日前STMicroelectronics和CEA－Leti正在合作開發(fā)用于功率轉(zhuǎn)換的氮化硅 － 硅（GaN－on－Si）技術(shù)并試圖使其能夠?qū)崿F(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。這將使ST能夠達(dá)到其高效率,，高功率的應(yīng)用需求,，包括用于混合動力和電動汽車（HEV ／ EV）的汽車車載充電器，無線充電和服務(wù)器,。

此次合作的重點(diǎn)是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證功率GaN－on－Si二極管和晶體管架構(gòu)。研發(fā)公司IHS Markit同時預(yù)測,，從2019年到2024年，市場的復(fù)合年增長率（CAGR）將以超過20％的速度增長,。

在基于IRT Nanoelec的框架內(nèi)，由CEA－Leti領(lǐng)導(dǎo)的研發(fā)團(tuán)隊專注于利用微電子和納米電子的信息和通信技術(shù)（ICT）,，ST和Leti則正在共同開發(fā)Leti的200mm 研發(fā)生產(chǎn)線上的工藝技術(shù)，并預(yù)計能在2019年獲得通過驗證的工程樣品,。與此同時，意法半導(dǎo)體將建立一條完全滿足生產(chǎn)要求的生產(chǎn)線,，包括GaN ／ Si異質(zhì)外延生產(chǎn)線，預(yù)計在2020年于法國圖爾的ST前端晶圓廠投產(chǎn),。

此外，考慮到GaN－on－Si技術(shù)在電源應(yīng)用中的市場,，Leti和ST正在評估先進(jìn)技術(shù),，以改善高功率密度電源模塊組裝的器件封裝,。

意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部經(jīng)理Marco Monti表示,，“我們已經(jīng)認(rèn)識到寬帶隙半導(dǎo)體具有很高的價值,，ST和CEA－Leti在功率GaN－on－Si制造和封裝技術(shù)方面的助力使我們擁有業(yè)界最完整的GaN和SiC產(chǎn)品和最優(yōu)的產(chǎn)品性能,，憑借這些，我們足以批量生產(chǎn)高質(zhì)量,，可靠的產(chǎn)品?！?/p>

“利用Leti的200mm通用平臺優(yōu)勢，Leti的團(tuán)隊將會投入到支持ST戰(zhàn)略性GaN－on－Si電力電子路線圖,，并準(zhǔn)備將該技術(shù)轉(zhuǎn)移到ST在圖爾的專用GaN－on－Si生產(chǎn)線上,，”Leti首席執(zhí)行官Emmanuel Sabonnadiere說,。同時他補(bǔ)充道““這項共同開發(fā)，涉及雙方團(tuán)隊,，因此利用IRT Nanoelec框架計劃擴(kuò)大所需的專業(yè)知識,，并從設(shè)備和系統(tǒng)層面開始創(chuàng)新是十分必要的?！?/p>

今年2月，意法半導(dǎo)體還宣布與美國MACOM公司開發(fā)用于射頻應(yīng)用的GaN－on－Si,， 以滿足MACOM在各種RF應(yīng)用中的使用以及ST在非電信市場中的使用,。目前RF GaN－on－Si 更適合150mm晶圓,。并且由于它們產(chǎn)生開關(guān)損耗較低，因此GaN技術(shù)適用于更高頻率方向,。