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三星發(fā)布HBM2E存儲芯片

2020-03-10
來源:一起聊IT

近日,,三星發(fā)布了一款名為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,,預計將在今年上半年開始量產(chǎn)。

據(jù)悉,,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現(xiàn)16GB容量,,最高可提供3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。

全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝,,單顆最大容量為16GB,,由16Gb的單Die通過8層堆迭而成。三星官方介紹說,,全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升,,在默認的3.2Gbps下,單顆HBM2E就可以提供高達410GB/s的頻寬,,1秒內(nèi)便可傳輸82部 Full HD (5GB)全高清畫質(zhì)的影片,。

至于三星內(nèi)部測試自家全新的“Flashbolt”存儲芯片,在“超頻”后可以達到最高4.2Gbps的傳輸速率,,頻寬更高達538GB/s,,比上代產(chǎn)品高出75%,。

按照三星官方的說法,全新的HBM2E存儲芯片將會在今年上半年開始量產(chǎn),,特別適用于HPC高性能運算系統(tǒng),,并可幫助系統(tǒng)制造商及時改進其超級電腦、AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)分析以及最新的圖形系統(tǒng),。


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