近日,，三星發(fā)布了一款名為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片,，預(yù)計(jì)將在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn),。

據(jù)悉,，HBM2E單顆最大容量為16GB,，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,，單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量,，最高可提供3．2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度,。

全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝,，單顆最大容量為16GB，由16Gb的單Die通過(guò)8層堆迭而成,。三星官方介紹說(shuō),，全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升，在默認(rèn)的3．2Gbps下,，單顆HBM2E就可以提供高達(dá)410GB／s的頻寬,，1秒內(nèi)便可傳輸82部 Full HD （5GB）全高清畫(huà)質(zhì)的影片。

至于三星內(nèi)部測(cè)試自家全新的“Flashbolt”存儲(chǔ)芯片,，在“超頻”后可以達(dá)到最高4．2Gbps的傳輸速率,，頻寬更高達(dá)538GB／s，比上代產(chǎn)品高出75％,。

按照三星官方的說(shuō)法,，全新的HBM2E存儲(chǔ)芯片將會(huì)在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，特別適用于HPC高性能運(yùn)算系統(tǒng),，并可幫助系統(tǒng)制造商及時(shí)改進(jìn)其超級(jí)電腦,、AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)分析以及最新的圖形系統(tǒng)。