CEA-Leti和CEA-IRIG聯(lián)合開發(fā)了第一個(gè)在CMOS芯片上帶有量子點(diǎn)的量子集成電路，該芯片采用28nm FD-SOI工藝制造,，集成了模擬和數(shù)字功能（多路復(fù)用器,，緩沖器,，信號(hào)放大器,，振蕩器,，電平轉(zhuǎn)換器等）,。

　　這項(xiàng)研究還證明了CEA-Leti在FD-SOI技術(shù)中的低溫儀器方面的專有技術(shù),，還可以用于其他非硅量子設(shè)備,，例如超導(dǎo)量子位。該論文的主要作者Lo?ckLe Guevel解釋說,，量子集成電路是一種概念驗(yàn)證電路,，它將微電子基準(zhǔn)測(cè)試和量子點(diǎn)結(jié)合在一起，并在有限的功率預(yù)算內(nèi)在低于開爾文的溫度下工作,。

　　量子硅器件使用了設(shè)計(jì)先進(jìn)電路所需的所有元素,，并且通過FD-SOI實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)人員可以使用經(jīng)典電子技術(shù)在IP模塊中嵌入式qubit陣列，以構(gòu)建定制的大規(guī)模量子硅處理器,。

　　這項(xiàng)研究還證明了CEA-Leti在FD-SOI技術(shù)中的低溫儀器方面的專有技術(shù),，還可以用于其他非硅量子設(shè)備，例如超導(dǎo)量子位,。該論文的主要作者Lo?ckLe Guevel解釋說,，量子集成電路是一種概念驗(yàn)證電路，它將微電子基準(zhǔn)測(cè)試和量子點(diǎn)結(jié)合在一起,，并在有限的功率預(yù)算內(nèi)在低于開爾文的溫度下工作,。

　　量子硅器件使用了設(shè)計(jì)先進(jìn)電路所需的所有元素，并且通過FD-SOI實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)人員可以使用經(jīng)典電子技術(shù)在IP模塊中嵌入式qubit陣列,，以構(gòu)建定制的大規(guī)模量子硅處理器,。