半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一階段是以硅 (Si),、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料；第二階段是以砷化鎵 (GaAs),、磷化銦 (InP) 等化合物為代表,；第三階段是以氮化鎵 (GaN),、碳化硅 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬帶半導(dǎo)體原料為主,。
第三代半導(dǎo)體原料具有較大的帶寬寬度,，較高的擊穿電壓 (breakdown voltage)，耐壓與耐高溫性能良好,，因此更適用于制造高頻,、高溫、大功率的射頻組件,。
從第二代半導(dǎo)體原料開始出現(xiàn)化合物,，這些化合物憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域中取得廣泛應(yīng)用。
如 GaAs 在高功率傳輸領(lǐng)域具有優(yōu)異的物理性能優(yōu)勢(shì),，廣泛應(yīng)用于手機(jī),、無線局域網(wǎng)絡(luò)、光纖通訊,、衛(wèi)星通訊,、衛(wèi)星定位等領(lǐng)域。
GaN 則具有低導(dǎo)通損耗,、高電流密度等優(yōu)勢(shì),，可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載?？蓱?yīng)用于變頻器,、穩(wěn)壓器、變壓器,、無線充電等領(lǐng)域,。
SiC 因其在高溫、高壓,、高頻等條件下的優(yōu)異性能,，在交流 - 直流轉(zhuǎn)換器等電源轉(zhuǎn)換裝置中得以大量應(yīng)用,。
明日之星 -GaN
GaN 是未來最具增長潛力的化合物半導(dǎo)體，與 GaAs 和 InP 等高頻工藝相比,，GaN 制成組件輸出的功率更大,；與 LDMOS 和 SiC 等功率工藝相比，GaN 的頻率特性更好,。
大多數(shù) Sub 6GHz 的蜂窩網(wǎng)絡(luò)都將采用 GaN 組件,，因?yàn)?LDMOS 無法承受如此高的頻率，而 GaAs 對(duì)于高功率應(yīng)用又非理想之選,。
此外,，因?yàn)檩^高的頻率會(huì)降低每個(gè)基地臺(tái)的覆蓋范圍，所以需要安裝更多的晶體管,，進(jìn)而帶動(dòng) GaN 市場規(guī)模將迅速擴(kuò)大,。
GaN 組件產(chǎn)值目前占整個(gè)市場 20% 左右，Yole 預(yù)估到 2025 年比重將提升至 50% 以上,。
?。〝?shù)據(jù)源：yole；圖：西南證券）不同材料的市場比重分布
GaN HEMT 已經(jīng)成為未來大型基地臺(tái)功率放大器的候選技術(shù),。目前預(yù)估全球每年新建約 150 萬座基地臺(tái),，未來 5G 網(wǎng)絡(luò)還將補(bǔ)充覆蓋區(qū)域更小、分布更加密集的微型基地臺(tái),，這將刺激 GaN 組件的需求,。
此外，國防市場在過去幾十年里一直是 GaN 開發(fā)的主要驅(qū)動(dòng)力,，目前已用于新一代空中和地面雷達(dá)。
?。〝?shù)據(jù)源：Qorvo,；圖：西南證券）
手機(jī)中基石 -GaAs
GaAs 作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一，是智能手機(jī)零組件中,，功率放大器 (PA) 的基石,。
根據(jù) StrategyAnalytics 數(shù)據(jù)顯示， 2018 年全球 GaAs 組件市場（含 IDM 廠組件產(chǎn)值）總產(chǎn)值約為 88.7 億美元,，創(chuàng)歷史新高,，且市場集中度高，其中 Qorvo 的市場份額占比為26%,。
由于 GaAs 具有載波聚合和多輸入多輸出技術(shù)所需的高功率和高線性度,，GaAs 仍將是 6 GHz 以下頻段的主流技術(shù)。除此之外,，GaAs 在汽車電子,、軍事領(lǐng)域方面也有一定的應(yīng)用,。
總結(jié)上述這些 III-V 族化合物半導(dǎo)體組件具有優(yōu)異的高頻特性，長期以來被視為太空科技中無線領(lǐng)域應(yīng)用首選,。
隨著商業(yè)上寬帶無線通信及光通訊的爆炸性需求,，化合物半導(dǎo)體制程技術(shù)更廣泛的被應(yīng)用在高頻、高功率,、低噪聲的無線產(chǎn)品及光電組件中,。同時(shí)也從掌上型無線通信，擴(kuò)散至物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)下的 5G 基礎(chǔ)建設(shè)和光通訊的技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域,。作為資深的射頻專家,，Qorvo在這個(gè)領(lǐng)域有深入的研究。
Qorvo 手機(jī)事業(yè)部高級(jí)銷售經(jīng)理 David Zhao 之前在接受媒體采訪時(shí)指出,，5G 對(duì) PA 線性度要求更高,，所以耐壓高的 GaAs 工藝更受青睞。砷化鎵Die 倒裝技術(shù),，已經(jīng)被 QRVO 普遍采用,。相比于傳統(tǒng)的砷化鎵 wire bonding 封裝，倒裝工藝讓模塊 厚度更薄,，一致性更好,。通過配合 SOI、CMOS 和 SAW/BAW 的倒裝工藝,，尺寸更小,，功能更 多的SiP射頻模組成為可能。