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X-FAB新增非易失性存儲器功能

2020-04-01
來源:X-FAB

    什么是存儲器?它的用途有哪些?全球領(lǐng)先的模擬/混合信號和專業(yè)代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM,。這些非易失性存儲器(NVM)的添加將拓寬更多的應(yīng)用范圍,,在這些應(yīng)用中,,需要高壓額定值和高溫承受能力,,并且提升運算能力,。

    越來越多的應(yīng)用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案,,其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓(高達100V),,高溫和抗ESD / EMC能力相結(jié)合,。EEPROM非常適合需要多次重復(fù)編程內(nèi)存塊(在晶圓級,以及在現(xiàn)場應(yīng)用中)的情況,。X-FAB的SONOS技術(shù)支持在-40°C到175°C的溫度下工作,,符合汽車AEC-Q100 “0”級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

    

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    新的X-FAB NVM方案包括一個32kBytes的Flash,,以及4kbit的EEPROM,。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術(shù),并充分利用了180nm體硅工藝(XH018)所展示的可靠性和經(jīng)驗,。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作,,并且可以通過共享的同一外設(shè)接口獨立操作,從而實現(xiàn)最佳的封裝。

    為確保數(shù)據(jù)完整性,,該NVM方案包含了錯誤代碼校正(ECC)功能,,分別在Flash上進行單位校正和在EEPROM上進行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測試接口,,允許直接操作Flash和EEPROM IP,。通過這種方式,客戶可以受益于X-FAB的NVM晶圓級測試和封裝設(shè)備測試功能,,以縮短調(diào)試和上市時間,。

    這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個額外的工藝層,特別適合于一系列不同的應(yīng)用領(lǐng)域,,例如汽車,,工業(yè),物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療,。此外,,這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯(lián)網(wǎng)的遠(yuǎn)程自主傳感器接口和活體健康監(jiān)測應(yīng)用等新興應(yīng)用中證明其價值。

    X-FAB NVM市場經(jīng)理Nando Basile表示:“將Flash功能引入我們的XT018平臺,,為我們在高溫下需要智能控制的汽車動力傳動系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域提供了明顯的優(yōu)勢,。” “這也意味著,,我們完全有能力應(yīng)對醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域開始出現(xiàn)的眾多機遇,。”以上就是X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能,,希望能給大家?guī)椭?/p>

    

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