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今年存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售額恐衰減三成,明年才能恢復(fù)增長(zhǎng)

2019-06-05
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 DRAM NAND

  中美ó易戰(zhàn)下,,存儲(chǔ)器市場(chǎng)波動(dòng)情形持續(xù)受關(guān)注,,研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技近日舉行“Compuforum 2019:資料經(jīng)濟(jì)大δ來(lái)”研討會(huì),資深協(xié)理吳雅婷預(yù)估,,今年整體DRAM銷售額將年減29.3%,,整體NAND Flash業(yè)績(jī)則將較去年下滑27.3%,不過(guò),,兩者均將在明年恢復(fù)正成長(zhǎng),。

  展望存儲(chǔ)器后市,吳雅婷表示,,今年無(wú)論DRAM,、NAND Flash均供過(guò)于求,導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走跌,,全年業(yè)績(jī)也將負(fù)成長(zhǎng),,預(yù)估DRAM銷售額年減29.3%、NAND Flash年減27.3%,。

  價(jià)格方面,,受服務(wù)器與智能手機(jī)需求下滑,導(dǎo)致消耗量急凍與庫(kù)存攀高,今年DRAM供過(guò)于求情形較去年擴(kuò)大,,而NAND因競(jìng)爭(zhēng)激烈,,加上從2D NAND轉(zhuǎn)向不同程度的3D NAND,造成供給λ大幅度增長(zhǎng),,雖目前跌幅稍微收斂,,但去年累積的庫(kù)存量仍高,兩者價(jià)格仍處跌勢(shì),。全年而言,,吳雅婷預(yù)估DRAM價(jià)格下滑近5成,NAND近4成,。

  不過(guò),,隨需求?續(xù)回溫與價(jià)格變化帶出庫(kù)存回補(bǔ)動(dòng)能,集邦預(yù)期存儲(chǔ)器價(jià)格在2020年止跌反彈,。

  技術(shù)發(fā)展方面,,吳雅婷指出,現(xiàn)有存儲(chǔ)器面臨制程持續(xù)微縮的物理極限,,目前英特爾,、三星與美光等存儲(chǔ)器大廠均投入開發(fā)下一代解決方案,如MRAM,、PRAM和RRAM等,。如英特爾的服務(wù)器產(chǎn)品Optane,以3DxPoint為設(shè)計(jì)基礎(chǔ),,并具有與市面上服務(wù)器模塊完全兼容的DIMM,,對(duì)主板設(shè)計(jì)廠而言,同樣的插槽可依成本考慮,,自由更換服務(wù)器存儲(chǔ)器模塊或Optane解決方案,。

  不過(guò),下一代存儲(chǔ)器尚δ規(guī)?;c標(biāo)準(zhǔn)化,,成本仍較高,吳雅婷認(rèn)為,,下一代存儲(chǔ)器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)缺,,下一代能否放量的關(guān)鍵仍是價(jià)格。目前DRAM,、NAND非常便宜,,下一代較?有發(fā)展空間,預(yù)期2020年DRAM跟NAND價(jià)格恢復(fù),,次世代才有機(jī)會(huì)放量,。她還強(qiáng)調(diào),不認(rèn)為下一代存儲(chǔ)器會(huì)取代現(xiàn)有解決方案,而是在部分終端產(chǎn)品市場(chǎng)與DRAM和NAND共存,。


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