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NAND Flash 市場遇變,,下跌趨勢難反轉(zhuǎn)

2019-07-16
關(guān)鍵詞: NandFlash 閃存

  近期,價格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場,突然遇到了產(chǎn)業(yè)變動,。7月初,,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,自7月4日起,,包括“氟聚酰亞胺”,、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。

  其中,,光刻膠與NAND Flash等存儲芯片的生產(chǎn)制造相關(guān),。有手機(jī)從業(yè)者曾告訴記者,存儲已經(jīng)超過屏幕,、CPU,,成為手機(jī)最大的成本,存儲在手機(jī)中的成本達(dá)到25%-35%,,可見其重要性,。

  另一方面,6月底,,東芝的NAND Flash的工廠突然斷電13分鐘,,至今還未恢復(fù)正常運(yùn)營。這些因素都對接下來NAND Flash的產(chǎn)能以及價格造成影響,,因此也有傳聞稱接下來NAND Flash會漲價。

  但是在業(yè)內(nèi)看來,,雖然降幅可能收窄,,價格下跌的趨勢卻很難改變。集邦咨詢(TrendForce)研究協(xié)理陳玠瑋告訴記者:“預(yù)估NAND ASP 2019年將會下跌40%,?!?/p>

  閃存市場的兩起突發(fā)

  具體來看,一方面日本對出口韓國的半導(dǎo)體管制變得嚴(yán)厲,,自7月4日起,,韓國的最惠國待遇就被取消了,對于氟聚酰亞胺等三種半導(dǎo)體材料的出口限制上,,從原先的免申請出口許可,,改為逐案審核,相關(guān)審查流程最長將達(dá)90個工作日,。

  據(jù)了解,,光刻技術(shù)是芯片制造中重要的工藝,而光刻膠則是光刻技術(shù)實現(xiàn)的關(guān)鍵材料,,是涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑,,占芯片制造成本約為7%。在光刻膠這一上游領(lǐng)域,日本企業(yè)占據(jù)壟斷地位,。

  在NAND Flash市場上,,主要玩家有三星、東芝,、西部數(shù)據(jù),、美光、SK 海力士,、英特爾,,其中三星陣營和東芝陣營占據(jù)了半壁江山。而日本的斷供,,也將影響韓國三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造,,導(dǎo)致減產(chǎn)。

  為了應(yīng)對這一局面,,業(yè)內(nèi)也傳出消息稱,,海力士正在和Intel談判,或收購大連工廠及3D NAND業(yè)務(wù),,從而補(bǔ)充產(chǎn)能,。此外,韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部提出了“復(fù)興戰(zhàn)略”,,加強(qiáng)韓國國內(nèi)的供應(yīng)鏈,,預(yù)計從2021年起,將對半導(dǎo)體材料,、零組件,、設(shè)備研發(fā)投入6兆韓元(約51億美元)的預(yù)算。

  另一方面,,東芝在6月遭遇斷電事故,,5個工廠未能幸免,至今還未完全恢復(fù),,這也影響了NAND Flash的產(chǎn)能,。而受傷的廠區(qū)也包括東芝和西部數(shù)據(jù)的合資廠,西部數(shù)據(jù)公開表示,,約6ExaByte (EB)的產(chǎn)能受到影響,。

  陳玠瑋向記者表示:“對東芝NAND Flash產(chǎn)能影響至少達(dá)30%,但預(yù)計七月中旬就會恢復(fù)生產(chǎn),?!?/p>

  除了以上的突發(fā)事故,另一巨頭美光的營收和產(chǎn)能也不理想,。受到供大于求的環(huán)境背景,、以及貿(mào)易摩擦的影響,,美光2019財年Q3季度中,NAND營收大約占總營收的31%,,營收環(huán)比下降18%,,同比下降25%。為了進(jìn)一步改善市場供需,,美光決定將NAND Flash產(chǎn)出減少比例從原來的5%提高到了10%,,還將削減2020年資本支出。

  那么,,面對今年NAND Flash產(chǎn)能減少的情況,,三季度開始產(chǎn)品價格會上漲嗎?

  下跌趨勢難反轉(zhuǎn)

  有觀點認(rèn)為,以上這兩個事件會對NAND Flash價格產(chǎn)生影響,,甚至預(yù)計NAND Flash將漲價10%到15%,。但是陳玠瑋告訴記者:“七月通路Wafer(晶圓)價格報價預(yù)計上漲至少10%,但成交價格可能不會上漲這么多,,集邦咨詢預(yù)估NAND ASP 2019年將會下跌40%,。”

  另一方面,,中國國內(nèi)長江存儲也在擴(kuò)張產(chǎn)能,,據(jù)悉,長江存儲有望在2019年底前在武漢存儲基地大規(guī)模生產(chǎn)64層3DNAND,,長江存儲正在武漢建設(shè)一座240億美元的半導(dǎo)體工廠,。雖然與國際大廠相比,長江存儲的64層3D NAND仍落后,,產(chǎn)能不算大,,但是差距在迅速縮小,也將對NAND Flash市場的價格產(chǎn)生沖擊,。

  在2017年時,由于閃存等存儲芯片價格持續(xù)上漲,,一度引發(fā)了包括手機(jī),、固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品的陸續(xù)漲價,。直到2018年,,供需關(guān)系發(fā)生變化,閃存價格一直下跌,,2019年跌勢繼續(xù),。


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