你是否有如下經(jīng)歷：

　　當(dāng)好不容易下載一款流行游戲,，登錄游戲開黑時(shí)發(fā)現(xiàn)游戲界面并不流暢,，一陣卡頓猛如虎，體驗(yàn)效果極差,。一陣檢查,，驚訝地發(fā)現(xiàn)是內(nèi)存條的容量不足造成的。

　　當(dāng)電腦出現(xiàn)啟動(dòng)故障等問(wèn)題時(shí),，可能只需要插拔一下內(nèi)存條,，問(wèn)題就解決了。原因竟是插拔內(nèi)存條可以磨去因插槽與內(nèi)存條接觸層的氧化,，從而解決CPU無(wú)法識(shí)別內(nèi)存條的問(wèn)題,。

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　　在揭開內(nèi)存條的歷史之前，想問(wèn)下大家,，內(nèi)存條到底是個(gè)什么東西,？

　　答案：一般是指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），又稱為主存,。在計(jì)算機(jī)中,，它屬于與CPU直接進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的內(nèi)部存儲(chǔ)器。因?yàn)閮?nèi)存條可以隨時(shí)讀寫（除刷新時(shí)以外）并且速度很快,，所以,，它成為了操作系統(tǒng)或者其它正在運(yùn)行程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。

　　現(xiàn)在,，內(nèi)存條已成為計(jì)算機(jī)中不可或缺的重要角色,。在當(dāng)今的服務(wù)器中，內(nèi)存條的好壞幾乎決定著服務(wù)器的性能好壞,。小小身板的內(nèi)存條,，竟蘊(yùn)藏著大大的力量與價(jià)值,。

　　然而，在古老的計(jì)算機(jī)上是不存在內(nèi)存條的,。那么,，它是如何出現(xiàn)的，又是如何逐漸發(fā)展起來(lái)并成為計(jì)算機(jī)的重要組成部分呢,？這些問(wèn)題,，我們得從磁芯開始說(shuō)起。

　　1 內(nèi)存條的誕生

　　在計(jì)算機(jī)誕生初期,，內(nèi)存條的概念還沒(méi)有出現(xiàn),。最早的內(nèi)存都是通過(guò)磁芯的形式排列在線路上，每個(gè)磁芯和晶體管組成一個(gè)玉米粒大小的1bit存儲(chǔ)器,。因此,，當(dāng)時(shí)的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存容量十分有限，基本不超過(guò)百K字節(jié),。

　　后來(lái),，隨著集成電路的逐漸發(fā)展，內(nèi)存開始作為一塊集成內(nèi)存芯片直接焊接在主板上,，體積縮小,，其內(nèi)存容量可達(dá)到64KB-256KB。每個(gè)主板一般會(huì)焊上8-9個(gè)集成內(nèi)存芯片,，從而較好地滿足當(dāng)時(shí)的計(jì)算需求。

　　雖然這種設(shè)計(jì)合理有效,，但是,，由于集成內(nèi)存芯片直接焊接在主板上，如果其中一塊損壞,，需要重新焊接更換,，風(fēng)險(xiǎn)較高。而且,，隨著圖形操作系統(tǒng)的出現(xiàn),，這種直接焊接主板的內(nèi)存極大地限制了人們對(duì)于內(nèi)存維護(hù)與拓展的渴望。因此,，可插拔,、模塊化的內(nèi)存條便呼之欲出。

　　2 內(nèi)存條的發(fā)展歷程

　　內(nèi)存條的發(fā)展大致經(jīng)歷了SIMM,、EDO DRAM,、SDR SDRAM、DDR幾個(gè)階段,，內(nèi)存容量,，也從最初的KB時(shí)代,、MB時(shí)代發(fā)展到目前以GB為單位的時(shí)代。

　　SIMM

　　1982年,，Intel公司發(fā)布一款80286處理器,，對(duì)應(yīng)搭載該款處理器的286電腦就此誕生。這對(duì)內(nèi)存的性能提出更高要求,。為了有效提高內(nèi)存容量和讀寫速度,，獨(dú)立封裝的內(nèi)存條就此應(yīng)運(yùn)而生。在最初誕生的內(nèi)存條,，孫大衛(wèi)和杜紀(jì)川創(chuàng)新性地采用了SIMM（Single In-line Memory Modules,，單列直插式存儲(chǔ)模塊）接口，并創(chuàng)立今天仍舊耳熟能詳?shù)腒ingston（金士頓）公司,。該內(nèi)存條具有30pin（針腳）,，容量達(dá)到256KB。此時(shí)的內(nèi)存開始呈條狀結(jié)構(gòu),，“內(nèi)存條”一詞才開始被逐漸使用,。

　　1988-1990年，隨著PC發(fā)展迎來(lái)386時(shí)代和486時(shí)代,，對(duì)應(yīng)適配的72pin SIMM內(nèi)存條開始出現(xiàn),，其單條的容量一般達(dá)到512KB-2MB，而且僅要求兩條內(nèi)存條同時(shí)使用,。30pin SIMM內(nèi)存條因無(wú)法與此時(shí)的計(jì)算機(jī)兼容而遭到淘汰,。

　　EDO DRAM

　　1991年到1995年期間，內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展較為緩慢EDO DRAM（Extended Data Output RAM,，外擴(kuò)數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器）實(shí)際上屬于72pin SIMM內(nèi)存條的延伸,。EDO DRAM采用全新的尋址方式，取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)周期之間的時(shí)間間隔,，在將數(shù)據(jù)發(fā)送至CPU時(shí)能同步訪問(wèn)下一個(gè)頁(yè)面,，從而提高速率。而且,，利用當(dāng)時(shí)先進(jìn)的制作工藝,，使得EDO DRAM的制作成本下降，其單條EDO DRAM內(nèi)存的容量也提高到了4-16MB,。因此,，EDO DRAM便開始流行。

　　此時(shí),，Intel的Pentium處理器也占據(jù)自身486電腦的部分市場(chǎng)份額,。但是，由于Pentium及更高級(jí)別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度達(dá)到64bit甚至更高,，EDO DRAM內(nèi)存條要求必須成對(duì)使用,。隨著Intel公司的 Celeron系列以及AMD公司的K6處理器和相關(guān)主板芯片組相繼推出后,，EDO DRAM內(nèi)存的性能因無(wú)法達(dá)到新一代CPU架構(gòu)的升級(jí)需求而遭到人們的棄用，內(nèi)存條便從此邁入SDRAM時(shí)代,。

　　SDR SDRAM

　　隨著內(nèi)存技術(shù)的革新,，原來(lái)的SIMM升級(jí)為DIMM（Dual In-line Memory Modules，雙列直插式存儲(chǔ)模塊）,，雙列可傳輸不同數(shù)據(jù),。由此，內(nèi)存條發(fā)展進(jìn)入SDR SDRAM （Single Data Rate Synchronous DRAM,，單速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）時(shí)代,。

　　SDRAM就是同步DRAM，即其內(nèi)存頻率和CPU外頻保持同步,，從而提高數(shù)據(jù)傳輸速率,。Intel公司與AMD公司的頻率競(jìng)備時(shí)代由此拉開。第一代的SDR SDRAM內(nèi)存為PC66規(guī)范,，其中的數(shù)字66即代表66MHz,。隨著Intel公司與AMD公司的CPU外頻不斷提升，SDR SDRAM的內(nèi)存頻率也從早期的66MHz一直發(fā)展到了100MHz,、133MHz,，并逐步出現(xiàn)能夠滿足一些超頻用戶需求的PC150規(guī)范、PC166規(guī)范,。

　　盡管后來(lái)市場(chǎng)上一度出現(xiàn)PC600和PC700,。但是PC600、PC700分別因Intel820芯片組“失誤”事件和成本過(guò)高而逐漸遭到大眾的放棄,。此時(shí),，我們熟悉的DDR時(shí)代來(lái)了。

　　Rambus DRAM

　　為了達(dá)到占據(jù)市場(chǎng)的目的,，Intel公司曾與Rambus公司聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣的Rambus DRAM，簡(jiǎn)稱RDRAM,。Rambus DRAM作為Intel公司意圖替換SDR SDRAM的新型內(nèi)存條,，其采用新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的性能,。但是,，搭配Intel 850芯片組，使用RDRAM的Socket423的奔騰4平臺(tái)頻率高效率低,，無(wú)法與AMD K7和DDR內(nèi)存條的組合相媲美,。而且，RDRAM的制造成本高,。因此,，RDRAM并沒(méi)有達(dá)到預(yù)想的期望,。Intel公司最終無(wú)奈地決定放棄RDRAM，也相繼投奔到DDR中,。

　　DDR

　　2000年,，JDDEC（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)）發(fā)布DDR的標(biāo)準(zhǔn)。

　　DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous DRAM,，雙速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,，簡(jiǎn)稱DDR1），即雙倍速率SDRAM,，又簡(jiǎn)稱為DDR,。作為SDR SDRAM的升級(jí)版，DDR在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿各傳輸一次信號(hào),，從而使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率能達(dá)到SDR SDRAM的兩倍,，且功耗沒(méi)有增加。因此,，DDR的出現(xiàn)獲得許多主板廠家的青睞,。下面出現(xiàn)的不同類型的內(nèi)存條都屬于DDR的衍生產(chǎn)品。

　　DDR2

　　2004年,，DDR2內(nèi)存條與Intel公司的915/925主板一同誕生,。DDR2（Double Data Rate 2）是由JEDEC開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。DDR2與DDR最大的不同之處在于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于上一代DDR的數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力,，即每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。并且,，其標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V,，從而達(dá)到省電的效果。其容量在256MB到2GB之間,，以2GB容量為主,，部分DDR2內(nèi)存能達(dá)到4GB。

　　DDR3

　　2007年,，DDR3內(nèi)存與Intel公司發(fā)布3系列芯片組一同誕生,。DDR3與DDR2的區(qū)別在于DDR3的電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，DDR3的數(shù)據(jù)讀預(yù)取也從4-bit翻倍到8-bit,，從而性能更好更省電,。

　　DDR4

　　DDR4在保持DDR3相同的數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力的同時(shí)，采用BG（Bank Group）設(shè)計(jì),，重點(diǎn)提高速率和帶寬,。目前，存在使用Single-ended Signaling信號(hào)的DDR4和基于差分信號(hào)的DDR4。DDR4的頻率至少2133MHz,，高頻甚至能夠達(dá)到4200MHz,、4600MHz。

　　DDR5

　　對(duì)于未來(lái)的DDR5,，2020年7月,，JEDEC已正式公布DDR5標(biāo)準(zhǔn)。其標(biāo)準(zhǔn)頻率達(dá)到4800MHz,。與DDR4相比,，其在速度、容量,、能耗和穩(wěn)定性都有了全方位的提升,。目前，部分廠家已完成DDR5內(nèi)存條的研發(fā)與發(fā)布,，在不久的將來(lái),，DDR5也會(huì)逐步地推廣和普及。

　　3 各類內(nèi)存條性能比較

　　如今,，內(nèi)存條已成為計(jì)算機(jī)乃至服務(wù)器中不可或缺的組成部分,。科技發(fā)展日新月異,，未來(lái)內(nèi)存條的發(fā)展會(huì)往什么趨勢(shì)前進(jìn),，讓我們一起拭目以待吧！