威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓撲中的功率密度和效率而設計,。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss),。

　　SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON)),，可以最大限度地降低傳導損耗。此外,，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關(guān)相關(guān)的功率損耗,。

　　與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比,，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試,，符合RoHS要求且不含鹵素,。

　　這款N-Channel MOSFET的應用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信,、服務器和醫(yī)療設備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級和次級側(cè)開關(guān),；用于服務器和電信設備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務器電源中的OR-ing功能,；用于開關(guān)電容器或開關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級,；電動工具和工業(yè)設備中的電動機驅(qū)動控制；以及電池管理模塊中的電池保護和充電,。