自2017年Apple（蘋果）公司的旗艦手機(jī)整合以來,，VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）已成為智能手機(jī)3D傳感應(yīng)用的核心元件,。不僅蘋果的競爭對手——安卓陣營智能手機(jī)廠商在大力發(fā)展基于VCSEL的創(chuàng)新應(yīng)用，來自汽車領(lǐng)域的新增長動力,，也有望進(jìn)一步推動VCSEL的大規(guī)模量產(chǎn),，VCSEL的爆炸式增長序幕才剛剛拉開。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《VCSEL技術(shù),、產(chǎn)業(yè)和市場趨勢》報(bào)告,，2017年VCSEL市場營收達(dá)到了約3.3億美元，預(yù)計(jì)未來5年的復(fù)合年增長率將高達(dá)48％以上,。
據(jù)麥姆斯咨詢介紹,，VCSEL應(yīng)用從數(shù)據(jù)通信時(shí)代向3D傳感時(shí)代的轉(zhuǎn)變，可能會對與VCSEL相關(guān)的專業(yè)制造產(chǎn)生重大影響,。在此背景下,，Yole固態(tài)照明技術(shù)與市場分析師Pierrick Boulay近期采訪了Oxford Instruments（牛津儀器公司）技術(shù)寫作負(fù)責(zé)人Stephanie Baclet，與其探討了當(dāng)前與VCSEL制造相關(guān)的挑戰(zhàn),。
Pierrick Boulay（以下簡稱PB）：您好,，請您先做一下自我介紹，您的工作職責(zé),，以及牛津儀器的主要業(yè)務(wù),？
Stephanie Baclet（以下簡稱SB）：我是Stephanie Baclet，目前負(fù)責(zé)牛津儀器公司的技術(shù)寫作,。我與光電子器件制造商緊密合作,，將它們對器件的要求,，轉(zhuǎn)化為等離子處理產(chǎn)品的納米制造要求。我曾作為高級應(yīng)用工程師專注于新產(chǎn)品的推出以及各種技術(shù)的處理開發(fā),，如LED、激光二極管和衍射光學(xué)元件等,。
牛津儀器等離子技術(shù),，是納米級特征、納米層和納米結(jié)構(gòu)可控生長應(yīng)用的蝕刻和沉積等離子工藝解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商,。這些解決方案基于等離子體,、離子束和原子層沉積和蝕刻核心技術(shù)。我們的產(chǎn)品范圍覆蓋了從用于高通量生產(chǎn)加工的批量盒式處理平臺,，到用于研發(fā)的緊湊型獨(dú)立系統(tǒng),。
牛津儀器PlasmaPro100 Polaris MMX
PB：與VCSEL制造工藝相關(guān)的主要挑戰(zhàn)有哪些？牛津儀器如何攻克,？
SB：器件的性能和特性,，始終是其設(shè)計(jì)和制造中多種元素影響的綜合結(jié)果。因此,，建立正確的工藝流程并在控制容差內(nèi)執(zhí)行每個(gè)工藝步驟,，對于高可靠制造至關(guān)重要。對于VCSEL,，我會說出光孔徑是其設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素,，因?yàn)樗苯佣x了激光器的關(guān)鍵參數(shù)，例如閾值電壓,。
目前,，出光孔徑的大小一部分由mesa diameter（臺面直徑）以及Al（鋁）含量和氧暴露決定，因此需要很好地控制每一個(gè)因素以獲得期望的孔徑,?？偟膩碚f，這3個(gè)因素正是VCSEL制造的主要挑戰(zhàn)所在,，亦即VCSEL技術(shù)要求堆疊層內(nèi)Al含量良好控制的外延結(jié)構(gòu),，臺面結(jié)構(gòu)的可靠制造，以及具有嚴(yán)密流動控制的氧化爐,。
3D傳感等應(yīng)用推動了市場對VCSEL的大規(guī)模需求,，因此行業(yè)關(guān)注VCSEL良率的最大化，以及將VCSEL制造技術(shù)推向150mm平臺,。牛津儀器提供處理VCSEL臺面以及其他幾種激光元件的解決方案,。我們已經(jīng)與VCSEL制造商合作多年，牛津儀器在設(shè)計(jì)III-V族材料等離子處理解決方案方面的專業(yè)積累,，使我們能夠在100mm和150mm晶圓平臺實(shí)現(xiàn)最高良率的制造解決方案,。
此外,，納米加工領(lǐng)域正在不斷發(fā)展。諸如原子層沉積和原子層蝕刻等技術(shù)實(shí)現(xiàn)了新的器件架構(gòu),，并使器件性能最大化,。我們一直在不斷改進(jìn)我們的解決方案組合，以最大限度地提高客戶的器件性能,。
制造過程中最具挑戰(zhàn)的工藝步驟
PB：蝕刻工藝似乎是VCSEL制造過程中的關(guān)鍵步驟之一,，你能解釋一下為什么嗎？
SB：臺面蝕刻工藝在幾個(gè)方面對VCSEL的性能至關(guān)重要,。首先是側(cè)壁的質(zhì)量,，臺面?zhèn)缺谑茄趸に囬_始的地方。必須要有一個(gè)平滑而干凈的表面,，以使孔徑均勻地形成,。由于還需要控制臺面的剖面角，而這會根據(jù)加工策略產(chǎn)生一定的粗糙度,，因此,，這是一個(gè)挑戰(zhàn)。另外,，對于標(biāo)準(zhǔn)GaAs/AlGaAs（砷化鎵/砷化鋁鎵）DBR（分布布拉格反射鏡）結(jié)構(gòu),，AlGaAs中存在的Al也會在每對層之間引入選擇性蝕刻。
蝕刻步驟的另一個(gè)關(guān)鍵是如何定義截止層,。如果不能在外延疊層內(nèi)的目標(biāo)截止層停止蝕刻,，則在形成出光孔時(shí)會導(dǎo)致不需要的層的氧化?？刂莆g刻工藝停止的位置,，不僅取決于終點(diǎn)控制技術(shù)的準(zhǔn)確性，還取決于整個(gè)晶圓上蝕刻速率的均勻性,。顯然,，所有這些因素在大晶圓尺寸下將變得更加難以控制。
PB：可以使用哪類工具來控制不同的制造工藝,？您能介紹一下嗎,？
SB：對于等離子工藝解決方案步驟，有控制工藝本身的工具,，例如自動終點(diǎn)控制技術(shù),，然后還有控制設(shè)備的工具。隨著化合物制造的日趨成熟,，硅行業(yè)使用多年的許多方法將開始出現(xiàn)在VCSEL制造領(lǐng)域,，例如 SECS/GEM（半導(dǎo)體通信協(xié)議）和工廠自動化。這些將推動良率的提高，并降低VCSEL主流應(yīng)用所需要的擁有成本,。牛津儀器等離子技術(shù)已經(jīng)在多個(gè)客戶的產(chǎn)線實(shí)施了SECS/GEM,，并為VCSEL制造的下一階段做好了充分準(zhǔn)備。
RIE反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)
PB：為什么從晶圓到晶圓保持相同的生產(chǎn)一致性如此困難,？
SB：VCSEL的一大優(yōu)勢是能夠制造陣列以擴(kuò)大功率,。然而，為了用單個(gè)電輸入驅(qū)動VCSEL陣列,，理想情況下陣列中的每個(gè)VCSEL需要具有相同的光電特性,。例如，您需要陣列中的所有VCSEL具有相同的閾值電壓,，這樣它們可以同時(shí)開啟。當(dāng)在脈沖條件下運(yùn)行時(shí),，這將變得更加重要,。因此，總體而言,，對生產(chǎn)一致性的要求非常嚴(yán)格,。目前，良率很大程度上取決于外延片的良率,。外延結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和厚度對外延片制造商來說是一個(gè)挑戰(zhàn),。DBR結(jié)構(gòu)必須非常厚才能獲得所需要的反射率，因此,，50多層的堆疊層以及整個(gè)晶圓區(qū)域的Al含量都需要精確控制,。
PB：數(shù)據(jù)通信和消費(fèi)類、汽車領(lǐng)域3D傳感應(yīng)用的VCSEL有哪些主要區(qū)別,？
SB：數(shù)據(jù)通信是VCSEL最開始的應(yīng)用,。如今，光學(xué)互連和光學(xué)HDMI（高清多媒體接口）電纜等應(yīng)用仍然極具吸引力,。對于這些應(yīng)用,，激光器波長通常為850nm多模發(fā)射，在大芯片上以mW（毫瓦）范圍的低功率運(yùn)行,。由于這類激光器是在高頻下調(diào)制的,，因此通常專為低電寄生而設(shè)計(jì)。在手勢識別等3D傳感應(yīng)用中,，激光波長通常在940nm量級,，并且通常是為更高功率運(yùn)行而設(shè)計(jì)的陣列。根據(jù)應(yīng)用的不同,，LiDAR（激光雷達(dá)）應(yīng)用的VCSEL功率約為10~50W,，手勢識別的功率約為0.5W。陣列密度和孔徑大小可根據(jù)功率要求進(jìn)行調(diào)整。
PB：您對未來五年的VCSEL應(yīng)用有何期待,？
SB：隨著良率的提高和成本的降低,，我們應(yīng)該會看到越來越多的應(yīng)用選擇VCSEL作為光源。紅外光源是物聯(lián)網(wǎng),、智能家居或手勢識別等最激動人心的應(yīng)用的核心,。這些應(yīng)用將逐漸成為我們?nèi)粘Ｉ钪械某Ｒ?guī)應(yīng)用，是VCSEL的完美應(yīng)用領(lǐng)域,。不過,，這并不是說VCSEL將成為紅外光源的唯一解決方案，VCSEL將成為那些要求緊湊尺寸,、高光束穩(wěn)定性和低功耗應(yīng)用的首選技術(shù),。