眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額,。但是,，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力,。

　　NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，不需要電源即可保留數(shù)據(jù)。隨著用于數(shù)據(jù)中心的IT設(shè)備和服務(wù)器需要更大的存儲(chǔ)容量,，盡可能多地堆疊薄層已成為NAND閃存芯片制造商的首要任務(wù)。

　　三星尚未公布其最新的NAND堆棧技術(shù),，該技術(shù)超越了其當(dāng)前的128層芯片,，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如SK hynix，美光（Micron）和Kioxia都在爭(zhēng)相展示前沿設(shè)計(jì),。這促使分析人士認(rèn)為,，存儲(chǔ)芯片巨頭可能正在失去其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。去年11月,，美國芯片制造商美光宣布開發(fā)出業(yè)界首款176層NAND閃存芯片,。SK Hynix隨后在12月發(fā)布了自己的176層芯片。

　　日本的Kioxia最近還宣布,，它與Western Digital一起成功開發(fā)了162層3D NAND,。他們說，新產(chǎn)品比以前的112層技術(shù)小40％,，可以提供更高的密度和更低的讀取延遲,。

　　Objective Analysis的半導(dǎo)體行業(yè)分析師Jim Handy表示，三星在NAND閃存行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位不會(huì)很快改變，但他同意三星在堆疊更多層方面正在失去競(jìng)爭(zhēng)力,?！笆堑模锹浜笥诟?jìng)爭(zhēng)對(duì)手,。這并不是三星首次落后于NAND閃存競(jìng)爭(zhēng),。我記得2012年，三星采用27納米工藝的最不先進(jìn)工藝,，而其他所有人都在采用24納米工藝或25納米零件,。”該分析師告訴《韓國時(shí)報(bào)》,。

　　當(dāng)被問及三星為什么尚未宣布其新的NAND閃存具有比162或176層更高的堆棧數(shù)量時(shí),，Handy指出，該公司過于依賴單平臺(tái)技術(shù),，而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將堆棧分為兩層,。

　　據(jù)我所知，擁有更高的堆棧是增加存儲(chǔ)容量的最有效方法,。三星一直在尋求一條更艱難的道路,。三星通過使用單層方法增加了層數(shù)，而其他公司則遷移到了兩層,。從理論上講,，單個(gè)平臺(tái)的生產(chǎn)成本應(yīng)該較低，但是開發(fā)時(shí)間會(huì)更長(zhǎng),，這似乎就是三星落后的原因,。“

　　三星預(yù)計(jì),，隨著更多智能手機(jī)的銷售,，今年對(duì)NAND芯片的需求將會(huì)增加，而長(zhǎng)期的社會(huì)疏離措施也將推動(dòng)筆記本電腦等IT設(shè)備的銷售,。為了滿足服務(wù)器需求,，今年數(shù)據(jù)中心還將越來越多地訂購NAND芯片。

　　為了更好地與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手競(jìng)爭(zhēng),，三星公司還準(zhǔn)備采用雙層方法推出第七代V-NAND，該公司首席財(cái)務(wù)官崔允浩說,。

　　”為了向您提供有關(guān)NAND的更新,，我們的單堆棧第六代V-NAND已經(jīng)完成了產(chǎn)能提升。今年,，我們將擴(kuò)大生產(chǎn),。在下一代產(chǎn)品中，第七代V -NAND，我們計(jì)劃首次采用雙堆棧,，“崔在一月份告訴投資者,。”這將為我們提供行業(yè)中最小的堆疊高度的優(yōu)勢(shì),。最重要的是,，通過使用我們積累的單層堆疊技術(shù)知識(shí)，我們期望即使在多層堆疊的情況下也能保持出色的成本競(jìng)爭(zhēng)力在第七代V-NAND上,?！?/p>

　　盡管該公司有遠(yuǎn)見，但分析師表示,，新方法能否使三星看到明顯更好的結(jié)果還有待觀察,。

　　”開發(fā)單層設(shè)備比較困難，這減慢了三星的發(fā)展速度,。三星表示將為其第七代V-NAND使用兩層方法,。由于三星尚未生產(chǎn)兩層設(shè)備，因此,，甲板上的NAND,，它必須學(xué)習(xí)如何做其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)非常了解的事情?！?/p>

　　但是他并沒有改變他對(duì)三星將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)NAND市場(chǎng)的看法,。”三星正在保持其市場(chǎng)份額的領(lǐng)先地位,。這是該公司的主要重點(diǎn),，因此我認(rèn)為這不會(huì)改變。在技術(shù)上,，三星有時(shí)會(huì)領(lǐng)先,，有時(shí)還會(huì)跟隨。如今,，該公司的NAND技術(shù)落后于某些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,，分析師說。

　　分析師表示,，毫無疑問,，三星將保持其在NAND閃存業(yè)務(wù)中的領(lǐng)先地位，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,，對(duì)韓國公司最大的威脅可能是中國制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),。

　　YMTC去年宣布開發(fā)128層3D NAND，從而在存儲(chǔ)芯片行業(yè)大放異彩,。該公司并未正式宣布它有能力批量生產(chǎn)該產(chǎn)品,，但是128層NAND的成功開發(fā)可能會(huì)增加其在該行業(yè)的占有率,。

　　這位分析師表示，在中國管理者努力使中國成為芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者之一的支持下,，YMTC有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增長(zhǎng),。

　　他說：“三星在NAND閃存中最大的長(zhǎng)期威脅是中國的YMTC。YMTC擁有令人難以置信的資本來籌集新的生產(chǎn)設(shè)施,?！?“只要該公司學(xué)習(xí)如何大量生產(chǎn)NAND閃存，它就會(huì)通過搶占其他NAND閃存制造商的市場(chǎng)份額而迅速增長(zhǎng),。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí),，我相信三星可能會(huì)失去其排名第一的地位?！?/p>