海外研究機(jī)構(gòu)Canalys于2021年5月5日公布了第一季度全球電腦市場(chǎng)報(bào)告：全球電腦市場(chǎng)出貨量同比增長(zhǎng)53.1%,，達(dá)到了1.221億臺(tái),。在這其中,，谷歌的Chromebook增長(zhǎng)最為明顯,，出貨量1200萬臺(tái)，同比增長(zhǎng)274.6%,。除此之外,，平板電腦增長(zhǎng)51.7%,，出貨量3970萬臺(tái)。

　　PC及平板電腦的出貨量大漲,，對(duì)于DDR內(nèi)存的需求也增大,，在DDR5已經(jīng)開始推向市場(chǎng)的當(dāng)口，本文較為詳細(xì)介紹了DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),、國內(nèi)外DDR5產(chǎn)品的上市時(shí)間,，以及性能和價(jià)格的波動(dòng)，為消費(fèi)者選擇DDR4還是即將普及的DDR5做參考,，同時(shí)也為市場(chǎng)提供DDR5的相關(guān)參考,。

　　2020年7月：DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

　　盡管在2017年，負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn),，鎂光,、三星等廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品，甚至在去年幾個(gè)廠商都已經(jīng)開始逐漸量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,。但是直到2020年7月,，JEDEC才正式發(fā)布了DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)，而且起跳就是4800MHz,，這比原先想象的要高出不少,。

　　DDR5標(biāo)準(zhǔn)

　　據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)介紹，全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將為開發(fā)人員提供兩倍性能并大大提高電源效率,。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下,，最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps，與之對(duì)比,，在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps。此外,，DDR5也改善了DIMM的工作電壓,，將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn),。

　　在內(nèi)存密度方面,，DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個(gè)內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍,。如此高的內(nèi)存密度,，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)最高40個(gè)單元的堆疊,，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB,。

　　如上圖所示，在針腳設(shè)計(jì)上,，DDR5內(nèi)存將保持與DDR4相同的288個(gè)引腳數(shù),，但因?yàn)槠洳捎昧穗p通道設(shè)計(jì),，對(duì)應(yīng)引腳布局也發(fā)生了一些改變，故DDR4內(nèi)存和DDR5產(chǎn)品是無法兼容的,。這代表著用戶要想使用最新的DDR5內(nèi)存,，需要更換支持該標(biāo)準(zhǔn)的最新款主板才行。

　　量產(chǎn)計(jì)劃

　　實(shí)際上,，最早公布DDR5量產(chǎn)計(jì)劃的內(nèi)存廠商是Rambus,，早在2017年Rambus就宣稱已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室完成了DDR5內(nèi)存的研發(fā)，并打算在2019年量產(chǎn),，但是顯然Rambus的計(jì)劃并沒有能夠?qū)崿F(xiàn),。在2019年宣布量產(chǎn)DDR5內(nèi)存的廠商實(shí)際是鎂光和三星。不過在之前的信息中,，DDR5內(nèi)存的規(guī)格是3200MHz和4800MHz兩種,，而且內(nèi)存廠商也表示：即使DDR5是3200MHz的頻率，帶寬也依然比DDR4 3200要高出36%,。所以大家一直以為DDR5內(nèi)存也會(huì)從3200MHz開始,。

　　不過在JEDEC公布的DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，顯然和之前廠商公布的計(jì)劃和性能有了區(qū)別,。按照J(rèn)EDEC的說法,，DDR5內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4800MHz起,，頻率部分比DDR4 3200MHz增加了50%,，而總傳輸帶寬則提升了38%。而最關(guān)鍵的一點(diǎn)是,，DDR5內(nèi)存未來最高可達(dá)到的頻率為8400MHz,，這幾乎奠定了未來數(shù)年里DDR5內(nèi)存在PC領(lǐng)域不可動(dòng)搖的位置。

　　而在其他方面,，根據(jù)公布的標(biāo)準(zhǔn)來看,，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps,。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,，也就是減少功耗。此外,，芯片級(jí)別的ECC,、更好的設(shè)計(jì)伸縮性、更高的電壓耐受度等都保證了性能,、產(chǎn)能,、工藝水準(zhǔn)等。

　　此外在大家關(guān)注的容量問題上,，目前DDR5內(nèi)存單顆芯片可以達(dá)到64Gb,，也就是8GB,，如果單面設(shè)計(jì)4顆芯片，那么內(nèi)存容量可以達(dá)到32GB,，雙面則可達(dá)到64GB,，如果單面做到8顆芯片，那么容量最大則可達(dá)到128GB,。當(dāng)然至于內(nèi)存顆粒容量的設(shè)計(jì),，以及單條內(nèi)存最大的容量，則需要廠商自己衡量,。從目前PC的發(fā)展來看,，大內(nèi)存并不是剛需，所以至少在初期,，單條DDR5內(nèi)存能做到16GB的容量就應(yīng)該能滿足用戶的需求了,。應(yīng)該說在服務(wù)器上，大容量的DDR5內(nèi)存才有更多發(fā)揮的空間,。

　　至于DDR5內(nèi)存正式應(yīng)用在PC平臺(tái)的時(shí)間點(diǎn),，現(xiàn)在來看用戶還需要等待一陣。即使是最激進(jìn)的AMD,，在明年的Zen 3+處理器上,，依然會(huì)使用DDR4內(nèi)存，而Intel明年發(fā)布的第十一代酷睿桌面處理器也會(huì)采用目前相同的針腳設(shè)計(jì),，這意味著Intel也會(huì)繼續(xù)使用DDR4內(nèi)存,。AMD最早使用DDR5內(nèi)存的平臺(tái)將是今年的服務(wù)器平臺(tái)，但在民用PC平臺(tái)上要等待2022年的Zen 4架構(gòu)處理器才會(huì)用上DDR5,；至于Intel則要等到十二代酷睿桌面處理器才有希望用上DDR5內(nèi)存,，那也是2022年的事情。

　　所以不出意外的話,，市場(chǎng)要在2022年才能看到大量DDR5內(nèi)存以及支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)上市,。當(dāng)然，這并不妨礙現(xiàn)在廠商們就開始對(duì)DDR5的青睞,，AMD,、Intel,、鎂光,、三星、海力士等廠商紛紛為DDR5站臺(tái)表示全力支持,，而鎂光和三星更是已經(jīng)開始正式量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,。雖然要等待2022年才能用上DDR5內(nèi)存，不過Intel和AMD的新一代企業(yè)級(jí)平臺(tái)在下半年都將啟動(dòng),，屆時(shí)都會(huì)采用DDR5服務(wù)器內(nèi)存,。

　　這樣看來,，反而是手機(jī)行業(yè)在內(nèi)存上走得比較快一點(diǎn)，至少現(xiàn)在LPDDR5內(nèi)存已經(jīng)在旗艦手機(jī)上普及了,！等PC開始普及DDR5內(nèi)存的時(shí)候,，估計(jì)手機(jī)的內(nèi)存應(yīng)該進(jìn)化到LPDDR5X了

　　2021年3月：國內(nèi)首家DDR5內(nèi)存實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)官宣！性能秒殺DDR4

　　距離JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)2012-09-26公布DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)接近9年的時(shí)間,。2020年7月,，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)也正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開始,。

　　自2020年以來,，5G、AI,、汽車,、電競(jìng)市場(chǎng)需求的居高不下，加速推動(dòng)了DDR產(chǎn)品迭代以及技術(shù)升級(jí),。DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后,，DDR5新技術(shù)應(yīng)用也受到業(yè)內(nèi)的強(qiáng)烈關(guān)注，2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代的快速發(fā)展的重要階段,。

　　作為眼下最前沿的存儲(chǔ)技術(shù),，DDR5可謂是風(fēng)光無兩。已經(jīng)有網(wǎng)友考慮是不是要等DDR5內(nèi)存產(chǎn)品出來再換新機(jī),？很明顯,，在可以預(yù)見的未來數(shù)年內(nèi)，DDR5將為存儲(chǔ)市場(chǎng)再次注入無限活力,。到底DDR5是不是像標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范里說的這么強(qiáng)呢,？恐怕還得看看實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)才能讓人信服。

　　DDR5內(nèi)存最高速率可達(dá)6400Mbps,，是DDR4的兩倍

　　2021年3月,，江波龍電子（以下簡(jiǎn)稱“Longsys”）發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1），涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型,，分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC,。在實(shí)測(cè)檢驗(yàn)中，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升,。

　　全方位數(shù)據(jù)測(cè)試,，性能穩(wěn)定突出

　　Longsys DRAM研發(fā)經(jīng)過多年的積累，在DDR5新一代產(chǎn)品上率先開展測(cè)試技術(shù)投入,，此次測(cè)試特別選取了部分測(cè)試數(shù)據(jù)首次面向公眾開放,。其中，展示的測(cè)試實(shí)例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配Longsys DDR5 32GB 內(nèi)存模組,，并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng),，分別通過魯大師和AIDA64兩個(gè)熟知的軟件展示DDR5的真實(shí)數(shù)據(jù)。

　?。ㄍㄟ^BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道）

　　魯大師測(cè)試數(shù)據(jù)首先呈現(xiàn)的是硬件配置,，內(nèi)存識(shí)別為L(zhǎng)ongsys ID。

　　魯大師測(cè)試中Longsys DDR5 32GB內(nèi)存的跑分高達(dá)19萬分有余

　　AIDA64測(cè)試數(shù)據(jù)通過測(cè)試,，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB內(nèi)存讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分,。

　　為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度，還加入了DDR4的測(cè)試對(duì)比,。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,，Longsys DDR5在性能上實(shí)現(xiàn)了很大的提升。

　　核心指標(biāo)揭秘,，Longsys DDR5新技術(shù)強(qiáng)大之處

　　糾錯(cuò)能力增加在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運(yùn)算能力上,，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯(cuò)碼（ECC），全面實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力,，進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)完整性,，同時(shí)也緩解了系統(tǒng)錯(cuò)誤校正負(fù)擔(dān)并充分利用DRAM讀寫的高效機(jī)制。

　　增加16n的預(yù)取模式BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,，信號(hào)能夠更完整高效地傳遞,。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性,，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍,。

　　端到端的接收模式的強(qiáng)化在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA,、CS類信號(hào)也使用了ODT,。因此，Longsys DDR5內(nèi)存進(jìn)一步減少了信號(hào)脈沖的反射干擾效應(yīng),，讓信號(hào)傳輸更加純凈,。

　　DDR5 Bank Group 翻倍DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍，并且每個(gè)Group的Bank數(shù)量保持不變,。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲,，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率，允許更多頁面同時(shí)被打開,。

　　SAME-BANK Refresh刷新模式Longsys DDR5根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)還實(shí)現(xiàn)了一個(gè)新特性,，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個(gè)BG中的一個(gè)Bank,，使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作,。

　　出色的內(nèi)存解決方案,，對(duì)市場(chǎng)將形成全方位影響力

　　FORESEE DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）

　　未來的應(yīng)用場(chǎng)景不斷革新和進(jìn)步,，對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更嚴(yán)苛的要求,，亦大大加速了DDR5發(fā)展進(jìn)程，各大主流平臺(tái)對(duì)于DDR5的支持也推進(jìn)迅速,。據(jù)悉,，Intel方面預(yù)計(jì)今年第三季度就有支持DDR5的平臺(tái)上市。而驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力來自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,，比如服務(wù)器,、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心,、高性能計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域均有望得到重點(diǎn)部署,，此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。

　　Lexar雷克沙 DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）

　　隨著全球大量資本進(jìn)入電競(jìng)市場(chǎng),，促進(jìn)了電競(jìng)行業(yè)日漸普及與成熟,，這也讓電競(jìng)玩家對(duì)內(nèi)存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,，不僅能夠助力電競(jìng)玩家擁有更流暢的電競(jìng)體驗(yàn),，亦能帶動(dòng)電競(jìng)行業(yè)的可持續(xù)性發(fā)展。非但如此,，對(duì)于白領(lǐng)用戶,，特別是設(shè)計(jì)師、剪輯師等對(duì)設(shè)備性能有剛需的職業(yè),，Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率,，將更多時(shí)間留給創(chuàng)造性工作。

　　Longsys緊跟存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展前沿,，為了滿足行業(yè)的專業(yè)人士以及廣大用戶對(duì)未來產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,，進(jìn)而為存儲(chǔ)行業(yè)應(yīng)用的未來提供更多可能性。此外,，Longsys旗下技術(shù)型存儲(chǔ)品牌FORESEE以及高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌Lexar雷克沙也將為各自主要應(yīng)用領(lǐng)域提供強(qiáng)有力的支持,。

　　盡管Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線起步較晚，但能夠在技術(shù)創(chuàng)新的征途上愈戰(zhàn)愈勇,，源于Longsys專注存儲(chǔ)行業(yè)20余年的技術(shù)底蘊(yùn),，以及打造高品質(zhì)存儲(chǔ)產(chǎn)品的決心。截止2021年3月12日,，Longsys申請(qǐng)專利總數(shù)達(dá)到838個(gè),，其中境外專利申請(qǐng)178項(xiàng)；已授權(quán)且維持有效專利411項(xiàng),、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項(xiàng),；軟件著作權(quán)65項(xiàng)。在緊握自主創(chuàng)新能力的同時(shí)，注重對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù),。

　　在大家重點(diǎn)關(guān)注的2021年,，Longsys將會(huì)給用戶提供更多DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務(wù)，助力行業(yè)客戶,、終端用戶投入DDR5到未來的應(yīng)用場(chǎng)景中,，為存儲(chǔ)生態(tài)領(lǐng)域增添色彩。

　　2021年3月：宇瞻宣布推動(dòng)成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟

　　三星,、美光,、SK海力士的DDR5芯片已經(jīng)出樣測(cè)試了，DDR5內(nèi)存模組也有產(chǎn)品亮相,，就是還需等待平臺(tái)支持,。

　　內(nèi)存大廠宇瞻宣布推動(dòng)成立DDR5生態(tài)聯(lián)盟，公布DDR5全產(chǎn)品線發(fā)展藍(lán)圖,，涵蓋服務(wù)器,、工業(yè)級(jí)、消費(fèi)型與電競(jìng)四大類別,。

　　宇瞻表示,，為了讓DDR5內(nèi)存盡快落地，除了支持平臺(tái)之外,，零部件整合與測(cè)試的作用也不可小視,。

　　在DDR5生態(tài)聯(lián)盟中，從DRAM芯片顆粒,、CPU,、主板，關(guān)鍵零組件如PCB,、RCD,、DB、電源管理IC,、SPD Hub與溫度感測(cè)器,，到測(cè)試軟件與SPD燒錄器，聯(lián)盟將以群策群力的方式整合DDR5關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證,，加速上下游伙伴技術(shù)發(fā)展及深化,，成功打造目前最接近量產(chǎn)的DDR5芯片。

　　根據(jù)宇瞻的消息,，他們的DDR5內(nèi)存首先會(huì)選擇UDIMM規(guī)格,，接著是RDIMM、SODIMM,，也就是PC桌面級(jí)內(nèi)存先發(fā),，然后才是服務(wù)器,、筆記本市場(chǎng)。

　　DDR5支持平臺(tái)主要是Intel的12代酷睿Alder Lake系列,，服務(wù)器級(jí)的Sapphire Rapids-SP,，AMD的平臺(tái)主要是Zen4架構(gòu)EPYC，也是下下代的Genoa,，預(yù)計(jì)在2022年問世。

　　至于產(chǎn)品的上市時(shí)間,，DDR5內(nèi)存將在今年下半年開始送樣,，2022年才會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)。

　　2021年4月：首批國產(chǎn)阿斯加特DDR5內(nèi)存量產(chǎn)下線,，美光顆粒,，4800MHz

　　今年3月底，國內(nèi)廠商嘉合勁威表示,，正在積極備貨DRAM內(nèi)存顆粒,，有機(jī)會(huì)國內(nèi)率先量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。4月26日,，嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,，首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉，已經(jīng)完成備貨,，預(yù)計(jì)會(huì)在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時(shí)候上市,。

　　早在今年2月份，阿斯加特就推出了首款DDR5內(nèi)存條,。3月份,，美光的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒到廠后，嘉合勁威就進(jìn)入積極備貨狀態(tài),，截至今日,，首批產(chǎn)品終于量產(chǎn)下線，不過距離上市銷售還需要較長(zhǎng)一段時(shí)間,。

　　阿加斯特首批DDR5內(nèi)存條采用美光DRAM顆粒制造,，提供16GB和32GB兩個(gè)容量規(guī)格，頻率均為4800MHz,，電壓1.1V,，時(shí)序?yàn)?0-40-40。首批產(chǎn)品定位為入門級(jí),，規(guī)格性能并不高,，主要是為了滿足玩家嘗鮮的需求。

　　阿拉斯加官方表示,，未來還會(huì)生產(chǎn)更大容量,，更高頻率的DDR5內(nèi)存,。從目前曝光的信息中了解到，阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,，最高為128GB 6400MHz,，預(yù)計(jì)在2022年量產(chǎn)。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號(hào),，計(jì)劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布,。

　　和DDR4內(nèi)存相比，DDR5功耗更低,，穩(wěn)定性和安全性更高,，而且在容量、頻率等方面能實(shí)現(xiàn)數(shù)倍的提升,，有助于更徹底地發(fā)揮處理器的性能,。嘉合勁威公布的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存在讀寫,、拷貝速度上顯著高于DDR4內(nèi)存,，但延遲較高。不過,，該內(nèi)存將支持On-die-ECC糾錯(cuò)功能,，且單條即可實(shí)現(xiàn)雙通道，相比DDR4內(nèi)存的升級(jí)還是非常大的,。

　　上個(gè)月,，外媒曝光了三星首款DDR5內(nèi)存，據(jù)說是基于HKMG工藝技術(shù)打造,，單條最高容量可達(dá)到512GB,，頻率可達(dá)到7200MHz，相比DDR4內(nèi)存,，提升幅度相當(dāng)驚人,。目前阿加斯特最高規(guī)格型號(hào)與三星相比也有很大差距，看來在高端內(nèi)存方面,，國內(nèi)廠商還需要繼續(xù)努力,。

　　不過，DDR5內(nèi)存并沒有那么快普及,，最快需要等到英特爾12代酷睿和600系列主板的發(fā)布,，才會(huì)正式支持DDR5內(nèi)存。所以,，大家不需要急著想買DDR5內(nèi)存,，現(xiàn)在能買到也用不了。

　　2021年5月：金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計(jì)第三季度發(fā)貨

　　2021年注定是DDR5內(nèi)存元年,，多家內(nèi)存品牌最近都曝光了DDR5內(nèi)存條,，現(xiàn)在全球內(nèi)存著名廠商金士頓的DDR5內(nèi)存也來了,，預(yù)計(jì)Q3季度上市。該內(nèi)存不僅會(huì)支持XMP超頻文件,，還可以獨(dú)立控制電源管理,，這將帶來額外的內(nèi)存超頻靈活性，使得內(nèi)存電壓可以超過標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的1.1V,。金士頓預(yù)計(jì)在Q3季度開始上市 DDR5內(nèi)存,，不出意外的話首發(fā)應(yīng)該是Intel的Alder Lake平臺(tái)，也就是12代酷睿,，現(xiàn)在基本上確認(rèn)配套的600系主板支持DDR5內(nèi)存,。

　　未來DDR5內(nèi)存的頻率有望超過10000MHz。預(yù)計(jì)在今年,，金士頓會(huì)推出16GB,、32GB,、64GB,、128GB的內(nèi)存產(chǎn)品，速度為4800MHz或5600MHz,。DDR5內(nèi)存的性能有望提升至DDR4的兩倍,，目前DDR4內(nèi)存的極限超頻頻率為7GHz，因此新一代內(nèi)存超頻至10GHz將十分有可能,。

　　DDR5內(nèi)存的問世,，為桌面電腦性能的提升提供了可靠的硬件保障。DDR5內(nèi)存的起跳頻率就在4800MHz,，相對(duì)于DDR4提升了38%,，最高頻率未來更是有可能達(dá)到1000MHz。據(jù)悉DDR5內(nèi)存將從16GB起步,，這也就意味著內(nèi)存單顆核心容量可以達(dá)到2GB,，理論上內(nèi)存最大容量可以達(dá)到512GB。高頻和大容量?jī)?nèi)存可以大幅提高電腦的響應(yīng)時(shí)間和多任務(wù)處理器能力,。

　　帶有PCIe 5.0和DDR5內(nèi)存的英特爾Alder Lake-S CPU將在11月上市

　　英特爾將在今年11月推出其第12代Alder Lake-S處理器,，并支持最新的內(nèi)存和I / O技術(shù)，例如DDR5,，PCIe 5.0等,。這家總部位于克拉拉（Clara）的芯片制造商目前正在向其董事會(huì)合作伙伴介紹新產(chǎn)品的發(fā)布情況，并由他們來決定自己的主板將支持更新的DDR5內(nèi)存接口還是堅(jiān)持使用DDR4,。

　　正如之前的報(bào)道,，預(yù)算H610和B660板將保留DDR4內(nèi)存，而更高端的Z690陣容將過渡到DDR5,。這意味著Core i3和低端Core i5 SKU將主要使用DDR4內(nèi)存,，而Core i7和i9部件將利用更快的DDR5內(nèi)存,。可以說關(guān)于PCIe 5.0的支持也是如此,，因?yàn)樗枰黾拥膶訑?shù),。

　　由于該公司將改用Alder Lake-S更新的LGA1700插座，因此現(xiàn)有的散熱器將再次不兼容,，并且用戶升級(jí)也必須在該方面進(jìn)行新的購買,。

　　就核心架構(gòu)本身而言，您可能聽說過數(shù)百次,，Alder Lake將采用混合核心架構(gòu),，其中包含高性能（Golden Cove）核心集群和低功耗（Grace Mont）核心集群。它的主要測(cè)試將在軟件方面,，因?yàn)檩^舊的應(yīng)用程序可能無法區(qū)分兩個(gè)不同的群集,，從而導(dǎo)致性能不理想。

　　考慮到英特爾在PC市場(chǎng)中的影響力,，大多數(shù)主流應(yīng)用程序和游戲應(yīng)迅速優(yōu)化并適當(dāng)支持新處理器,。考慮到Grace Mont或多或少會(huì)與Skylake（盡管在較低頻率下）相提并論,，因此應(yīng)該在某種程度上減輕了AMD和Intel之間的核心數(shù)量差異,。但是，由于AMD仍在使用同構(gòu)核心設(shè)計(jì),，因此應(yīng)在多線程性能領(lǐng)域中保持領(lǐng)先地位,。

　　三星推出模組電源管理芯片解決方案

　　現(xiàn)在三星已經(jīng)推出了面向DDR5雙列直插式存儲(chǔ)模塊（DIMM）的集成式電源管理芯片（PMIC）。其中包括S2FPD01,、S2FPD02,、以及S2FPC01。

　　據(jù)悉,，新一代DDR5DRAM的一項(xiàng)重大設(shè)計(jì)改進(jìn),，就是將PMIC也集成到了內(nèi)存模組上（前幾代仍將PMIC放在主板端）。

　?。▉碜裕篠amsung Newsroom）

　　TechPowerUp 指出,，集成 PMIC 的最大益處，就是能夠帶來更高的兼容性和信號(hào)完整度,，輔以持久可靠的性能表現(xiàn),。

　　為了提升性能效率和負(fù)載下的瞬態(tài)響應(yīng)，三星還為面向 DDR5 內(nèi)存模組的新型 PMIC 配備了高效率的混合柵極驅(qū)動(dòng)和專有的控制設(shè)計(jì)（基于異步的雙相降壓控制方案）,。

　　該方案允許 DC 電壓的高瞬態(tài)響應(yīng)輸出,，負(fù)載電流的變化也能夠適時(shí)地調(diào)整轉(zhuǎn)換，以將輸出電壓有效地調(diào)節(jié)到接近恒定的水平,。輔以脈沖寬度和脈沖頻率調(diào)制方法,，可防止切換模式時(shí)的延遲和故障,。

　　三星表示，對(duì)于實(shí)時(shí)運(yùn)行繁重的分析,、機(jī)器 / 深度學(xué)習(xí),、以及其它各種計(jì)算密集型任務(wù)的數(shù)據(jù)中心 / 企業(yè)服務(wù)器來說，S2FPD01 和 S2FPD02 這兩款 DDR5 DIMM PMIC 能夠助其實(shí)現(xiàn)最佳性能,。

　　具體說來,，F(xiàn)PD01 專為低密度模組而設(shè)計(jì)，而 FPD02 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的密度,。此外通過實(shí)現(xiàn)高效的混合柵極驅(qū)動(dòng)（而不是線性穩(wěn)壓器）,，三星新型 PMIC 可達(dá)成 91% 的運(yùn)行功率能效。

　　至于 S2FPC01 這款 PMIC,，則是專為臺(tái)式機(jī) / 筆記本電腦而設(shè)計(jì),。其采用 90nm 工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，能夠以較小的封裝帶來更高的敏捷性能,。

　　目前上述三款 DDR5 DIMM PMIC 正在向客戶出樣,，相信不久后，我們就可以在諸多不同的應(yīng)用領(lǐng)域都見到它們的身影,。

　　DDR4內(nèi)存漲價(jià),，該不該等DDR5,？

　　由于需求的增加以及廠商的減產(chǎn),，從2020年底開始，市面上內(nèi)存價(jià)格就出現(xiàn)比較明顯的上漲,，直到現(xiàn)在價(jià)格還未到定點(diǎn),。因此就有用戶覺得既然DDR5內(nèi)存就要來了，這時(shí)是不是就不用買DDR4了,，直接上DDR5呢,？

　　DDR4內(nèi)存漲價(jià)明顯

　　在2020年中的時(shí)候，DDR4內(nèi)存價(jià)格觸底,，甚至出現(xiàn)了比較嚴(yán)重的庫存積壓?jiǎn)栴},。產(chǎn)品價(jià)格太低，會(huì)影響上游廠商的盈利,。所以從去年下半年開始,，三星、SK海力士和美光三家紛紛削減內(nèi)存資本開支,，意味廠商著要削減內(nèi)存芯片產(chǎn)能,，影響市場(chǎng)上的供需平衡。再加上去年頻發(fā)的意外事件,，比如中國臺(tái)灣的美光晶圓廠多次出現(xiàn)停工,，三星華城芯片工廠則是因?yàn)閰^(qū)域電力傳輸電纜出現(xiàn)問題而斷電,，導(dǎo)致三星停產(chǎn)了3天DRAM內(nèi)存顆粒，相當(dāng)于全球1%的產(chǎn)能,。

　　在這些因素共同的努力下,，從去年底開始，DDR4內(nèi)存價(jià)格終于上漲,，去年才300多元的DDR4 3200 16GB現(xiàn)在價(jià)格已經(jīng)翻倍,，達(dá)到了600元以上。與此同時(shí),，更老的DDR3內(nèi)存因?yàn)槿必泝r(jià)格漲得更多,，像駭客神條 Fury雷電系列DDR4 1600 8GB都賣到499元。

　　DDR5頻率,、容量暴漲

　　去年7月15日,，JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范：DDR5內(nèi)存起步頻率3200MHz，最高可達(dá)到6400MHz,，比起DDR4 2400MHz的起步頻率高了不少,，目前各廠商首先宣布的產(chǎn)品，頻率都是從4800MHz起跳,，頻率提升的同時(shí),，性能上也有更好的表現(xiàn)。與此同時(shí),，DDR5內(nèi)存的容量也更大,，各家首發(fā)產(chǎn)品基本都是16GB起，而且內(nèi)存工作電壓為1.1V,，比DDR4的1.2V低,。

　　一句話總結(jié)，DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)在于速度更快,、功耗更低,、且支持芯級(jí)ECC糾錯(cuò)。既然DDR5內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)如此明顯,，而且從各方的消息來看,，今年無論是DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品還是相關(guān)的平臺(tái)都會(huì)上市，那么現(xiàn)在是否應(yīng)該放棄DDR4直接等DDR5呢,？

　　DDR5想要普及尚需時(shí)日,，2022年都難

　　雖然各大內(nèi)存廠商非常重視DDR5內(nèi)存，很快就推出了DDR5內(nèi)存的樣品,，但是DDR5內(nèi)存想要取代DDR4卻不是一朝一夕,。先不說DDR5內(nèi)存的上市價(jià)格（估計(jì)不會(huì)便宜），僅從平臺(tái)對(duì)其的支持進(jìn)度就能一窺究竟。

　　商用平臺(tái)對(duì)普通玩家影響不大,，我們主要考查的是消費(fèi)級(jí)平臺(tái)對(duì)于 DDR5內(nèi)存的支持情況,。Intel方面，年底推出的Alder Lake第12代酷睿就將加入對(duì)DDR5內(nèi)存的支持,?？墒菑哪壳暗那闆r來看，這一代酷睿平臺(tái)應(yīng)該也是DDR4/DDR5共存的情況,。有消息披露華碩的旗艦,、高端Z690主板都會(huì)搭配DDR5內(nèi)存，中低端則繼續(xù)搭檔DDR4內(nèi)存,?？梢娫诘?2代酷睿平臺(tái)上，DDR5內(nèi)存很可能只面對(duì)高端用戶群體,，不菲的價(jià)格并不是主流玩家所能承受的,，他們的選擇依然是DDR4內(nèi)存。當(dāng)然也不排除中端會(huì)出現(xiàn)同時(shí)提供DDR5/DDR4兩種內(nèi)存插槽的產(chǎn)品,，DDR2/3,、DDR3/4過渡時(shí)代都曾有此類產(chǎn)品，但這并不是主流,。

　　至于AMD方面,，Zen4新平臺(tái)的上市時(shí)間就有些撲朔迷離了。剛開始說今年第5nm制程并支持DDR5內(nèi)存的Zen4處理器就將上市,?？墒亲钚孪⑹牵赯en4之前AMD還有一代過渡性質(zhì)的升級(jí)版的Zen3 XT或者叫Zen3 Refresh,。要到2022年9~10月份才會(huì)宣布,，10~11月份上市,，也就是說從現(xiàn)在算起還有一年半的時(shí)間我們才能買到Zen4架構(gòu)的銳龍7000處理器,。

　　可見DDR5想要普及的速度其實(shí)并不快，Intel平臺(tái)雖然可以率先支持,，但可能只是高端主板才能支持,。而 AMD Zen4平臺(tái)甚至明年底才會(huì)推出，產(chǎn)品大規(guī)模上市也就是2023年的事情了,。

　　可以說消費(fèi)級(jí)平臺(tái)真正要全面支持DDR5內(nèi)存,，也要等到2023年才會(huì)完全普及，如果你等不了那么久的話,，不妨繼續(xù)用DDR4吧,。

　　結(jié)語：DDR5內(nèi)存上市時(shí)間或延后，價(jià)格由市場(chǎng)決定

　　2021年，

　　3月,，有消息說DDR5內(nèi)存下半年出樣：2022年量產(chǎn),。

　　4月，嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,，首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉,，已經(jīng)完成備貨，預(yù)計(jì)會(huì)在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時(shí)候上市,。

　　阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,，最高為128GB 6400MHz，預(yù)計(jì)在2022年量產(chǎn),。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號(hào),，計(jì)劃在下半年進(jìn)行生產(chǎn)和發(fā)布。

　　5月,，有消息表示金士頓DDR5內(nèi)存預(yù)計(jì)第三季度發(fā)貨,。

　　然而，由于受到疫情影響導(dǎo)致芯片短缺,，波及各產(chǎn)業(yè)鏈和生產(chǎn)代工廠,，因此，DDR5內(nèi)存的上市時(shí)間或許會(huì)延后,。

　　由于內(nèi)存市場(chǎng)波動(dòng)很大,，DDR5上市以后的價(jià)格也將根據(jù)當(dāng)時(shí)的情況由廠家和市場(chǎng)決定。