12月15日,、16日,，英特爾舉辦了內(nèi)存存儲日線上活動，重磅發(fā)布6款全新內(nèi)存和存儲產(chǎn)品,，旨在幫助客戶駕馭數(shù)字化轉(zhuǎn)型的重大機(jī)遇,。

　　為進(jìn)一步推動內(nèi)存和存儲創(chuàng)新，英特爾宣布推出兩款新的傲騰固態(tài)盤產(chǎn)品,，即全球運(yùn)行速度最快的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤英特爾?傲騰?固態(tài)盤P5800X,，以及能夠?yàn)橛螒蚝蛢?nèi)容創(chuàng)作提供高性能和主流生產(chǎn)力，面向客戶端的英特爾?傲騰?H20混合式固態(tài)盤,。

　　通過使內(nèi)存更靠近處理器,，英特爾傲騰能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算的需求。此外,，英特爾還透露即將面向云和企業(yè)級用戶發(fā)布代號為“ Crow Pass”的第三代英特爾?傲騰?持久內(nèi)存,。

　　英特爾數(shù)據(jù)平臺事業(yè)部副總裁兼傲騰事業(yè)部總經(jīng)理Alper Ilkbahar指出：“對于英特爾內(nèi)存和存儲業(yè)務(wù)來說，今天是頗具里程碑意義的一天,。隨著幾款全新傲騰產(chǎn)品的發(fā)布,，我們不僅延續(xù)創(chuàng)新，進(jìn)一步強(qiáng)化了我們的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合,，還將持續(xù)賦能客戶更好地應(yīng)對數(shù)字化轉(zhuǎn)型的復(fù)雜性,。”

　　本次大會上，英特爾還宣布推出三款采用144層存儲單元的全新NAND固態(tài)盤,，包括適用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——英特爾固態(tài)盤670p,。

　　全球首個推向市場的144層TLC NAND設(shè)計(jì)的英特爾固態(tài)盤D7-P5510，采用業(yè)內(nèi)首個144層QLC NAND并具備更高密度,、更強(qiáng)持久性的英特爾固態(tài)盤D5-P5316,。

　　隨著今日傲騰技術(shù)的發(fā)布，英特爾繼續(xù)在數(shù)據(jù)中心內(nèi)存和存儲金字塔中構(gòu)建融合了DRAM和NAND特性的新的層級,。其中,，英特爾傲騰固態(tài)盤通過高速緩存和高速存儲的性能,，突破數(shù)據(jù)供應(yīng)瓶頸并加速應(yīng)用,，提高每臺服務(wù)器的性能可擴(kuò)展性，并降低時(shí)延敏感型工作負(fù)載的交易成本,。

　　英特爾傲騰持久內(nèi)存是英特爾打造兼具持久性,、大容量、經(jīng)濟(jì)性,、低延遲和近內(nèi)存速度性能的內(nèi)存和存儲解決方案愿景的最好體現(xiàn),。

　　通過傲騰持久內(nèi)存，英特爾重構(gòu)了內(nèi)存和存儲層級,，建立了以其為基礎(chǔ)的容量和性能都有所不同的內(nèi)存和存儲層,。這種方式同時(shí)使建立雙層內(nèi)存架構(gòu)成為可能，其中以DRAM作為性能層,，持久內(nèi)存作為容量層,。而從存儲角度來看，傲騰持久內(nèi)存可被用作基于NAND大容量存儲層之上的性能層,。

　　同時(shí),，英特爾傲騰持久內(nèi)存通過雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU，能夠以DRAM的速度直接進(jìn)行加載和存儲訪問,，同時(shí)它也兼具非易失性,，融合了內(nèi)存和存儲的最佳特性。

　　此外,，英特爾將通過其代號為“ Crow Pass”的第三代英特爾,？傲騰持久內(nèi)存和代號為Sapphire Rapids的英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器進(jìn)一步增強(qiáng)和擴(kuò)展其獨(dú)特的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合。

　　值得一提的是,，今天發(fā)布的三款全新NAND固態(tài)盤代表著TLC和QLC作為大容量固態(tài)盤的主流技術(shù)正式邁入全新時(shí)代,。

　　其中，英特爾?3D NAND 固態(tài)盤670p是用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層（QLC）3D NAND固態(tài)盤,。英特爾固態(tài)盤D7-P5510是全球首個推向市場的144層TLC NAND固態(tài)盤,，而英特爾固態(tài)盤D5-P5316則是業(yè)內(nèi)首個采用了144層QLC NAND的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤。

　　過去十余年間，英特爾始終致力于推動和發(fā)展領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲技術(shù),。