全球第二大NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)廠商鎧俠(Kioxia,,舊稱東芝記憶體)采用3D 架構(gòu)的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代產(chǎn)品現(xiàn)身,,堆疊112 層、記憶容量將較現(xiàn)行96 層產(chǎn)品提高2 成,。
鎧俠1月31日宣布,,已研發(fā)出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代產(chǎn)品,采用堆疊112層制程技術(shù),,且已完成試作,、確認(rèn)基本動(dòng)作。
該款堆疊112 層的3D NAND 試作品為512Gb(64GB),,采用3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品,,預(yù)計(jì)將在2020 年第一季進(jìn)行樣品出貨,除將用來(lái)?yè)尮バ枨蟪掷m(xù)擴(kuò)大的資料中心用SSD,、商用SSD,、PC 用SSD 及智能手機(jī)等市場(chǎng)外,也將用來(lái)?yè)尮?G,、人工智能(AI),、自動(dòng)駕駛等新市場(chǎng)需求。
和鎧俠目前已量產(chǎn)的96 層3D NAND 產(chǎn)品相比,112 層3D NAND 每單位面積的記憶容量提高約20%,,且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加,,每bit 成本也下滑。
鎧俠指出,,該款112 層3D NAND 產(chǎn)品為該公司和合作伙伴美國(guó)Western Digital(WD)所攜手研發(fā)完成,,今后將利用雙方共同營(yíng)運(yùn)的四日市工廠以及北上工廠進(jìn)行生產(chǎn),且今后也計(jì)劃推出采用堆疊112 層制程技術(shù)的1Tb(128GB)TLC 產(chǎn)品以及1.33Tb 的4bit/cell (QLC:Quadruple-Level Cell)產(chǎn)品,。
關(guān)于上述112 層3D NAND 的量產(chǎn)時(shí)間,,WD 宣布,「預(yù)定將在2020 年下半年」,。
鎧俠競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手南韓三星電子已于2019 年6 月開始量產(chǎn)堆疊100 層以上的3D NAND 產(chǎn)品,。
東芝于2018 年6 月將鎧俠獨(dú)立出去,并賣給由美國(guó)貝恩資本主導(dǎo)的「日美韓聯(lián)盟」,。東芝目前仍持有鎧俠40.2% 股權(quán),。
根據(jù)Yahoo Finance 的報(bào)價(jià)顯示,截至臺(tái)灣時(shí)間3 日13 點(diǎn)41 分為止,,東芝上揚(yáng)0.14% 至3,505 日?qǐng)A,。
日經(jīng)新聞1 月29 日?qǐng)?bào)導(dǎo),據(jù)關(guān)系人士指出,,鎧俠IPO(首次公開發(fā)行)上市時(shí)間預(yù)估將從原先規(guī)劃的2019 年度內(nèi)(2020 年3 月底前)推延至2020 年10 月以后,。
鎧俠于2019 年11 月13 日公布2019 年Q3(7-9 月)財(cái)報(bào):因出貨量大增,每GB 單價(jià)下滑幅度趨緩,,而因停電導(dǎo)致「四日市工廠」部分產(chǎn)線停止生產(chǎn)的影響雖持續(xù),,但因生產(chǎn)回復(fù)時(shí)間較預(yù)期來(lái)得快,影響金額大縮,,激勵(lì)合并營(yíng)收較前一季(2019 年4-6 月)勁揚(yáng)11.6% 至2,390 億日?qǐng)A,,營(yíng)損額自前一季的989億日?qǐng)A大縮至658 億日?qǐng)A,凈損額也自952 億日?qǐng)A大縮至560 億日?qǐng)A,。
展望今后市場(chǎng)動(dòng)向,,鎧俠表示,因供給端庫(kù)存水準(zhǔn)適當(dāng)化,,加上來(lái)自需求端的資料中心投資回復(fù)及智慧手機(jī)搭載的記憶體數(shù)量增加,,一般認(rèn)為2020 年供需將維持穩(wěn)定。
鎧俠攜手美國(guó)WD 在日本巖手縣興建的北上工廠第一廠房(以下稱K1)已于2019 年10 月竣工,,預(yù)定在2020 年開始進(jìn)行生產(chǎn),。K1 將生產(chǎn)使用于資料中心/ 智能手機(jī)/ 自動(dòng)駕駛等用途,堆疊96 層制程技術(shù)的3D NAND Flash 產(chǎn)品,。