射頻前端（RFFE, Radio Frequency Front-End）芯片是實(shí)現(xiàn)手機(jī)及各類移動(dòng)終端通信功能的核心元器件，全球市場(chǎng)超過百億美金級(jí)別,。過去10年本土手機(jī)的全面崛起，為本土射頻前端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),；而5G在中國(guó)的率先商用化,，以及全球貿(mào)易環(huán)境的變化，又給本土射頻行業(yè)加了兩捆柴火,。射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)在我國(guó)也已經(jīng)有了15年以上的發(fā)展歷史,，創(chuàng)新和創(chuàng)業(yè)活動(dòng)非常活躍,，各類企業(yè)數(shù)十家,，也是市場(chǎng)和資本高度關(guān)注的領(lǐng)域。本文作者有幸在射頻芯片行業(yè)從業(yè)11年,，從2G時(shí)代做到今天的5G,，也在外企、民企,、國(guó)企都工作過,，直接開發(fā)并大量量產(chǎn)過射頻的每一類型產(chǎn)品。這篇文章總結(jié)了作者與一些行業(yè)朋友近些年的討論,，嘗試對(duì)射頻模組產(chǎn)品的技術(shù)市場(chǎng)及商業(yè)邏輯進(jìn)行梳理,。同時(shí)，本土射頻發(fā)展了十余年,，競(jìng)爭(zhēng)是行業(yè)主線,，合作與友誼是非常稀缺的資源。本文將會(huì)重點(diǎn)分享“模組化”的相關(guān)知識(shí),，也是希望更多的本土廠商去通過“合作”分享模組化的巨大機(jī)遇,。

　　引言

　　根據(jù)魏少軍教授在“2020全球CEO峰會(huì)”的《人間正道是滄桑-關(guān)于大變局下的戰(zhàn)略定力》主題演講，統(tǒng)計(jì)得出對(duì)中國(guó)市場(chǎng)依賴度最高（依營(yíng)收占比計(jì)算）的美國(guó)公司,，如下圖,。我們可以看到SKYWORKS、Qualcomm,、Qorvo,、Broadcom這四家美國(guó)射頻巨頭（其中SKYWORKS和Qorvo以射頻業(yè)務(wù)為主；Qualcomm和Broadcom包含了射頻業(yè)務(wù)）恰好占據(jù)了排行榜前4名,。

　　射頻前端的國(guó)際情況

　　射頻前端技術(shù)主要集中在濾波器（Filter）,、功率放大器（PA, Power  Amplifier）、低噪聲放大器（Low Noise Amplifier）,、開關(guān)（RF Switch）,。目前全球射頻市場(chǎng)由引言提到的四家美國(guó)射頻公司Skyworks、Qualcomm,、Qorvo,、Broadcom與日本Murata這五大射頻巨頭寡占,。

　　五家射頻巨頭在PA與LNA等市場(chǎng)占有率超過九成。濾波器方面,，則分為聲表面波（SAW, Surface Acoustic Wave）與體表面波（BAW, Bulk Acoustic Wave）濾波兩種主要技術(shù),。目前，SAW濾波器市場(chǎng)由Murata占據(jù)一半,，Skyworks約10%,，Qorvo約4%，其余則被太陽誘電,、TDK等大廠瓜分,。BAW濾波器的市場(chǎng)則由美國(guó)企業(yè)占據(jù)9成市場(chǎng)。

　　由此可見,，射頻前端是巨大的市場(chǎng),，能容納5家國(guó)際巨頭持續(xù)發(fā)展。國(guó)際巨頭的技術(shù)跨度大,，模組化能力強(qiáng),；模組化產(chǎn)品是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的主賽道。每家巨頭都擁有BAW技術(shù)或其替代方案,。

　　射頻前端的國(guó)內(nèi)情況

　　關(guān)于射頻前端的國(guó)內(nèi)情況有很多文章都曾提到,，這里不贅述，只給幾個(gè)共識(shí)比較多的結(jié)論：

　　1.本土公司普遍以分立器件為主要方向,；分立器件是當(dāng)前本土競(jìng)爭(zhēng)的主賽道,。

　　2.本土公司缺乏先進(jìn)濾波器技術(shù)及產(chǎn)品，模組化能力普遍不強(qiáng),。

　　5G模組化挑戰(zhàn)及機(jī)遇的來源

　　PCB布線空間及射頻調(diào)試時(shí)間的挑戰(zhàn)，下沉到了入門級(jí)手機(jī),，打通了國(guó)產(chǎn)模組芯片的迭代升級(jí)路徑,。

　　射頻模組芯片，不是一個(gè)新生的產(chǎn)品系列,。事實(shí)上,，射頻模組芯片的使用幾乎與LTE商業(yè)化同時(shí)發(fā)生。過去10年內(nèi),，各種復(fù)雜的射頻模組已經(jīng)普遍應(yīng)用在了各品牌的旗艦手機(jī)中,；與此同時(shí)，在大量的入門級(jí)手機(jī)上,，分立器件的方案也完全能夠滿足各方面的要求,。因此在過去10年就出現(xiàn)了涇渭分明的兩個(gè)市場(chǎng)：旗艦機(jī)型用模組方案；入門機(jī)型用分立方案,。模組方案要求“高集成度和高性能”,，因而價(jià)格也很高,；而分立方案要求“中低集成度和中等性能”，售價(jià)相對(duì)而言就低不少,。兩種方案之間存在巨大的技術(shù)和市場(chǎng)差異,，我們可以把這個(gè)稱作4G時(shí)代的“模組鴻溝”。

　　4G時(shí)代的“模組鴻溝”

　　5G的到來,，徹底改變了這個(gè)狀況,。

　　相比于4G入門級(jí)手機(jī)的2~4根天線，5G入門級(jí)手機(jī)的天線數(shù)目增加到了8~12根,；需要支持的頻段及頻段組合也在4G的基礎(chǔ)上顯著增加,。大家知道，射頻元器件的數(shù)目,，與天線數(shù)目及頻段強(qiáng)相關(guān),，這就意味著射頻元器件的數(shù)目出現(xiàn)了急劇地增長(zhǎng)。與此同時(shí),，由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的要求,，5G手機(jī)留給射頻前端的PCB面積是無法增加的，因此分立方案的面積大大超過了可用的PCB面積,。這是空間帶來的約束,。

　　還有一個(gè)挑戰(zhàn)，來自于調(diào)試時(shí)間,。4G使用分立器件方案的射頻調(diào)試時(shí)間,，一般在一周以內(nèi)。隨著5G射頻復(fù)雜度的顯著提升,，假設(shè)使用分立方案,，可能會(huì)帶來3~5倍的調(diào)試時(shí)間增加；從成本上來講,，還需要消耗更貴的5G測(cè)試設(shè)備,、熟悉5G測(cè)試的工程師資源。如果使用模組,，大部分的調(diào)試已經(jīng)在模組設(shè)計(jì)過程中在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了,，調(diào)試工作量將更多地移到軟件端，因此調(diào)試效率大大提升,。這是時(shí)間帶來的約束,。

　　時(shí)間和空間的約束，強(qiáng)烈而普遍,。因此在入門級(jí)5G手機(jī)中,，就天然出現(xiàn)了對(duì)“中低性能和高集成度”模組的需求，與旗艦手機(jī)的“中高性能和高集成度”模組形成了管腳統(tǒng)一,。既然都需要高集成度的模組,，只是指標(biāo)要求不一樣,，這樣國(guó)產(chǎn)的模組芯片就可以從“中低性能”（5G入門級(jí)手機(jī)）向“中高性能”（5G旗艦手機(jī)）迭代演進(jìn)。因此,，“模組鴻溝”便被填平了,。

　　任何事情都是兩面的?！澳＝M鴻溝”被填平以后,，分立市場(chǎng)的空間也出現(xiàn)了風(fēng)險(xiǎn)；對(duì)專長(zhǎng)于分立芯片的本土企業(yè)來講,，也需要巨大的資源和力量去在模組產(chǎn)品中找到自身的位置,；如果不能突破，就會(huì)在不遠(yuǎn)的未來進(jìn)入到瓶頸階段,。

　　在5G的早期階段,，目前市場(chǎng)上也出現(xiàn)了一種混合方案，即用分立器件和模組混搭的方案,。這個(gè)方案的出現(xiàn),，有很多客觀的原因，其中就包括歷史上形成的“模組鴻溝”,。這種方案是妥協(xié)的產(chǎn)物,，犧牲了一些關(guān)鍵指標(biāo)，而且面積上也做了讓步,。如果沒有專注做國(guó)產(chǎn)化模組的芯片公司,，就不會(huì)有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)模組芯片；如果沒有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)模組芯片,，模組方案的價(jià)格永遠(yuǎn)高高在上,。

　　濾波器技術(shù)簡(jiǎn)要分類

　　BAW 濾波器：即體聲波濾波器。具有插入損耗小,、帶外衰減大等優(yōu)點(diǎn),，同時(shí)對(duì)溫度變化不敏感，BAW濾波器的尺寸大小會(huì)隨著頻率升高而縮小,，因此尤其適用于1.7GHz以上的中高頻通信，在5G與sub-6G的應(yīng)用中有明顯優(yōu)勢(shì),。

　　SAW濾波器：即聲表面波濾波器,。采用石英晶體、鈮酸鋰,、壓電陶瓷等壓電材料,，利用其壓電效應(yīng)和表面波傳播的物理特性而制成的一種濾波專用器件。SAW濾波器具有性能穩(wěn)定,、使用方便,、頻帶寬等優(yōu)點(diǎn),，是頻率在1.6GHz以下的應(yīng)用主流。但存在插入損耗大,、處理高頻率信號(hào)時(shí)發(fā)熱問題嚴(yán)重等缺點(diǎn),，因此在處理1.6GHz以上的高頻信號(hào)時(shí)適用性較差。

　　LC型濾波器：即電感電容型濾波器,。LC濾波器一般是由濾波電容,、電抗和電阻適當(dāng)組合而成，電感與電容一起組成LC濾波電路,。

　　射頻模組簡(jiǎn)要分類

　　射頻前端模組是將射頻開關(guān),、低噪聲放大器、濾波器,、雙工器,、功率放大器等兩種或者兩種以上的分立器件集成為一個(gè)模組，從而提高集成度和性能,，并使體積小型化,。根據(jù)集成方式的不同，主集天線射頻鏈路可分為：FEMiD（集成射頻開關(guān),、濾波器和雙工器）,、PAMiD（集成多模式多頻帶PA和FEMiD）、LPAMiD（LNA,、集成多模式多頻帶PA和FEMiD）等,；分集天線射頻鏈路可分為：DiFEM（集成射頻開關(guān)和濾波器）、LFEM（集成射頻開關(guān),、低噪聲放大器和濾波器）等,。

　　主集天線射頻鏈路

　　分集天線射頻鏈路

　　射頻前端的“價(jià)值密度”

　　既然5G手機(jī)PCB面積是受限制的資源，同時(shí)我們需要在5G手機(jī)內(nèi)“擠入”更多的射頻功能器件,，因此我們?cè)u(píng)價(jià)每一類型射頻器件時(shí),，需要建立一個(gè)參數(shù)來進(jìn)行統(tǒng)一描述，作為反映其價(jià)值與PCB占用面積的綜合指標(biāo),。

　　ValueDensity=（平均銷售價(jià)格ASP）/（芯片封裝大?。?/strong>

　　接下來，我們使用VD值這個(gè)工具,，分別分析一下濾波器,、功率放大器、射頻模組三類產(chǎn)品的情況,。

　　1. 濾波器的VD值

　　首先說明一點(diǎn),，由于通常情況下濾波器還需要外部的匹配電路，實(shí)際的VD值比器件的VD值還要再低一些。我們先忽略這個(gè)因素,。根據(jù)以上的數(shù)據(jù),，我們可以得到一些結(jié)論：從LTCC到四工器，VD值持續(xù)增加,，從1.2到10.0,，增加比較快速。

　　2. 功率放大器的VD值

　　根據(jù)以上數(shù)據(jù),，也可以看到：

　　a） 從2G到4G,，VD值從0.6增加到了1.5。

　　b） 4G向CAT1演進(jìn)的小型化產(chǎn)品,，以及向HPUE或者Phase5N演進(jìn)的大功率PA,，VD值增加到了2附近。

　　3. 射頻模組的VD值

　　根據(jù)以上數(shù)據(jù),，可以觀察到：

　　a） 接收模組普遍的VD值在5附近,；

　　b） 接收模組中的小封裝H/M/L LFEM，VD值非常突出,，大于10,；

　　c） 發(fā)射模組（除FEMiD以外），VD值在4~6之間,；

　　d） FEMiD具有發(fā)射模組最高的VD值,。因此當(dāng)FEMiD與VD值較低的MMMB PA混搭時(shí)，也能達(dá)到合理的PCB布圖效率,。

　　表格匯總的同時(shí),，我們也增加了技術(shù)國(guó)產(chǎn)化率和市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率的參考數(shù)據(jù)。一般來講,，市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率較低的,、或者技術(shù)國(guó)產(chǎn)化率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過國(guó)產(chǎn)化率數(shù)字的細(xì)分品類，VD值會(huì)虛高一些,。在本土相應(yīng)產(chǎn)品市占率提高以后,，未來還會(huì)有比較明顯的降價(jià)空間。

　　射頻發(fā)射模組的五重山

　　發(fā)射1：PA與LC型濾波器的集成,，主要應(yīng)用在3GHz~6GHz的新增5G頻段,，典型的產(chǎn)品是n77、n79的PAMiF或者LPAMiF,。這些新頻段的5GPA設(shè)計(jì)非常有挑戰(zhàn),，但由于新頻段頻譜相對(duì)比較“干凈”，所以對(duì)濾波器的要求不高,，因此LC型的濾波器（IPD、LTCC）就能勝任,。綜合來看,，這類產(chǎn)品屬于有挑戰(zhàn)但不復(fù)雜的產(chǎn)品,，其技術(shù)和成本均由PA絕對(duì)掌控。

　　發(fā)射2：PA與BAW（或高性能SAW）的集成,，典型產(chǎn)品是n41的PAMiF或者Wi-Fi的iFEM類產(chǎn)品,，頻段在2.4GHz附近。這類產(chǎn)品的頻段屬于常見頻段,，PA部分的技術(shù)規(guī)格有一定挑戰(zhàn)但并不高,。由于工作在了2.4GHz附近，頻段非常擁擠,，典型的產(chǎn)品內(nèi)需要集成高性能的BAW濾波器來實(shí)現(xiàn)共存,。這類產(chǎn)品由于濾波器的功能并不復(fù)雜，PA仍有技術(shù)控制力,；但在成本方面,，濾波器可能超過了PA。綜合來講,，這類產(chǎn)品屬于有挑戰(zhàn)但不復(fù)雜的產(chǎn)品,，PA有一定的控制力。

　　發(fā)射3：LowBand發(fā)射模組,。LB （L）PAMiD通常集成了1GHz以下的4G/5G頻段（例如B5,、B8、B26,、B20,、B28等等），包括高性能功率放大器以及若干低頻的雙工器,；在不同的方案里,，還可能集成GSM850/900及DCS/PCS的2GPA，以進(jìn)一步提高集成度,。低頻的雙工器通常需要使用TC-SAW技術(shù)來實(shí)現(xiàn),，以達(dá)到最佳的系統(tǒng)指標(biāo)。根據(jù)系統(tǒng)方案的需要,，如果在LB PAMiD的基礎(chǔ)上再集成低噪聲放大器（LNA）,，這類產(chǎn)品就叫做LB LPAMiD?？梢钥吹?，這類產(chǎn)品的復(fù)雜度已經(jīng)比較高：PA方面，需要集成高性能的4G/5GPA,，有時(shí)候還需要集成大功率的2GPA Core,；濾波器方面，通常需要3~5顆使用晶圓級(jí)封裝（WLP）的TC-SAW雙工器?？偝杀镜慕嵌葋砜矗僭O(shè)需要集成2GPA）,，PA/LNA部分和濾波器部分占比基本相當(dāng)。LB （L）PAMiD是需要有相對(duì)比較平衡的技術(shù)能力,，因此第三級(jí)臺(tái)階出現(xiàn)在了PA和Filter的交界處,。

　　發(fā)射4：FEMiD。這類產(chǎn)品通常包含了從低頻到高頻的各類濾波器/雙工器/多工器,，以及主通路的天線開關(guān),；并不集成PA。FEMiD產(chǎn)品通常需要集成LTCC,、SAW,、TC-SAW、BAW（或性能相當(dāng)?shù)腎.H.PSAW）和SOI開關(guān),。村田公司定義了這類產(chǎn)品,，并且過去近8年的時(shí)間內(nèi)，占據(jù)了該市場(chǎng)的絕對(duì)主導(dǎo)權(quán),。三星,、華為等手機(jī)大廠，曾經(jīng)或正在大量使用這類產(chǎn)品在其中高端手機(jī)中,。如前文所述,，有競(jìng)爭(zhēng)力的PAMiD供應(yīng)商主要集中在北美地區(qū)；出于供應(yīng)鏈多樣化的考慮,，一些出貨量非常大的手機(jī)型號(hào),，就可能考慮使用MMMB（Multi-Mode Multi-Band） PA加FEMiD的架構(gòu)。MMMB PA的合格供應(yīng)商廣泛分布在北美,、中國(guó),、韓國(guó)，而日本村田的FEMiD產(chǎn)能非常巨大（主要表現(xiàn)在LTCC和SAW）,。又如前文所述,，F(xiàn)EMiD的VD值非常高，整體方案的空間利用率也在合理范圍內(nèi),。

　　發(fā)射5：M/H （L）PAMiD,。這類產(chǎn)品是射頻前端最高市場(chǎng)價(jià)值也是綜合難度最大的領(lǐng)域，是射頻前端細(xì)分市場(chǎng)的巔峰,。M/H通常覆蓋的頻率范圍是1.5GHz~3.0GHz,。這個(gè)頻段范圍，是移動(dòng)通信的黃金頻段,。最早的4個(gè)FDDLTE 頻段Band1/2/3/4在這個(gè)范圍內(nèi),，最早的4個(gè)TDD LTE頻段B34/39/40/41在這個(gè)范圍內(nèi),，TDS-CDMA的全部商用頻段在這個(gè)范圍內(nèi)，最早商用的載波聚合方案（Carrier Aggregation）也出現(xiàn)在這個(gè)范圍（由B1+B3四工器實(shí)現(xiàn)）,，GPS,、Wi-Fi 2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窩網(wǎng)通信也都工作在這個(gè)范圍,。可以想象,，這段頻率范圍最大的特點(diǎn)就是“擁擠”和“干擾”,，也恰恰是高性能BAW濾波器發(fā)揮本領(lǐng)的廣闊舞臺(tái)。由于這個(gè)頻率范圍商用時(shí)間較長(zhǎng),，該頻率范圍內(nèi)的PA技術(shù)相對(duì)比較成熟,，核心的挑戰(zhàn)來自于濾波器件。

　　先解釋一下為什么這段頻率是移動(dòng)通信的黃金頻率,。在很長(zhǎng)的發(fā)展過程中,，移動(dòng)通信的驅(qū)動(dòng)力來自移動(dòng)終端的普及率，而移動(dòng)終端普及的核心挑戰(zhàn)在于終端的性能和成本,。過高的頻率,，例如3GHz以上、10GHz以上,，半導(dǎo)體晶體管的特性下降很快,，很難做出高性能；而過低的頻率,，例如800MHz以下,、300MHz以下，需要天線的尺寸會(huì)非常巨大,，同時(shí)用來做射頻匹配的電感值和電容值也會(huì)很大,，在終端尺寸的約束下，超低頻段的射頻性能很難達(dá)到系統(tǒng)指標(biāo),。簡(jiǎn)而言之,，從有源器件（晶體管）的性能角度出發(fā)，希望頻率低一些,；從無源器件（電容電感和天線）的性能角度出發(fā),，希望頻率高一些。有源器件與無源器件從本質(zhì)上的沖突,，到應(yīng)用端的折衷,，再到模組內(nèi)的融合，恰如兩股強(qiáng)大的冷暖洋流,，在人類最波瀾壯闊的移動(dòng)通信主航道上,，相匯于1.5~3GHz的頻段,，形成了終端射頻最復(fù)雜也最有價(jià)值的黃金漁場(chǎng)：M/HB （L）PAMiD。多么地美妙,！

　　這類高端產(chǎn)品的市場(chǎng),，目前主要由美商Broadcom、Qorvo,、RF360等廠商占據(jù),。下圖是Qorvo公司在其官方公眾號(hào)上提供的芯片開蓋分析?？梢钥吹?，該類產(chǎn)品包含10顆以上的BAW，2~3顆的GaAs HBT,，以及3~5顆SOI和1顆CMOS控制器,，具有射頻產(chǎn)品最高的技術(shù)復(fù)雜度。該類產(chǎn)品通常需要集成四工器或者五/六工器這類超高VD值的器件,。

　　M/H LPAMiD開蓋圖

　　來源：Qorvo公眾號(hào)

　　射頻接收模組的五重山

　　接收模組的五重山模型,，如上圖所述。

　　接收1：使用RF-SOI工藝在單顆die上實(shí)現(xiàn)了射頻Switch和LNA,。雖然僅僅是單顆die,，但從功能上也屬于復(fù)合功能的射頻模組芯片。這類產(chǎn)品主要的技術(shù)是RF-SOI,，在4G和5G都有一些應(yīng)用,。

　　接收2：使用RF-SOI工藝實(shí)現(xiàn)LNA和Switch的功能，然后與一顆LC型（IPD或者LTCC）的濾波器芯片實(shí)現(xiàn)封裝集成,。LC型濾波器適合3~6GHz大帶寬,、低抑制的要求，適用于5G NR部分的n77/n79頻段,。這類產(chǎn)品也是SOI技術(shù)主導(dǎo),，主要應(yīng)用在5G。

　　接收3：從接收3往上走,，接收模組開始需要集成若干SAW濾波器,，集成度越來越高。通常需要集成單刀多擲（SPnT）或者雙刀多擲（DPnT）的SOI開關(guān),，以及若干通路支持載波聚合（CA）的SAW濾波器,。封裝方式上，由于“接收3”的集成程度還不極限,，因此有多種可能的路徑,。其中國(guó)際廠商的產(chǎn)品主要以WLP技術(shù)為主，除了在可靠度及產(chǎn)品厚度方面有優(yōu)勢(shì),，主要還是可以在更高集成度的其他產(chǎn)品中進(jìn)行復(fù)用,。

　　接收4：這類產(chǎn)品叫做MIMO M/H LFEM,。主要是針對(duì)M/H Band的頻段（例如B1/3/39/40/41/7）應(yīng)用了MIMO技術(shù)，增加通信速率,，在一些中高端手機(jī)是屬于入網(wǎng)強(qiáng)制要求,。看起來通信業(yè)對(duì)M/H這個(gè)黃金頻段果然是真愛啊,。技術(shù)角度出發(fā),，這類產(chǎn)品以RF-SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)的LNA加Switch為基礎(chǔ)，再集成4~6個(gè)通路的M/H高性能SAW濾波器,。國(guó)際廠商在這些頻段已經(jīng)開始普遍使用TC-SAW的技術(shù),，以達(dá)到最好的整體性能。

　　接收5：接收芯片的最高復(fù)雜度,，就是H/M/L的LFEM。這類產(chǎn)品以非常小的尺寸,，實(shí)現(xiàn)了10~15路頻段的濾波（SAW Filter）,、通路切換（RF-Switch）以及信號(hào)增強(qiáng)（LNA），具有超高的Value Density值（10左右）,，在5G項(xiàng)目上能幫助客戶極大地壓縮Rx部分占用的PCB面積,，把寶貴的面積用在發(fā)射/天線等部分，提升整體性能,。這類產(chǎn)品需要的綜合技能最高,，也基本必須要用WLP形式的先進(jìn)封裝方式才能滿足尺寸、可靠度,、良率的要求,。

　　總結(jié)

　　1.射頻模組的核心要求是多種元器件的小型化及模組集成。

　　2.無論是發(fā)射模組還是接收模組,，純5G的模組是困難但不復(fù)雜,，最有挑戰(zhàn)也最具價(jià)值的是4G/5G同時(shí)支持的高復(fù)雜度模組。

　　本土替代是黃金機(jī)遇,，不需要賽道創(chuàng)新,，核心是技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)4G/5G射頻芯片的產(chǎn)品化、小型化,、模組化,。開元通信專注于射頻模組芯片的開發(fā)，在廈門,、上海和臺(tái)北建立了研發(fā)中心,，“all-in模組”，以射頻模組為目標(biāo)配置關(guān)鍵資源,，堅(jiān)定地推進(jìn)最高性價(jià)比和最實(shí)惠價(jià)格的模組芯片,，以加速國(guó)產(chǎn)模組產(chǎn)品的量產(chǎn),，助力中國(guó)通信產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

　　射頻模組的產(chǎn)業(yè)化率先發(fā)端在西方企業(yè),，比中國(guó)早5到10年,；如本文篇頭的圖片，國(guó)外射頻模組大量在中國(guó)市場(chǎng)銷售,，中國(guó)還停留在分立器件產(chǎn)業(yè)的階段,。中國(guó)產(chǎn)業(yè)當(dāng)然應(yīng)該奮起直追，而奮起直追的第一步,，就是先要深入分析5G模組的相關(guān)知識(shí),，結(jié)合自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，尋找合適的切入點(diǎn),，最終全身心地?fù)肀＝M化的產(chǎn)業(yè)潮流,。只要全身心地?fù)肀С绷鳎覀冇谐浞中判?，用五年十年左右的時(shí)間,，完成本土射頻模組的飛躍。

　　位于圣彼得堡的彼得大帝雕像

　　舉一個(gè)類似的成功例子,。近代的工業(yè)革命率先發(fā)端在西歐,，西歐已經(jīng)開始工業(yè)化，而俄國(guó)還是落后的封建農(nóng)業(yè)國(guó)家,。1703年,，羅曼諾夫王朝沙皇彼得一聲令下，要在波羅的海的港口建造新的首都,，盡管眾人反對(duì),，哪怕萬千爭(zhēng)議，這位俄國(guó)歷史上數(shù)一數(shù)二的君王,，這位喬裝成工匠在西歐游歷學(xué)習(xí)的君王,，力排萬難要建造一個(gè)通往歐洲通往世界的俄國(guó)新首都（圣彼得堡），全面地?fù)肀W洲,、擁抱海洋,、擁抱工業(yè)革命。歐洲,、海洋,、工業(yè)革命，就是18世紀(jì)國(guó)家的潮流,；國(guó)產(chǎn)替代,、5G、射頻模組,，就是今天射頻前端行業(yè)的潮流,。

　　彼得大帝出生時(shí),，俄國(guó)是砧板上的魚肉，去世時(shí)俄國(guó)已然是切肉之刃,。在本土手機(jī)行業(yè)已經(jīng)全面崛起的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上,，希望我們中國(guó)的射頻行業(yè)能夠奮勇前行，擁抱國(guó)產(chǎn)替代,、5G信息化,、射頻模組化的歷史浪潮。如果說在我們?nèi)胄袝r(shí),，中國(guó)的射頻行業(yè)還如砧板上的魚肉,，那么希望在我們大家打算“退休”時(shí)，中國(guó)的射頻行業(yè)已經(jīng)是切肉之刃,。與諸君共勉,！