電路技術、系統(tǒng)和應用國際研討會,，格羅方德與Everspin公司共同發(fā)布有抗熱消磁eMRAN技術，具能夠讓資料在攝氏150度下保存資料,，可長達十數(shù)年的22納米制程的制程技術,，預計2017年底、2018年投產,。
而曾經投入存儲研發(fā)生產,，但卻不敵成本高昂而退出存儲市場的臺積電，在2017年臺積電技術論壇中,，揭露已具備22納米制程嵌入式磁阻式存儲(eMRAM)的生產技術,，預定2018年試產。
RRAM其優(yōu)點是消耗電力較NAND低,，且寫入資訊速度比NAND快閃存儲快1萬倍,，主要投入研究的廠商有美光,、Sony、三星,。
臺積電也已宣布具備生產22納米eRRAM技術,。3D XPoint技術的主要廠商為英特爾與美光，采用多層線路構成的三維結構,，并采用柵狀電線電阻來表示0和1,，原理類似RRAM。
為儲存裝置的良好的替代品,，具有比NAND快閃存儲快了近1,000倍,，也可用于運算速度要求低的計算應用。
STT-MRAM是運用量子力學的電子自旋角動量的技術應用,，具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗,，并相容現(xiàn)有的CMOS制造技術與制程。
目前主要投入廠商有IBM與三星,、SK海力士和東芝,，其中IBM和三星在IEEE發(fā)布研究論文表示，已成功實現(xiàn)10奈秒的傳輸速度和超省電架構,。
盡管下世代存儲未來有望取代部分DRAM與NAND快閃存儲的市場,，甚至取代舊有技術。但是筆者認為,，隨著人工智能,、物聯(lián)網裝置與更多的資料收集與感測需求，下世代的存儲技術首先將著眼于以新應用的需求為主,，如臺積電鎖定的嵌入式存儲,，并充分發(fā)揮運算與儲存二合一的優(yōu)勢，進一步微縮大小,，達到元件更高的市場滲透率,。
但是若從廠商動態(tài)來看，22納米的eMRAM技術將于2018年年后逐漸成熟,，并開始有大量的市場應用,。