臺灣工研院產(chǎn)科國際所預(yù)估，未來5G高頻通訊芯片封裝可望朝向AiP技術(shù)和扇出型封裝技術(shù)發(fā)展,。法人預(yù)期臺積電,、日月光和力成等可望切入相關(guān)封裝領(lǐng)域。
展望未來5G時代無線通訊規(guī)格,，工研院產(chǎn)業(yè)科技國際策略發(fā)展所產(chǎn)業(yè)分析師楊啟鑫表示,，可能分為頻率低于1GHz、主要應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的5G IoT；以及4G演變而來的Sub-6GHz頻段,，還有5G高頻毫米波頻段。
觀察5G芯片封裝技術(shù),，楊啟鑫預(yù)期,，5G IoT和5GSub-6GHz的封裝方式，大致會維持3G和4G時代結(jié)構(gòu)模組,，也就是分為天線,、射頻前端、收發(fā)器和數(shù)據(jù)機等四個主要的系統(tǒng)級封裝（SiP）和模組,。
至于更高頻段的5G毫米波,，需要將天線、射頻前端和收發(fā)器整合成單一系統(tǒng)級封裝,。
AiP將成主流
在天線部分,，楊啟鑫指出，因為頻段越高頻,、天線越小,，預(yù)期5G時代天線將以AiP（Antenna in Package）技術(shù)與其他零件共同整合到單一封裝內(nèi)。
所謂AiP,，就是片上天線,，其實本身的原理并不十分復(fù)雜，和傳統(tǒng)的微帶天線相比,，主要區(qū)別是把介質(zhì)基板換成了芯片上面的封裝,。AiP最近兩年其實發(fā)展比較快，這和毫米波的發(fā)展是離不開的,。
簡單來理解,，AiP將天線集成到芯片中，其優(yōu)點在于可以簡化系統(tǒng)設(shè)計,，有利于小型化,、低成本。但是了解電磁場理論的朋友都知道,，諧振型天線的輻射效率與其電尺寸密切相關(guān),，天線最大增益更是受到物理口徑的嚴(yán)格限制。傳統(tǒng)的民用通信頻率多工作在10GHz以下,。以民用最廣的2.4GHz為例(Wifi,藍牙等),，其空氣中半波長約為6cm。為使天線達到可以實用的效率,，需要大大增加原有芯片封裝的長寬高,。這樣對小型化和低成本都很難有貢獻，反而是更大的副作用。
隨著無線通信的發(fā)展,，10GHz以下頻譜消耗殆盡,，民用通信終于在近幾年轉(zhuǎn)移向資源更廣闊的毫米波段。 顧名思義,，毫米波段波長在1-10mm這個量級,。片上天線的尺寸可以小于一般的芯片封裝。這就為AiP的實用帶來了新的機遇,。
以60GHz為例,，片上天線單元僅為1-2mm（考慮到封裝具有一定的介電常數(shù)），因此芯片封裝不但可以放得下一個單元,，而是可以放得下小型的收發(fā)陣列,。去年Google推出的黑科技Project Soli 就是這樣的一個片上系統(tǒng)（如下圖，四個方片狀的金屬片就是AiP）,。 該芯片及套件今年即將上市,。
另外，現(xiàn)在火熱的77GHz車載雷達,，也有供應(yīng)商提供了AiP的片上系統(tǒng),，并即將量產(chǎn)。當(dāng)然,，這樣的雷達功能也相對較弱,，但是在低成本、小型化方面卻取得了優(yōu)勢,。
Fan-out已經(jīng)火熱
除了用載板進行多芯片系統(tǒng)級封裝外,，楊啟鑫表示，扇出型封裝（Fan-out）因可整合多芯片,、且效能比以載板基礎(chǔ)的系統(tǒng)級封裝要佳,，備受市場期待。我們來看一下Fan-Out的發(fā)展,。
在2009-2010年期間,，扇出型晶圓級封裝（Fan-Out Wafer Level Packaging, FOWLP）開始商業(yè)化量產(chǎn)，初期主要由英特爾移動（Intel Mobile）推動,。但是,，扇出型晶圓級封裝被限制于一個狹窄的應(yīng)用范圍：手機基帶芯片的單芯片封裝，并于2011年達到市場極限,。2012年,，大型無線/移動Fabless廠商開始進行技術(shù)評估和導(dǎo)入，并逐步實現(xiàn)批量生產(chǎn),。
2013-2014年,，扇出型晶圓級封裝面臨來自其它封裝技術(shù)的激烈競爭,，如晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）。英特爾移動放棄了該項技術(shù),，2014年主要制造商也降低了封裝價格,，由此市場進入低增長率的過渡階段。
2016年,，TSMC在扇出型晶圓級封裝領(lǐng)域開發(fā)了集成扇出型（Integrated Fan-Out, InFO）封裝技術(shù)用于蘋果iPhone 7系列手機的A10應(yīng)用處理器,。蘋果和TSMC強強聯(lián)手，將發(fā)展多年的扇出型封裝技術(shù)帶入了量產(chǎn),，其示范作用不可小覷，扇出型封裝行業(yè)的“春天”終于到來,！
扇出型封裝技術(shù)的發(fā)展歷史
從技術(shù)特點上看,，晶圓級封裝主要分為扇入型（Fan-in）和扇出型（Fan-out）兩種。傳統(tǒng)的WLP封裝多采Fan-in型態(tài),，應(yīng)用于引腳數(shù)量較少的IC,。但伴隨IC信號輸出引腳數(shù)目增加，對焊球間距（Ball Pitch）的要求趨于嚴(yán)格,，加上印刷電路板（PCB）構(gòu)裝對于IC封裝后尺寸以及信號輸出引腳位置的調(diào)整需求,，扇出型封裝方式應(yīng)運而生。扇出型封裝采取拉線出來的方式,，可以讓多種不同裸晶,，做成像WLP工藝一般埋進去，等于減一層封裝,，假設(shè)放置多顆裸晶,，等于省了多層封裝，從而降低了封裝尺寸和成本,。各家廠商的扇出型封裝技術(shù)各有差異,，在本文以臺積電的集成扇出型晶圓級封裝（integrated fan out WLP，以下簡稱InFO）進行詳細介紹,。
臺積電在2014年宣傳InFO技術(shù)進入量產(chǎn)準(zhǔn)備時,，稱重布線層（RDL）間距（pitch）更小（如10微米）,，且封裝體厚度更薄,。
InFO給予了多個芯片集成封裝的空間，比如：8mm x 8mm平臺可用于射頻和無線芯片的封裝,，15mm x 15mm可用于應(yīng)用處理器和基帶芯片封裝,，而更大尺寸如25mm x 25mm用于圖形處理器和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的芯片封裝。
相比倒裝芯片球柵格陣列（FC-BGA）封裝,，InFO優(yōu)勢非常明顯,。對于無源器件如電感、電容等，InFO技術(shù)在塑封成型時襯底損耗更低,，電氣性能更優(yōu)秀,，外形尺寸更小，帶來的好處則是熱性能更佳,，在相同的功率分配下工作溫度更低,，或者說相同的溫度分布時InFO的電路運行速度更快。
在InFO技術(shù)中,，銅互連形成在鋁PAD上,，應(yīng)用于扇出型區(qū)域以制造出高性能的無源器件如電感和電容。與直接封裝在襯底的片式（on-chip）電感器相比,，厚銅線路的寄生電阻更小,，襯底與塑封料間的電容更小，襯底損耗更少,。以3.3nH的電感為例,，65nm的CMOS采用on-chip封裝方式其品質(zhì)因子Q為12，而InFO封裝則可達到高峰值42,。電感與塑封料越接近,，損耗因子越小，Q值越高,。當(dāng)然,，如果電感直接與塑封料接觸，性能最佳,。
從廠商來看,，法人預(yù)估臺積電和中國大陸江蘇長電科技積極布局，此外日月光和力成也深耕面板級扇出型封裝,，未來有機會導(dǎo)入5G射頻前端芯片整合封裝,。
資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所（MIC）日前表示，5G是明年通訊產(chǎn)業(yè)亮點之一,，估5G智慧手機最快明年初亮相,，2021年起顯著成長。