【2021年4月1日,，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）,。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證,，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用,，包括航天和工業(yè)應用,。 

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝,，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標準（-40 °C至85°C）,。5 V和3 V版本均支持用于航天,、通信和導航系統以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統的引導代碼,、數據記錄和校準數據存儲,。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統,。 

Infineon Technologies LLC航天與國防業(yè)務副總裁Helmut Puchner表示：“新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位,。我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案,?！?/p>

英飛凌的nvSRAM技術將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術相結合。在正常工作條件下,，nvSRAM的作用類似于傳統的異步SRAM,。斷電時，nvSRAM會自動將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中,，該數據的保護期限超過20年,。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。

供貨情況

現在可以訂購256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM,。