為了阻擋東方中國的崛起，最近美國頻頻出手：提升關稅,，封殺華為,，點名大疆,，從國家到企業(yè)，都成為美國制裁的對象,。中美之間的摩擦越來越大,，ó易戰(zhàn)愈演愈烈，全球經濟也蒙陰霾，整合元件制造廠(IDM)需求降溫,，委外代工訂單縮減,，功率半導體相對去年，市況明顯較冷卻,。
IDM廠需求降溫
功率產品為主的晶圓代工世界先進去年下半年雖經歷美中ó易戰(zhàn),、美元升息等變數(shù)，但全年合并營收289.28億元,、年增16.13%,，創(chuàng)歷年新高，稅后凈利61.66億元,、年增36.9%,，?股稅后盈余3.72元，獲利也創(chuàng)新高,。
今年上半年,，因整體大環(huán)境需求疲弱，客戶調整庫存比預期慢,，世界先進第一季營收69.07億元,、季減10.4%，稅后凈利13.88億元,、季減達28%,，為近4季新低，?股稅后盈余0.85元;預估第二季營收將續(xù)下滑,，季減約1.5%到7.3%，?利率將從上季的36.1%下滑,。
業(yè)界指出,，電源管理IC、MOSFET(金屬氧化物半導體場效晶體管)去年價量俱揚,，但到第四季受美中ó易戰(zhàn)影響,，需求減緩，中國客戶拉貨轉趨保守,，沖擊6吋晶圓代工廠接單陡降,，產能利用率下滑，今年擴散到國際知名的IDM廠客戶,，隨著客戶需求降溫,，委外代工訂單縮減，致使世界先進今年上半年較疲弱,。世界先進預估今年出貨量約231.7萬片8吋晶圓,，將較去年的233萬片小減0.56%。
世界先進獲利不樂觀
法人表示，隨著美中ó易戰(zhàn)升溫,，功率半導體仍消化庫存中,，下半年復蘇恐有變數(shù)，世界先進今年獲利將不如預估樂觀,，部分外資調降世界先進評等至「中立」,，目標價下修為59元。
?矽,、漢磊去年營運皆出現(xiàn)轉機,，但今年市況變差，殺價與搶單重現(xiàn),，2家公司第一季營運再度出現(xiàn)虧損,，預期今年將又是挑戰(zhàn)的一年。
延伸閱讀：2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2900億元
全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業(yè)深度分析報告》中指出,，受益于新能源汽車,、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET,、IGBT等多種產品持續(xù)缺貨和漲價,，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。
其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,，較2017年同比增長8%。
集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,，功率半導體作為需求驅動型的產業(yè),，2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球ó易不穩(wěn)定等因素影響,，但在需求驅動下,，受影響程度要小于其他IC產品。集邦咨詢預估,，2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2,907億元人民幣,，較2018年成長12.17%，維持雙λ數(shù)的成長表現(xiàn),。
受益于國產替代的政策推動和缺貨漲價的狀況,，2018年多家中國本土功率半導體廠商取得亮眼的成績，并擴大布局,。其中,，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車用IGBT市場快速崛起,，取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率,，一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應商;MOSFET廠商華微電子和揚杰科技營收大增,，并且逐漸導入IGBT市場。
另外,，新建與規(guī)劃中的IGBT產線有士蘭微廈門12寸特色工藝產線,、華潤微電子在重慶建設的12寸特色工藝產線，以及積塔半導體專業(yè)汽車級IGBT產線等,。同時,，多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術領域，基本半導體的SiC MOSFET已進入量產上市,，而定λ為代工的三安光電SiC產線也已開始接單,、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET，其目標是到2023年實現(xiàn)SiC MOSFET對硅基IGBT的全面替代,。
展望2019年,，從終端需求來看，新能源汽車仍然為中國功率半導體市場最大需求來源,，根據集邦咨詢資料顯示,，2019年中國新能源車產量預估為150萬輛，較前一年成長45%,，其ADAS系統(tǒng),、電控以及充電樁的需求將帶動功率分立器件市場規(guī)模約270億元。同時,，5G建設所需的基站設備及其普及后帶來物聯(lián)網,、云計算的快速發(fā)展，將對功率半導體產生長期大量需求,，另外,，工業(yè)自動化規(guī)劃持續(xù)推進，與之相關的電源,、控制,、驅動電·將持續(xù)推升中國功率半導體的采購。
從供應端來看,，2019年雖然有3-5條功率產線將進入量產，但根據集邦咨詢預計,，2019年前三季度功率分立器件產品缺貨情況恐難有明顯好轉,，多家廠商的產品價格預期仍將上漲。從廠商的技術發(fā)展來看,，SiC MOSFET有望進一步提高在車用領域對硅基IGBT的替代率,，硅基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展,。