《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 高通新芯片轉(zhuǎn)單臺積電,三星再失大客戶

高通新芯片轉(zhuǎn)單臺積電,,三星再失大客戶

2018-10-29
關(guān)鍵詞: 手機(jī)芯片 高通 臺積電

手機(jī)芯片龍頭高通(Qualcomm)新款旗艦手機(jī)芯片已完成設(shè)計(jì)定案(tape-out),,確定將採用臺積電7納米制程,供應(yīng)鏈傳出,,高通新款手機(jī)芯片已經(jīng)在第四季量產(chǎn)投片,最大的特色是整合類神網(wǎng)路運(yùn)算單元(NPU)及支援5G,可大幅提升人工智慧邊緣運(yùn)算效能,,預(yù)期包括三星,、華為、OPPO,、Vivo等非蘋陣營手機(jī)大廠均將採用,,最快明年第一季終端手機(jī)可望上市。


新一代的旗艦手機(jī)芯片


高通目前Snapdragon 8系列的手機(jī)芯片主要採用三星晶圓代工(Samsung Foundry)10納米制程投片,,雖然三星已宣布支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米制程開始量產(chǎn),,但臺積電7納米已量產(chǎn)進(jìn)入第三個季度。


也因此,,隨著蘋果及華為的自制手機(jī)芯片已導(dǎo)入臺積電7納米制程量產(chǎn),,高通基于上市時間的考量,新一代旗艦手機(jī)芯片亦採用臺積電7納米投片,。


業(yè)界人士指出,,高通最新款旗艦手機(jī)芯片將于第四季在臺積電7納米制程量產(chǎn)投片,同時將可望于明年第一季搭載終端裝置在市面上問世,,并將會是高通首款支援5G數(shù)據(jù)機(jī)芯片的行動平臺,。目前正式名稱在市場上眾說紛紜,可能將會延用上一代命名方式,,取名做Snapdragon 855或是Snapdragon 8150,。


高通本次採用臺積電7納米制程投片,芯片運(yùn)算效能將可望相較前一代提升不少,,功耗亦可明顯降低,,而最大的特色在于,高通首度將支援人工智慧運(yùn)算的NPU處理單元整合進(jìn)入手機(jī)芯片當(dāng)中,,并同支援5G數(shù)據(jù)機(jī),,使人工智慧邊緣運(yùn)算速度明顯增加。


非蘋陣營高階機(jī)種采用


事實(shí)上,,高通積極推動5G在明年商用化,,由于初期各項(xiàng)產(chǎn)業(yè)鏈在5G投資成本依舊高昂,因此高通也看準(zhǔn)這點(diǎn),,僅會在明年初期將5G芯片導(dǎo)入旗艦手機(jī)平臺,,搶攻三星、小米,、OPPO,、Vivo等安卓高階機(jī)種訂單,預(yù)料明年下半年后才會把5G最新規(guī)格逐步下放到中低階機(jī)種,,屆時將會與聯(lián)發(fā)科面對面戰(zhàn)爭,。


此外,高通推出的快充規(guī)格Quick Charge目前最新版為QC 4+,,但隨著新款手機(jī)芯片推出,,將可望推出新規(guī)格,。供應(yīng)鏈指出,高通預(yù)計(jì)將于明年推出QC 5最新快充規(guī)格,,將可望將最高輸出功率從原先的27W提升至32W,,并在充電設(shè)計(jì)上從2條電路該改為3條電路輸出,讓充電效率提升,,同時不讓溫度明顯增加,。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:[email protected],。