文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.200006
中文引用格式: 周浩,張有濤. 基于InP HBT工藝的50 Gb/s 1:4量化降速電路[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2020,,46(6):45-50.
英文引用格式: Zhou Hao,Zhang Youtao. A 50 Gb/s 1:4 quantized speed reduction circuit based on InP HBT process[J]. Application of Electronic Technique,,2020,,46(6):45-50.
0 引言
對(duì)于高速通信系統(tǒng),,量化降速電路在信息傳輸鏈路中承擔(dān)將串行高速信號(hào)轉(zhuǎn)換為并行的多路低速信號(hào)的任務(wù),是光纖通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵電路,。此外,,在軍事應(yīng)用方面,,電子戰(zhàn)要求對(duì)2~18 GHz帶寬內(nèi)的信號(hào)能夠快速完成全頻帶的偵查測(cè)頻,便于實(shí)現(xiàn)后期的欺騙干擾等操作,。本文將前端高速高靈敏度比較器與1:4分接器(DEMUX)電路集中到單芯片中,,從而能夠直接一次性實(shí)現(xiàn)2~18 GHz帶寬模擬輸入信號(hào)的接收、降速處理,,避免早期的帶寬折疊混迭的問(wèn)題,,簡(jiǎn)化系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方案,提高系統(tǒng)關(guān)鍵性能,,從而可以作為電子對(duì)抗接收機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。
由于InP材料具有高特征頻率,,與其晶格匹配的InGaAs外延層的載流子溶度和電子遷移率非常高,,非常適用于超過(guò)幾十吉赫茲的高頻領(lǐng)域,而相比于HEMT,、MESFET等器件,,HBT器件具有較高的線性和直流增益,噪聲小,,開(kāi)啟電壓可通過(guò)材料的本征特性和器件設(shè)計(jì)加以控制,,可重復(fù)性好,容易匹配,,使縱向器件單位有效面積可流過(guò)較高的電流,,擊穿電壓更容易控制。因此InP HBT已經(jīng)成為了微波毫米波領(lǐng)域中非常重要的高速固態(tài)器件,,具有功率密度和增益高,、相位噪聲低、線性度好,、單電源工作,、芯片面積小等特點(diǎn)的InP HBT器件已經(jīng)逐步發(fā)展為MMIC領(lǐng)域中一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù),目前已被廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng),,如光調(diào)制驅(qū)動(dòng)電路,、時(shí)鐘提取、數(shù)據(jù)恢復(fù),、MUX/DEMUX和光接收機(jī)電路,。因此本設(shè)計(jì)中采用來(lái)自南京電子器件研究所的0.7 μm InP HBT工藝,該工藝的InP HBT器件發(fā)射極尺寸為0.7 μm×10 μm,,截止頻率fT為320 GHz,。
近年來(lái),隨著高速系統(tǒng)的飛速發(fā)展,,高速分接器的研究取得了重大成果,,性能也在逐步提高,。從國(guó)外來(lái)看,在2002年,,KANO H等人采用0.13 μm InP基HEMT工藝,,設(shè)計(jì)出了50 Gb/s的1:4分接器,在5.2 V電源電壓下,,功耗為4.7 W[1],;在2003年,SANO K等人采用 InP基HEMT工藝,,設(shè)計(jì)出了50 Gb/s的1:4分接器,,在3.3 V電源電壓下,功耗為1.42 W[2],;在2003年,,KRISHNAMURTHY K等人采用1 μm InP HBT工藝,設(shè)計(jì)出了40 Gb/s的1:4分接器,,在4.2 V電源電壓下,,功耗為3.5 W[3];在2003年,,ISHII K等人采用1 μm InP HBT工藝,,設(shè)計(jì)出了50 Gb/s的1:4分接器,在4.5 V電源電壓下,,功耗為2.6 W[4],;在2003年,NIELSEN S等人采用1 μm InP HBT工藝,,設(shè)計(jì)出了43.2 Gb/s的1:4分接器,,在3.3 V電源電壓下,功耗為3.3 W[5],;在2004年,,SUZUKI T等人采用0.13 μm InP HEMT工藝,設(shè)計(jì)出了50 Gb/s的1:4分接器,,在1.5 V電源電壓下,,功耗為490 mW[6];在2005年,,SANO K等人采用InP HBT工藝,,設(shè)計(jì)出了80 Gb/s的1:4分接器,在4.5 V電源電壓下,,功耗為3.25 W[7],;在2006年,HALLIN J等人采用0.4 μm InP HBT工藝,,設(shè)計(jì)出了100 Gb/s的1:4分接器,,在3.6 V電源電壓下,,功耗為2.1 W[8];在2007年,,KARNFELT C等人采用0.4 μm InP HBT工藝,,設(shè)計(jì)出了100 Gb/s的1:4分接器,在3.5 V電源電壓下,,功耗為2.1 W[9],。相比之下,國(guó)內(nèi)對(duì)于分接器的研究還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后,,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速率還遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于國(guó)外的水平,,因此本文所要設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的基于0.7 μm InP HBT工藝的50 Gb/s 1:4分接器具有重要的戰(zhàn)略意義和巨大的應(yīng)用價(jià)值。
論文詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)下載http://forexkbc.com/resource/share/2000002841
作者信息:
周 浩1,,2,,張有濤1,2,,3
(1.南京電子器件研究所,江蘇 南京210016,;2.南京國(guó)博電子有限公司,,江蘇 南京210016;
3.微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,,江蘇 南京210016)