根據(jù)微波雜志報道,，日前,，Yolo Developpement發(fā)布研究報告指出，預計到2024年整個GaN射頻市場將達到20億美元，這主要得益于兩個主要應用：電信基礎設施和國防。Yole 技術與市場分析師Antoine Bonnabel表示，過去十年全球電信基礎設施投資保持穩(wěn)定,，近期隨著中國政府的積極而增加。在這個穩(wěn)定的市場中,，包括6GHz頻率等應用,，為GaN RF提供了額外的增長動力。

　　目前的GaN市場

　　自20年前首款商用產(chǎn)品以來,，GaN已成為RF功率應用中LDMOS和GaAs的重要競爭對手,，以更低的成本不斷提高性能和可靠性。第一個GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時出現(xiàn),，但GaN-on-SiC在技術上已經(jīng)變得更加成熟,。

　　GaN-on-SiC目前主導GaN射頻市場，已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,，預計將部署在5G sub-6 GHz實施的RRH架構中,。與此同時，在經(jīng)濟高效的LDMOS技術方面也取得了顯著進展,，這可能會對5G sub-6GHz有源天線和大規(guī)模MIMO部署中的GaN解決方案提出挑戰(zhàn),。

　　GaN-on-Si是一種潛在的挑戰(zhàn)者，可能在8英寸晶圓上擴展生產(chǎn),，并為商業(yè)市場提供具有成本效益的解決方案,。然而，截至2019年,，GaN-on-Si仍處于小批量生產(chǎn)階段 - 預計將挑戰(zhàn)BTS和RF能源市場中現(xiàn)有的LDMOS解決方案,。

　　GaN-on-Si公司的另一個目標是大批量消費者5G手機PA市場，如果成功,，它可以在未來幾年開辟新的市場機會,。隨著GaN-on-Si產(chǎn)品的最終升級,，市場上可以實現(xiàn)GaN-on-SiC和GaN-on-Si的共存,。最后但并非最不重要的是，創(chuàng)新的GaN-on-Diamond技術正在進入競爭對手,，與GaN競爭對手相比,，承諾具有更高的功率輸出密度和更小的占位面積。該技術針對性能驅(qū)動的應用,，例如高功率BTS,，軍事和衛(wèi)星通信。

　　供應鏈的現(xiàn)狀

　　作為一項成熟的技術，GaN-on-SiC擁有完善的供應鏈,，擁有眾多公司和不同的集成度,。在RF組件級別，頂級市場參與者是：

　　?住友電工設備創(chuàng)新（SEDI）,，Cree / Wolfspeed和Qorvo

　　?RFHIC自2017年以來大幅增加收入

　　?領先的化合物半導體代工廠穩(wěn)懋現(xiàn)在正在積極提供GaN RF產(chǎn)品

　　在GaN-on-Si RF行業(yè),，意法半導體是與MACOM合作的主要參與者，目標是全球5G基站應用,，擴展150 mm GaN-on-Si的生產(chǎn)能力,，并進一步擴展至200 mm。此外,，ST還宣布了對GaN-on-Si手機的興趣,，這可能為GaN RF業(yè)務帶來激動人心的新市場機遇。

　　在軍事市場中,，各個國家和地區(qū)都在單獨加強其GaN RF生態(tài)系統(tǒng),。 GaN的采用受到Raytheon，Northrop Grumman,，洛克希德馬丁公司等強勢參與者的推動,，并通過UMS，空中客車,，薩博以及中國領先的垂直整合公司中國電子科技集團公司（CETC）在全球市場得到推動,。

　　但是，在電信市場,，情況有所不同,。 戰(zhàn)略合作伙伴關系和/或兼并和收購屢屢發(fā)生，市場領導者SEDI和II-VI建立了垂直整合的6英寸GaN-on-SiC晶圓平臺,，以滿足5G內(nèi)不斷增長的需求,。與此同時，Cree收購了英飛凌的射頻功率業(yè)務,，包括LDMOS和GaN-on-SiC技術的封裝和測試,。