華為的一舉一動(dòng)總是備受矚目,，因?yàn)檫@或許預(yù)示一個(gè)重要機(jī)遇或風(fēng)口即將來(lái)臨,。最新消息顯示,，華為正開(kāi)始研發(fā)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）,，目前正在從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IBGT廠商中挖人,。

　　據(jù)悉,，目前,，全球IGBT市場(chǎng)主要由國(guó)際巨頭壟斷,，我國(guó)作為最大的IGBT市場(chǎng)長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)到2022年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)60億美元,。值得一提的是,，工信部10月8日也表示，將持續(xù)推進(jìn)芯片,、IGBT模塊等產(chǎn)業(yè)發(fā)展,，另外11月21日，國(guó)內(nèi)IGBT龍頭斯達(dá)股份IPO剛獲證監(jiān)會(huì)通過(guò),，將于上交所上市,。

　　60億美元市場(chǎng)待啟

　　IGBT是電力領(lǐng)域的核心器件，相當(dāng)于電力電子領(lǐng)域的CPU,，其應(yīng)用廣泛,，按不同電壓等級(jí)，高壓IGBT應(yīng)用于電網(wǎng),、軌交、風(fēng)電,，中壓應(yīng)用于工控,、新能源汽車、光伏,、家電,，低壓應(yīng)用于汽車零部件,、3C等諸多領(lǐng)域。同時(shí),，IGBT作為一種新型電力電子器件,，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件,，既屬于戰(zhàn)略高新技術(shù)又屬于核心關(guān)鍵技術(shù),。

　　天風(fēng)證券研報(bào)顯示，2022年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到60億美元,。全球IGBT市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者包括英飛凌,、三菱電機(jī)、富士電機(jī),、安森美,，以及ABB等企業(yè)，前五大企業(yè)的市場(chǎng)份額就已經(jīng)超過(guò)了70%,，前十大IGBT企業(yè)中,，僅有一家中國(guó)企業(yè)，即嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱斯達(dá)股份）,，市場(chǎng)占有率2%,。

　　另一方面，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上,，是全球最大的IGBT市場(chǎng),，這意味著我國(guó)IGBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，而在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口,，IGBT國(guó)產(chǎn)化需求已是刻不容緩,。因此，中國(guó)IGBT企業(yè)將迎來(lái)快速發(fā)展及進(jìn)口替代的良好機(jī)遇,。

　　日前,，有華為內(nèi)部人士透露，華為正開(kāi)始研發(fā)IGBT,，目前正在從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IBGT廠商中挖人,。在此之前，華為早已成為UPS電源的領(lǐng)軍企業(yè),，占據(jù)全球數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域第一的市場(chǎng)份額,，而IGBT作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷彩侨A為UPS電源的核心器件,。另外,，華為被被卷入中美貿(mào)易戰(zhàn)之前，華為所需的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購(gòu)，華為被列入實(shí)體清單后,，有消息稱英飛凌在美國(guó)政府的施壓下曾暫停供貨,，盡管英飛凌很快澄清了該傳聞，但這件事顯然給了華為一個(gè)重要警醒,。

　　天眼查信息顯示,，華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%,。據(jù)悉,，山東天岳是我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料,，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍,；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍，特別適于制造耐高溫,、耐高壓,，耐大電流的高頻大功率的器件。

　　在此之前,，任正非也曾說(shuō)過(guò),，華為不做股權(quán)投資，如果投資一定是戰(zhàn)略投資,。不難看出,，華為正在對(duì)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略投入，在其強(qiáng)有力的資金支持和技術(shù)優(yōu)勢(shì)下,，華為在IGBT領(lǐng)域定能有所突破,。

　　不過(guò)，針對(duì)上述華為正在布局IGBT的消息,，華為方面11月29日向證券時(shí)報(bào)·e公司記者表示,，“這個(gè)暫無(wú)回應(yīng)，如有進(jìn)一步消息后續(xù)提供”,。

　　這些上市公司已涉足

　　值得一的是,，10月8日，工信部網(wǎng)站發(fā)文稱,，將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料,、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,。工信部表示,，為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片,、器件,、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問(wèn)題，工信部等相關(guān)部門積極支持前述幾大領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),。一是2017年工信部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計(jì)劃”,，針對(duì)新能源汽車、智能電網(wǎng),、軌道交通三大領(lǐng)域,，重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造,、模塊生產(chǎn)及IDM,、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié),，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,。二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源,，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料,、芯片、器件,、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù),。三是指導(dǎo)中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國(guó)IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國(guó)IGBT行業(yè)技術(shù)升級(jí),，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,。

　　另外，10月17日,，國(guó)電南瑞發(fā)布公告,，擬與國(guó)網(wǎng)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限公司，國(guó)電南瑞以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”部分募資5.59億元出資,，占比69.8%,。

　　國(guó)電南端表示，IGBT是國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件,，技術(shù)難度大,、研發(fā)及產(chǎn)線建設(shè)周期長(zhǎng)、資金投入大,核心技術(shù)一直被國(guó)外企業(yè)壟斷,，目前國(guó)內(nèi)高端人才缺乏,，國(guó)內(nèi)僅有少量廠商開(kāi)展高壓IGBT研制業(yè)務(wù)。

　　此外,，證券時(shí)報(bào)·e公司梳理發(fā)現(xiàn),，目前上市公司中，比亞迪,、臺(tái)基股份,、士蘭微、中車時(shí)代電氣、揚(yáng)杰科技,、同方股份,、中芯國(guó)際等公司均有涉足IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。其中比亞迪已成為中國(guó)銷售額前三的IGBT供應(yīng)商,，累計(jì)申請(qǐng)IGBT相關(guān)專利約180件,，其中授權(quán)專利約114件。