隨著先進(jìn)半導(dǎo)體制程的尺寸不斷微縮,，相關(guān)設(shè)備的價(jià)格也變得越來越高昂,，各大晶圓廠紛紛加碼資本支出。

臺積電,、英特爾和三星為打造體積更小,、效能更強(qiáng)的處理器，紛紛導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù),，相關(guān)設(shè)備極其昂貴,，3 家大廠資本支出直線攀升，ASML 等設(shè)備廠則成為受益者,。

華爾街日報(bào)報(bào)導(dǎo),，晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限,，需要 EUV 微影技術(shù)當(dāng)幫手。與常用光源相比,，采用 EUV 的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮,，但先進(jìn)晶圓廠建造成本也跟著水漲船高，臺積電兩年前宣布的新廠建造費(fèi)用達(dá) 200 億美元,。

關(guān)鍵在于 EUV 光刻設(shè)備價(jià)格高昂,。ASML 公布，第 3 季光售出 7 套 EUV 系統(tǒng)就進(jìn)帳 7．43 億歐元,，等于每套系統(tǒng)要價(jià)超過 1 億歐元（約新臺幣 33．68 億元）,。這還不含半導(dǎo)體制程控管與測試設(shè)備成本。

臺積電深耕晶圓代工先進(jìn)制程,，10 月表示強(qiáng)效版 7nm 制程導(dǎo)入 EUV 技術(shù),，今年第 2 季開始量產(chǎn)，良率已相當(dāng)接近 7nm 制程,；6nm 制程預(yù)計(jì)明年第 1 季試產(chǎn),，并于明年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

與此同時,，晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢,。

臺積電 10 月宣布今年資本支出達(dá) 140 億至 150 億美元，高于原先設(shè)定目標(biāo)近 40％,。英特爾（Intel）隨后宣布加碼 3％，今年資本支出目標(biāo)達(dá) 160 億美元,，創(chuàng)公司成立以來新高,，比兩年前高出 36％。三星（Samsung）上周宣布,，今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約 200 億美元,。

三星公布的金額略少于去年，但業(yè)界分析師預(yù)期,，三星今年大幅減少投資存儲器生產(chǎn),，以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在 EUV 技術(shù)帶動下,，半導(dǎo)體設(shè)備廠獲益良多,。ASML 第 3 季接獲 23 套 EUV 系統(tǒng)訂單，創(chuàng)單季訂單金額新高,；半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊（KLA－Tencor）上周公布,，會計(jì)年度第 1 季營收年增率達(dá) 29 ％，并表示 EUV 投資是業(yè)績成長主要動能,。

今年以來,，ASML 與科磊股價(jià)漲幅分別達(dá) 76％,、94％。報(bào)導(dǎo)指出,，明年 EUV 需求預(yù)料更加旺盛,，半導(dǎo)體設(shè)備廠前景一片光明。