一份最新報(bào)告指出，從 DDR4 到 DDR5 內(nèi)存的過(guò)渡應(yīng)該是迅速的,。
根據(jù)行業(yè)專家Yole Developpement的一份報(bào)告,，DDR5 的廣泛采用應(yīng)該會(huì)在 2022 年開始，從服務(wù)器市場(chǎng)和企業(yè)界開始,。然后在 2023 年，我們將最終看到主流市場(chǎng)廣泛采用 DDR5,，手機(jī),、筆記本電腦和 PC 將充分利用該技術(shù)。事實(shí)上,，我們應(yīng)該會(huì)在 2023 年看到DDR5 出貨量超過(guò) DDR4,，這標(biāo)志著兩種技術(shù)之間的快速過(guò)渡。
更具體地說(shuō),，據(jù)估計(jì),，2022 年 DDR5 的采用率將增加 25%（感謝服務(wù)器市場(chǎng)），然后在 2023 年實(shí)現(xiàn)更大的躍升,，達(dá)到超過(guò) 50% 的市場(chǎng)份額,。最后，到 2024 年至 2026 年,，我們應(yīng)該預(yù)計(jì)其他市場(chǎng)將效仿 DDR5 的采用,，使 DDR4 僅占市場(chǎng)的 5%。
巨大的需求應(yīng)該會(huì)加速向 DDR5 的遷移,，需求已經(jīng)顯著回升（盡管 2019 年存在供過(guò)于求的問(wèn)題）,。事實(shí)上，該公司預(yù)測(cè)DRAM市場(chǎng)價(jià)值 1200億美元,，NAND 市場(chǎng)價(jià)值 680億美元,，創(chuàng)歷史新高。這種趨勢(shì)應(yīng)該會(huì)持續(xù)到 2026 年,，屆時(shí)內(nèi)存市場(chǎng)的價(jià)值應(yīng)該會(huì)超過(guò) 2000 億美元,。
DDR5是對(duì)當(dāng)前 DDR4 內(nèi)存架構(gòu)的重大升級(jí)。DDR5 的帶寬將是 DDR4 的兩倍,，以及芯片密度的四倍,。這將允許顯著更高容量的 DIMM,，同時(shí)以較低的工作電壓運(yùn)行。DDR5 還具有內(nèi)置 ECC 支持以提高可靠性,，但這是一種芯片級(jí)技術(shù),，不符合保護(hù)傳輸中數(shù)據(jù)的成熟 ECC 內(nèi)存技術(shù)的要求。因此,，我們也將看到 DDR5 內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)和 ECC 風(fēng)格,。
DDR5的優(yōu)勢(shì)
作DDR4 的后繼者，DDR5 是下一代同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （SDRAM）,。DDR 存儲(chǔ)器可在單個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)發(fā)送和接收兩次數(shù)據(jù)信號(hào),，并允許更快的傳輸速率和更高的容量。
雖然 DDR 內(nèi)存中的大多數(shù)開發(fā)都是適度的增量,，重點(diǎn)是性能改進(jìn)以滿足服務(wù)器和個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序要求,，但從 DDR4 到 DDR5 的跨越是一個(gè)更大的飛躍。在需要更多帶寬的驅(qū)動(dòng)下,，DDR5 在強(qiáng)大的封裝中帶來(lái)了全新的架構(gòu),。
計(jì)算能力的迅速發(fā)展使中央處理器制造商努力提供盡可能多的核心數(shù)量。不久前,，個(gè)人計(jì)算機(jī)用戶只能期待 4 核芯片?，F(xiàn)在，大多數(shù)中央處理器制造商會(huì)提供 6 核中端芯片和 12 核高端芯片,。對(duì)于服務(wù)器解決方案,，制造商們提供多達(dá) 64 內(nèi)核。當(dāng)前服務(wù)器內(nèi)存解決方案（如 DDR4）不能滿足這些高核計(jì)數(shù)中央處理器的帶寬需求,。
信號(hào)完整性,、電源傳輸和布局復(fù)雜性限制了每個(gè)內(nèi)核的內(nèi)存帶寬進(jìn)度。要釋放下一代中央處理器的強(qiáng)大功能,，需要新的內(nèi)存架構(gòu),，以符合其更高的每核帶寬要求。這是開發(fā) DDR5 SDRAM 解決方案的主要驅(qū)動(dòng)力,。
為滿足下一代中央處理器的需求，DDR5 帶來(lái)了更高的數(shù)據(jù)速率,、更低的能耗和更高的密度,。DDR5 發(fā)布后的最大數(shù)據(jù)速率為 4800MT/s（百萬(wàn)次/秒），而 DDR4 為 3200MT/s,。系統(tǒng)級(jí)仿真中的并行比較顯示,，DDR5 的有效帶寬約為 DDR4 的 1.87 倍。
DDR5 將突發(fā)長(zhǎng)度增加到 BL16,，約為 DDR4 的兩倍,，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率,。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫(kù)內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn),。此外,，DDR5 使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍，這是通過(guò)在任意給定時(shí)間打開更多頁(yè)面來(lái)提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素,。所有這些因素都意味著更快,、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計(jì)算的需求。但是,，DDR5 不僅提高了性能,，還提高了可擴(kuò)展性。
經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 DRAM 核心計(jì)時(shí)和芯片內(nèi)糾錯(cuò)碼是提高 DDR5 可擴(kuò)展性的兩個(gè)主要因素,。雖然內(nèi)存架構(gòu)逐年擴(kuò)展,，但它的代價(jià)是 DRAM 單元電容的下降和位線接觸電阻的增加。DDR5 解決了這些缺點(diǎn),，并允許通過(guò)優(yōu)化的核心計(jì)時(shí)進(jìn)行更可靠的擴(kuò)展,，這對(duì)于確保有足夠的時(shí)間在 DRAM 單元中寫入、存儲(chǔ)和檢測(cè)電荷至關(guān)重要,。
芯片內(nèi)糾錯(cuò)碼 （ECC） 通過(guò)輸出數(shù)據(jù)之前在讀取命令期間執(zhí)行更正,，提高了數(shù)據(jù)完整性并減少了系統(tǒng)糾錯(cuò)負(fù)擔(dān)。DDR5 還引入了錯(cuò)誤檢查清理,，其中 DRAM 將在發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)讀取內(nèi)部數(shù)據(jù)并寫回已更正的數(shù)據(jù),。
為了提高記憶體的存取效能，DDR8采用由8個(gè)Bank Group組成的32 Bank（可以單獨(dú)啟用/停用的存儲(chǔ)單元）架構(gòu),，比DDR4由4個(gè)Bank Group組成的16 Bank架構(gòu),，多出1倍的存取可用性（Access Availability）。而DDR5的Burst Length（DRAM單個(gè)讀/寫指令可以存取的資料量）從DDR4的8增加到16,，也是增加效能的關(guān)鍵功能,。
不同于DDR4在更新（Refresh）時(shí)無(wú)法執(zhí)行其他操作，DDR5則透過(guò)Same Bank Refresh功能,，讓系統(tǒng)可以在更新某些Bank的時(shí)候,，存取其他Bank的資料，另一方面DDR5也透過(guò)決策回饋等化器（Decision Feedback Equalization,，DFE）消除雜訊,，以增加整體效能表現(xiàn)。
在電力消耗部分,，DDR5的工作電壓為1.1V,，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達(dá)20％以上。