電動(dòng),、混動(dòng)汽車(chē)可通過(guò)直流充電樁或普通的交流電源插座對(duì)其高壓電池子系統(tǒng)進(jìn)行充電,，車(chē)載充電器(OBC)是交流充電的核心系統(tǒng)。安森美半導(dǎo)體作為汽車(chē)功能電子化的領(lǐng)袖之一,，為電動(dòng)汽車(chē) OBC 和直流充電樁提供碳化硅(SiC) MOSFET,、超級(jí)結(jié) MOSFET、IGBT 和汽車(chē)功率模塊(APM)等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案,，以專知和經(jīng)驗(yàn)支持設(shè)計(jì)人員優(yōu)化性能,，加快開(kāi)發(fā)周期。本文將主要介紹針對(duì)主流功率等級(jí)的高能效 OBC 方案,。
典型的 OBC 系統(tǒng)架構(gòu)和功率等級(jí)
1 個(gè)典型的 OBC 由多個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)組成,，包括功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器,、次級(jí)整流,、輔助電源、控制及驅(qū)動(dòng)電路,。
圖 1：典型的 OBC 系統(tǒng)架構(gòu)
OBC 具有多種功率等級(jí),，功率等級(jí)越高，充電時(shí)間就越短,。車(chē)廠必須根據(jù)整車(chē)要求定義適當(dāng)?shù)?OBC 功率等級(jí),。這些 OBC 需要大功率的交流電源，根據(jù) OBC 的設(shè)計(jì),，由單相或三相電源供電,。最流行的 OBC 功率等級(jí)是 3.3kW,、6.6kW、11kW 和 22kW,；每一個(gè)對(duì)應(yīng)于不同的常見(jiàn)交流功率等級(jí),，如表 1 所示。安森美半導(dǎo)體可提供單相 3.3 kW,、6.6 kW 和三相 11 kW OBC 方案,。
三相 11 kW 車(chē)載充電器平臺(tái) SEC-3PH-11-OBC-EVB
SEC-3PH-11-OBC-EVB 是安森美半導(dǎo)體新推出的三相 11 kW PFC-LLC OBC 平臺(tái)，采用符合 AEC-Q101 的 SiC 功率器件和驅(qū)動(dòng)器,，包括 1200 V,、80mΩ NVHL080N120SC1 高性能 SiC MOSFET、6 A SiC MOSFET 門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 NCV51705 和 650 V,、30 A SiC 二極管 FFSB3065B-F085,，系統(tǒng)能效超過(guò) 95%。該套件采用模塊化方法,，配備用戶友好的圖形用戶接口(GUI),，從而簡(jiǎn)化和加快評(píng)估。LLC 系統(tǒng)由嵌入式軟件以電壓或電流控制模式驅(qū)動(dòng),。該平臺(tái)展示 SiC 器件用于 OBC 可提供的高能效,、高功率密度、小占位優(yōu)勢(shì),，也可作為開(kāi)發(fā) 3 相 PFC-LLC 拓?fù)湎到y(tǒng)的學(xué)習(xí)環(huán)境,。該套件的關(guān)鍵參數(shù)為：輸入電壓 195 至 265 Vac，直流總線電壓最大值 735 Vdc,，輸出電壓 200 至 450 Vdc,，輸出電流 0 至 40 A，最高頻率 fs 400 kHz,。
圖 2：安森美半導(dǎo)體的三相 11 kW OBC 套件
6.6 kW OBC 參考設(shè)計(jì)
該 6.6 kW OBC 參考設(shè)計(jì)采用三通道交錯(cuò)式 PFC-LLC 以獲得高能效和高功率密度,，并減少電流紋波，總線電壓可根據(jù)輸出電壓調(diào)節(jié)以優(yōu)化能效,。輸入電壓 90 至 264 Vac,，輸出電流 0 至 16 A，典型能效 94%,。關(guān)鍵器件包括超級(jí)結(jié) MOSFET NVHL040N65S3F,、NTPF082N65S3F，650 V,、30 A SiC 二極管 FFSP3065A,、PFC 控制器 FAN9673,、LLC 控制器 FAN7688 等,。
高能效的 IGBT 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電的重要趨勢(shì)：雙向充電
在電動(dòng)汽車(chē)電池和建筑物或電網(wǎng)之間進(jìn)行雙向充電(V2X)將成為電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電的重要趨勢(shì),。雙向充電應(yīng)考慮充放電能效，以確保轉(zhuǎn)換時(shí)不浪費(fèi)能量,，需要圖騰柱無(wú)橋 PFC,，此時(shí)，反向恢復(fù)性能至關(guān)重要,。集成外部 SiC 二極管的 IGBT 比 MOSFET 方案提供更高能效,，因?yàn)闆](méi)有相關(guān)的正向或反向恢復(fù)損耗。如圖 3 是雙向充電的電路圖,，對(duì)于 K3 和 K4,，需要快速開(kāi)關(guān)、低飽和壓降 Vcesat,、低正向電壓 Vf 的器件,。安森美半導(dǎo)體提供寬廣的符合 AEC 車(chē)規(guī)的 IGBT 系列，包括 650 V/750 V/ 950 V 第 4 代溝槽場(chǎng)截止 IGBT 和 1200 V 超高速溝槽場(chǎng)截止 IGBT,，具備更低的損耗和更高的功率密度,，以及集成 SiC 二極管的混合 IGBT 方案 AFGHL50T65SQDC。
圖 3：雙向充電電路圖
SiC 方案降低損耗
SiC 比硅方案降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,，提供新的性能水平,。安森美半導(dǎo)體投入寬禁帶的開(kāi)發(fā)近 10 年，是少數(shù)同時(shí)具備硅,、SiC 和氮化鎵(GaN)技術(shù)的供應(yīng)商,，針對(duì)車(chē)載充電應(yīng)用，提供汽車(chē)級(jí) 650 V SiC 二極管(涵蓋 6 A 到 50 A),、1200 V SiC 二極管(涵蓋 10 A 到 40 A),、1200 V SiC MOSFET (涵蓋 20 到 80mΩ)。這些 SiC 二極管最高結(jié)溫 175℃,，具有高浪涌電流能力,，正溫系數(shù)，易于并聯(lián),，無(wú)反向恢復(fù)損耗,，符合 AEC-Q101 和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)。這些 SiC MOSFET 最高結(jié)溫 175℃,，提供高速開(kāi)關(guān)和低電容,，100%經(jīng)無(wú)鉗位感性負(fù)載(UIL)測(cè)試，符合 AEC-Q101 和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP),。
超級(jí)結(jié) MOSFET：比平面硅方案性能更好,，比 SiC 方案更具成本優(yōu)勢(shì)
安森美半導(dǎo)體具備 10 年汽車(chē)超級(jí)結(jié) MOSFET 經(jīng)驗(yàn)，最新的第三代超級(jí)結(jié) MOSFET 提供領(lǐng)先行業(yè)的能效和性能,，現(xiàn)有的超級(jí)結(jié) MOSFET 分立器件可提供 KGD 裸芯,，并于 2018 年推出 APM 模塊,。
超級(jí)結(jié) MOSFET 有快速版本(FAST Version)、易驅(qū)動(dòng)版本(Easy Drive Version)和快恢復(fù)版本(FRFET Version),?？焖侔姹局饕槍?duì)工業(yè)級(jí)應(yīng)用。易驅(qū)動(dòng)版本由于內(nèi)置門(mén)極電阻 Rg 和優(yōu)化電容,，降低電壓尖峰和電磁干擾(EMI),。快恢復(fù)版本具有同類(lèi)最佳的體二極管,。
APM 模塊
APM 模塊可用于 OBC 的 PFC,、LLC 轉(zhuǎn)換、整流等各個(gè)功率級(jí),，減少器件數(shù),，縮減尺寸和重量，提高功率密度,，并降低總系統(tǒng)成本,。如安森美半導(dǎo)體 2018 年推出的 APM16，高度集成的緊湊設(shè)計(jì),，具備集成所有硅和 SiC 技術(shù),、全橋或半橋拓?fù)涞撵`活性，熱阻抗低,，符合 AQG324,、IEC60664-1、IEC60950-1 等標(biāo)準(zhǔn),。
門(mén)極驅(qū)動(dòng)
安森美半導(dǎo)體提供大驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)器提升系統(tǒng)能效,，隔離技術(shù)安全、可靠,、經(jīng)認(rèn)證,，不產(chǎn)生 EMI 也不受系統(tǒng)產(chǎn)生的 EMI 影響，強(qiáng)固的共模瞬態(tài)抑制可抵抗高壓和大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中出現(xiàn)的系統(tǒng)電壓瞬變,。如 16 引腳隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 NCV57000 大電流單通道 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,，內(nèi)置伽伐尼安全隔離設(shè)計(jì)，在要求高可靠性的電源應(yīng)用中提供高能效工作,，具有米勒平臺(tái)電壓下的大電流,，伽伐尼隔離額定值大于 5 kVrms，滿足 UL 1577 的要求,，工作電壓高于 1200 V,，其它特性包括軟關(guān)斷以抑制尖峰電壓、可編程延遲去飽和（DESAT）保護(hù)，傳輸延遲典型值 66 ns,、短路時(shí) IGBT 門(mén)極鉗位等,。
總結(jié)
車(chē)載充電市場(chǎng)隨著電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)動(dòng)力總成需求的增長(zhǎng)而增長(zhǎng)。安森美半導(dǎo)體除了提供廣泛的超級(jí)結(jié) MOSFET,、IGBT、門(mén)極驅(qū)動(dòng),，還針對(duì) V2X 等趨勢(shì)和功率等級(jí)及占位面積等挑戰(zhàn)推出集成 SiC 的混合 IGBT,、SiC MOSFET、APM 模塊,，應(yīng)用于車(chē)載充電的 PFC,、DC-DC、整流,、輔助電源,、驅(qū)動(dòng)等各個(gè)功率級(jí)，提高能效,、性能,、功率密度，減小損耗和占位空間,，同時(shí)積極擴(kuò)展現(xiàn)有產(chǎn)品陣容,，推出用于 3.3kW、6.6kW,、11kW 等主流功率等級(jí)的 OBC 開(kāi)發(fā)套件,，幫助加快設(shè)計(jì)和評(píng)估，其最新推出的三相 11 kW 車(chē)載充電器平臺(tái) SEC-3PH-11-OBC-EVB 采用 SiC 技術(shù),，能效水平超過(guò) 95%,，功率密度高，可執(zhí)行的數(shù)字控制和可用的 GUI 確保無(wú)憂的啟動(dòng)和用戶友好的體驗(yàn),，還可作為開(kāi)發(fā) 3 相 PFC-LLC 拓?fù)湎到y(tǒng)的學(xué)習(xí)環(huán)境,。