為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。

　　連同面向 65W 至 400W 應(yīng)用的MasterGaN1,、MasterGaN2 和MasterGaN4,，這兩款新產(chǎn)品為設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)式電源、充電器、適配器,、高壓功率因數(shù)校正 （PFC） 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 （GaN） 器件和驅(qū)動(dòng)解決方案提供了更多的靈活性,。

　　意法半導(dǎo)體的 MasterGaN 概念簡(jiǎn)化了GaN 寬禁帶功率技術(shù)替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進(jìn)程。新產(chǎn)品集成兩個(gè) 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和相關(guān)的安全保護(hù)電路,，消除了柵極驅(qū)動(dòng)器和電路布局設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),。因?yàn)?GaN 晶體管可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設(shè)計(jì)縮小 80%,，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性,。

　　MasterGaN3 的兩個(gè) GaN 功率晶體管的導(dǎo)通電阻值 （Rds（on））不相等，分別為 225mΩ 和 450mΩ ,，使其適用于軟開(kāi)關(guān)和有源整流變換器,。在 MasterGaN5 中，兩個(gè)晶體管的導(dǎo)通電阻值 （Rds（on））都是450mΩ,，適用于 LLC 諧振和有源鉗位反激變換器等拓?fù)洹?/p>

　　與MasterGaN產(chǎn)品家族的其他成員一樣,，這兩款器件都有兼容3.3V 至 15V 邏輯信號(hào)的輸入，從而簡(jiǎn)化了產(chǎn)品本身與 DSP處理器,、FPGA 或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設(shè)備的連接,。新產(chǎn)品還集成了安全保護(hù)功能，包括高低邊欠壓鎖定 （UVLO）,、柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖,、過(guò)熱保護(hù)和關(guān)斷引腳。

　　每款MasterGaN產(chǎn)品都有一個(gè)配套的專(zhuān)用原型開(kāi)發(fā)板,，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)新的電源項(xiàng)目,。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5開(kāi)發(fā)板都包含一個(gè)單端或互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生器電路。板載一個(gè)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器,，以及相關(guān)的設(shè)備接口,，方便用戶(hù)采用不同的輸入信號(hào)或 PWM 信號(hào)，連接一個(gè)外部自舉二極管來(lái)改進(jìn)容性負(fù)載,，為峰流式拓?fù)洳迦胍粋€(gè)低邊檢流電阻,。

　　MasterGaN3 和 MasterGaN5 現(xiàn)已量產(chǎn)，采用針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化的9mm x 9mm GQFN 封裝,，高低壓焊盤(pán)間爬電距離為 2mm,。