【2020年2月25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合,，推出650V器件,。其全新發(fā)布的CoolSiC  MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS,、太陽能系統(tǒng),、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）,、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效,、功率密度和可靠性的需求。

　　“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基,、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合,，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)Steffen Metzger表示，“這凸顯了我們在市場中的獨特地位：英飛凌是市場上唯一一家能夠提供涵蓋硅,、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產(chǎn)品的制造商,。而全新CoolSiC 系列是我們矢志成為工業(yè)SiC MOSFET開關領域頭號供應商的有力支持?！?/p>

　　650 V CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,，既可采用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開關損耗更低的TO-247 4引腳封裝,。與過去發(fā)布的所有CoolSiC  MOSFET產(chǎn)品相比,，全新650V系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強大的物理特性,，確保了器件具有出色的可靠性,、出類拔萃的開關損耗和導通損耗。此外,，它們還具備最高的跨導水平（增益）,、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩(wěn)健性?？偠灾?，溝槽技術可以在毫不折衷的情況下，在應用中實現(xiàn)最低的損耗,，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性,。

　　與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比，650 V CoolSiC  MOSFET能夠帶來更加吸引人的優(yōu)勢：更高開關頻率下更優(yōu)的開關效率以及出色的可靠性,。得益于與溫度相關的超低導通電阻（RDS(on)）,，這些器件具備出色的熱性能。此外,，它們還采用了堅固耐用的體二極管,，有非常低的反向恢復電荷：比最佳的超結CoolMOS  MOSFET低80%左右。其換向堅固性,，更是輕松實現(xiàn)了98%的整體系統(tǒng)效率,，如通過連續(xù)導通模式圖騰柱功率因素校正（PFC）。

　　為了簡化采用650 V CoolSiC  MOSFET的應用設計,，確保器件高效運行,，英飛凌還提供了專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER 柵極驅動器IC。這個解決方案（整合了CoolSiC 開關和專用的柵極驅動器IC）有助于降低系統(tǒng)成本和總擁有成本,，以及提高能效,。CoolSiC  MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER 柵極驅動器系列IC無縫協(xié)作。

供貨情況

　　650 V CoolSiC  MOSFET系列共8個版本，采用兩種插件TO-247封裝,，現(xiàn)已支持訂購。三種專用柵極驅動器IC將于2020年3月起供貨,。