你是否有如下經(jīng)歷：

　　當(dāng)好不容易下載一款流行游戲，登錄游戲開黑時發(fā)現(xiàn)游戲界面并不流暢，一陣卡頓猛如虎，體驗效果極差,。一陣檢查，驚訝地發(fā)現(xiàn)是內(nèi)存條的容量不足造成的,。

　　當(dāng)電腦出現(xiàn)啟動故障等問題時,，可能只需要插拔一下內(nèi)存條，問題就解決了,。原因竟是插拔內(nèi)存條可以磨去因插槽與內(nèi)存條接觸層的氧化,，從而解決CPU無法識別內(nèi)存條的問題。

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　　在揭開內(nèi)存條的歷史之前,，想問下大家,，內(nèi)存條到底是個什么東西？

　　答案：一般是指隨機(jī)存取存儲器（RAM）,，又稱為主存,。在計算機(jī)中，它屬于與CPU直接進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的內(nèi)部存儲器,。因為內(nèi)存條可以隨時讀寫（除刷新時以外）并且速度很快,，所以，它成為了操作系統(tǒng)或者其它正在運行程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),。

　　現(xiàn)在，內(nèi)存條已成為計算機(jī)中不可或缺的重要角色,。在當(dāng)今的服務(wù)器中,，內(nèi)存條的好壞幾乎決定著服務(wù)器的性能好壞。小小身板的內(nèi)存條,，竟蘊藏著大大的力量與價值,。

　　然而，在古老的計算機(jī)上是不存在內(nèi)存條的,。那么,，它是如何出現(xiàn)的，又是如何逐漸發(fā)展起來并成為計算機(jī)的重要組成部分呢,？這些問題,，我們得從磁芯開始說起。

　　1 內(nèi)存條的誕生

　　在計算機(jī)誕生初期,，內(nèi)存條的概念還沒有出現(xiàn),。最早的內(nèi)存都是通過磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯和晶體管組成一個玉米粒大小的1bit存儲器,。因此,，當(dāng)時的計算機(jī)的內(nèi)存容量十分有限,，基本不超過百K字節(jié)。

　　后來,，隨著集成電路的逐漸發(fā)展,，內(nèi)存開始作為一塊集成內(nèi)存芯片直接焊接在主板上，體積縮小,，其內(nèi)存容量可達(dá)到64KB-256KB,。每個主板一般會焊上8-9個集成內(nèi)存芯片，從而較好地滿足當(dāng)時的計算需求,。

　　雖然這種設(shè)計合理有效,，但是，由于集成內(nèi)存芯片直接焊接在主板上,，如果其中一塊損壞,，需要重新焊接更換，風(fēng)險較高,。而且,，隨著圖形操作系統(tǒng)的出現(xiàn)，這種直接焊接主板的內(nèi)存極大地限制了人們對于內(nèi)存維護(hù)與拓展的渴望,。因此,，可插拔、模塊化的內(nèi)存條便呼之欲出,。

　　2 內(nèi)存條的發(fā)展歷程

　　內(nèi)存條的發(fā)展大致經(jīng)歷了SIMM,、EDO DRAM、SDR SDRAM,、DDR幾個階段,，內(nèi)存容量，也從最初的KB時代,、MB時代發(fā)展到目前以GB為單位的時代,。

　　SIMM

　　1982年，Intel公司發(fā)布一款80286處理器,，對應(yīng)搭載該款處理器的286電腦就此誕生,。這對內(nèi)存的性能提出更高要求。為了有效提高內(nèi)存容量和讀寫速度,，獨立封裝的內(nèi)存條就此應(yīng)運而生,。在最初誕生的內(nèi)存條，孫大衛(wèi)和杜紀(jì)川創(chuàng)新性地采用了SIMM（Single In-line Memory Modules,，單列直插式存儲模塊）接口,，并創(chuàng)立今天仍舊耳熟能詳?shù)腒ingston（金士頓）公司。該內(nèi)存條具有30pin（針腳），容量達(dá)到256KB,。此時的內(nèi)存開始呈條狀結(jié)構(gòu),，“內(nèi)存條”一詞才開始被逐漸使用。

　　1988-1990年,，隨著PC發(fā)展迎來386時代和486時代,，對應(yīng)適配的72pin SIMM內(nèi)存條開始出現(xiàn)，其單條的容量一般達(dá)到512KB-2MB,，而且僅要求兩條內(nèi)存條同時使用,。30pin SIMM內(nèi)存條因無法與此時的計算機(jī)兼容而遭到淘汰。

　　EDO DRAM

　　1991年到1995年期間,，內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展較為緩慢EDO DRAM（Extended Data Output RAM,，外擴(kuò)數(shù)據(jù)模式存儲器）實際上屬于72pin SIMM內(nèi)存條的延伸。EDO DRAM采用全新的尋址方式,，取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個周期之間的時間間隔,，在將數(shù)據(jù)發(fā)送至CPU時能同步訪問下一個頁面，從而提高速率,。而且,，利用當(dāng)時先進(jìn)的制作工藝，使得EDO DRAM的制作成本下降,，其單條EDO DRAM內(nèi)存的容量也提高到了4-16MB,。因此，EDO DRAM便開始流行,。

　　此時,，Intel的Pentium處理器也占據(jù)自身486電腦的部分市場份額。但是,，由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度達(dá)到64bit甚至更高,，EDO DRAM內(nèi)存條要求必須成對使用。隨著Intel公司的 Celeron系列以及AMD公司的K6處理器和相關(guān)主板芯片組相繼推出后,，EDO DRAM內(nèi)存的性能因無法達(dá)到新一代CPU架構(gòu)的升級需求而遭到人們的棄用，內(nèi)存條便從此邁入SDRAM時代,。

　　SDR SDRAM

　　隨著內(nèi)存技術(shù)的革新,，原來的SIMM升級為DIMM（Dual In-line Memory Modules，雙列直插式存儲模塊）,，雙列可傳輸不同數(shù)據(jù),。由此，內(nèi)存條發(fā)展進(jìn)入SDR SDRAM （Single Data Rate Synchronous DRAM,，單速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）時代,。

　　SDRAM就是同步DRAM，即其內(nèi)存頻率和CPU外頻保持同步，從而提高數(shù)據(jù)傳輸速率,。Intel公司與AMD公司的頻率競備時代由此拉開,。第一代的SDR SDRAM內(nèi)存為PC66規(guī)范，其中的數(shù)字66即代表66MHz,。隨著Intel公司與AMD公司的CPU外頻不斷提升,，SDR SDRAM的內(nèi)存頻率也從早期的66MHz一直發(fā)展到了100MHz、133MHz,，并逐步出現(xiàn)能夠滿足一些超頻用戶需求的PC150規(guī)范,、PC166規(guī)范。

　　盡管后來市場上一度出現(xiàn)PC600和PC700,。但是PC600,、PC700分別因Intel820芯片組“失誤”事件和成本過高而逐漸遭到大眾的放棄。此時,，我們熟悉的DDR時代來了,。

　　Rambus DRAM

　　為了達(dá)到占據(jù)市場的目的，Intel公司曾與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣的Rambus DRAM,，簡稱RDRAM,。Rambus DRAM作為Intel公司意圖替換SDR SDRAM的新型內(nèi)存條，其采用新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu),，從而提高整個系統(tǒng)的性能,。但是，搭配Intel 850芯片組,，使用RDRAM的Socket423的奔騰4平臺頻率高效率低,，無法與AMD K7和DDR內(nèi)存條的組合相媲美。而且,，RDRAM的制造成本高,。因此，RDRAM并沒有達(dá)到預(yù)想的期望,。Intel公司最終無奈地決定放棄RDRAM,，也相繼投奔到DDR中。

　　DDR

　　2000年,，JDDEC（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會）發(fā)布DDR的標(biāo)準(zhǔn),。

　　DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous DRAM，雙速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器,，簡稱DDR1）,，即雙倍速率SDRAM，又簡稱為DDR,。作為SDR SDRAM的升級版,，DDR在時鐘周期的上升沿和下降沿各傳輸一次信號,，從而使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率能達(dá)到SDR SDRAM的兩倍，且功耗沒有增加,。因此,，DDR的出現(xiàn)獲得許多主板廠家的青睞。下面出現(xiàn)的不同類型的內(nèi)存條都屬于DDR的衍生產(chǎn)品,。

　　DDR2

　　2004年,，DDR2內(nèi)存條與Intel公司的915/925主板一同誕生。DDR2（Double Data Rate 2）是由JEDEC開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),。DDR2與DDR最大的不同之處在于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于上一代DDR的數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力,，即每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行,。并且,，其標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V，從而達(dá)到省電的效果,。其容量在256MB到2GB之間,，以2GB容量為主，部分DDR2內(nèi)存能達(dá)到4GB,。

　　DDR3

　　2007年,，DDR3內(nèi)存與Intel公司發(fā)布3系列芯片組一同誕生。DDR3與DDR2的區(qū)別在于DDR3的電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V,，DDR3的數(shù)據(jù)讀預(yù)取也從4-bit翻倍到8-bit,，從而性能更好更省電。

　　DDR4

　　DDR4在保持DDR3相同的數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力的同時,，采用BG（Bank Group）設(shè)計,，重點提高速率和帶寬。目前,，存在使用Single-ended Signaling信號的DDR4和基于差分信號的DDR4,。DDR4的頻率至少2133MHz，高頻甚至能夠達(dá)到4200MHz,、4600MHz,。

　　DDR5

　　對于未來的DDR5，2020年7月,，JEDEC已正式公布DDR5標(biāo)準(zhǔn),。其標(biāo)準(zhǔn)頻率達(dá)到4800MHz。與DDR4相比,，其在速度、容量,、能耗和穩(wěn)定性都有了全方位的提升,。目前，部分廠家已完成DDR5內(nèi)存條的研發(fā)與發(fā)布，在不久的將來,，DDR5也會逐步地推廣和普及,。

　　3 各類內(nèi)存條性能比較

　　如今，內(nèi)存條已成為計算機(jī)乃至服務(wù)器中不可或缺的組成部分,?？萍及l(fā)展日新月異，未來內(nèi)存條的發(fā)展會往什么趨勢前進(jìn),，讓我們一起拭目以待吧,！