基于三星5nm工藝的高通驍龍X60基帶已發(fā)布,，臺(tái)積電下半年也將基于5nm（N5）為蘋果代工A14,、華為代工麒麟1020等芯片,。

顯然，這對(duì)于仍在打磨14nm并在10nm供貨能力掙扎的Intel來說,，似乎并不利。

不過,，Intel早在2017年就撰文抨擊行業(yè)內(nèi)關(guān)于流程節(jié)點(diǎn)命名的混亂,，時(shí)任工藝架構(gòu)和集成總監(jiān)的Mark Bohr呼吁晶圓廠們建立套統(tǒng)一的規(guī)則來命名先進(jìn)制程，比如晶體管密度,。而且以這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)來看的話,，Intel的10nm甚至比競品的7nm還要優(yōu)秀。

此后,，坊間的挺I派喊出三星,、臺(tái)積電是“假7nm”的口號(hào)。

對(duì)此,，臺(tái)積電營銷負(fù)責(zé)人Godfrey Cheng做客AMD webinar活動(dòng)時(shí)回應(yīng),，從0．35微米（350nm）開始，所謂的工藝數(shù)字就不再真正代表物理尺度了,。他解釋,，7nm／N7是一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化術(shù)語而已，之后還有N5等等。

他同樣認(rèn)為“需要尋求一種全新的,、對(duì)工藝節(jié)點(diǎn)不同的描述化語言,。”

按照Intel的建議,，以邏輯晶體管密度（MTr／mm2,，每平方毫米的百萬晶體管數(shù)）來作為定義工藝節(jié)點(diǎn)的指標(biāo)，將掃描觸發(fā)器和NAND2密度考慮進(jìn)去,，同時(shí)報(bào)告SRAM單元規(guī)模,。

     作者：萬南