《電子技術(shù)應(yīng)用》
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泰科天潤:碳化硅快速切入各個領(lǐng)域,,新能源或?qū)⒊蔀樽畲蟪砷L動力

2021-10-14
來源:探索科技TechSugar

電動化浪潮之下,,各類包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的新材料及新型功率器件正突破傳統(tǒng)材料的限制,,推動著電子電力技術(shù)發(fā)展,。新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展也給半導(dǎo)體芯片帶來機遇,。去年開始受疫情影響,,全球的半導(dǎo)體行業(yè)有些萎縮,,但車規(guī)半導(dǎo)體市場在逆勢增長,,尤其是SiC市場的倍速增長,。這也得益于國內(nèi)半導(dǎo)體在第三代材料領(lǐng)域的深耕,為汽車廠商和主機廠提供了更多的選擇,。正值全球缺芯潮演變之際,,中國芯片原廠處在急劇變化的市場環(huán)境之中,需在機遇與挑戰(zhàn)里尋求突破,。

2021年10月28-30日在深圳國際會展中心(寶安新館),,慕尼黑華南電子展(electronica South China)融合眾多行業(yè)關(guān)鍵力量,強勢歸來,!屆時中國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一——泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(以下簡稱:泰科天潤)營銷副總經(jīng)理秋琪受邀,,與探索科技(techsugar)就SiC產(chǎn)品的供需將如何演變,未來幾年SiC行業(yè)的成長動力,,以及中國第三代半導(dǎo)體企業(yè)將以何優(yōu)勢爭奪市場等問題進行探討,。

SiC快速切入各個領(lǐng)域

SiC快速切入各應(yīng)用領(lǐng)域。電力電子技術(shù)是以電子(弱電)為手段去控制電力(強電)的技術(shù),,使電網(wǎng)的工頻電能最終轉(zhuǎn)換成不同性質(zhì),、不同用途的電能,,以適應(yīng)不同用電裝臵的不同需求。秋琪認(rèn)為,,SiC適用于高頻,、大功率,對功率密度要求比較高的電源方向,,這基本上跟電力電子發(fā)展方向一致的,,電源的發(fā)展將與SiC芯片的特性緊密結(jié)合。

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今年是泰科天潤在SiC芯片領(lǐng)域深耕的第十年,,泰科天潤的產(chǎn)品已經(jīng)廣泛運用于工業(yè)類如大功率LED電源,、PC 電源、通信電源,、光伏逆變器以及充電樁的充電模塊等,,車載類的電源如OBC、 DCDC等,,消費類例如PD快充,。

本次參展,泰科天潤帶來了新型超薄款的SiC封裝產(chǎn)品,,如SOD123,、DFN5*6、DFN8*8等,,這些新型產(chǎn)品相對傳統(tǒng)的TO貼片封裝,,特點在于極薄,它的厚度只有1mm,。DFN8*8也沒有引腳,,可以減少因器件封裝的寄生電感過大而導(dǎo)致的問題。而SOD123封裝的650V 1A產(chǎn)品更是泰科天潤全球首創(chuàng)最小的SiC二極管,。這些超薄款的新型封裝非常適用于對體積要求非常嚴(yán)苛的電源應(yīng)用領(lǐng)域,,以取代高電壓小電流的硅的Frd,解決其Trr的痛點問題,。泰科天潤的SiC器件650V/2A-100A,,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,,3300V/0.6A-50A等系列的產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),,泰科天潤是國內(nèi)首家取得第三方AEC-Q101和DNV-USCG認(rèn)證可靠性測試報告的SiC原廠,產(chǎn)品質(zhì)量達到了比肩國際同行業(yè)的先進水平,。

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圖:泰科天潤全球首創(chuàng)最小的SiC二極管

——650V 1A SOD12

受益于IDM模式,,泰科天潤的SiC產(chǎn)品由4寸升級至6寸,產(chǎn)品的性價比得到大幅度提升,。在今年7月份,,泰科天潤6英寸SiC生產(chǎn)線通線,,投片40工程批次以上,綜合良率90%以上,,9月份完成可靠性實驗,,批量化出貨。據(jù)秋琪介紹,,在橫向同樣的量級下,,泰科天潤的產(chǎn)品由4寸更新到6寸,性價比可以提高20%左右,。

供需缺口持續(xù),,新能源或?qū)⒊蔀樽畲蟪砷L動力

由于SiC處于穩(wěn)定向上發(fā)展的趨勢,未來幾年內(nèi)供需缺口會持續(xù)存在,。秋琪分析到,,首先未來的電源方向是小型化、輕量化,,講究高功率密度,,新興領(lǐng)域如電動車必須使用SiC材料。其次,,從4寸到6寸乃至未來的8寸,,SiC成本下降從而下沉分割硅的市場,例如泰科天潤DFN8*8等便是打入市場的一款SiC產(chǎn)品,。

未來智能化最好的載體在新能源汽車,,功率器件最強大的成長動力在新能源汽車。秋琪表示,,在電動車?yán)锩嫘枰罅康钠囯娮雍碗姎獾钠骷?,它們對整機的總價值,、尺寸,、總量、動態(tài)性能,、過載能力,、耐用性 和可靠性起著十分重要的作用。硅基IGBT 作為主導(dǎo)型功率器件,,在新能源車中應(yīng)用于電動控制系統(tǒng),、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系 統(tǒng)中,,約占整車成本的 7%-10%,,是除電池以外成本第二高的元件,也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件,。當(dāng)下IGBT芯片發(fā)展到現(xiàn)在能耗進一步降低已經(jīng)變得非常困難,,接下來人們更看好的是SiC另一方面,,為了支持快充業(yè)務(wù),以及支持更大功率密度,、高可靠,,需要功率器件具有更強的性能,基于SiC的新一代的汽車功率器件也將大放異彩,。

IDM模式加速國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體發(fā)展

國產(chǎn)從主打性價比的國產(chǎn)替代路線,,逐漸跨入以SiC跨入硅市場的自主創(chuàng)新階段。秋琪分析到,,在第三代半導(dǎo)體方面,,國內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯,。她進一步解釋到,,就SiC二極管這一類別來說,國內(nèi)外水平已經(jīng)持平,;在SiC Mosfet方面,,國內(nèi)外還有一些差距;在GaN方面,,我國的GaN射頻設(shè)備市場規(guī)模正在持續(xù)增長,,其主要支柱以及主要增長動力為軍備國防、無線通信基礎(chǔ)設(shè)施,;在硅基GaN方面,,如今主要應(yīng)用于消費充電頭,由于消費類對成本非常敏感,,以及產(chǎn)品自身的技術(shù)門檻低于工業(yè)類與車載類,,國內(nèi)外差距在不久之后將不再明顯。

當(dāng)前SiC器件的發(fā)展方向明確,,國內(nèi)原廠占據(jù)天時地利,。對于國內(nèi)SiC環(huán)境,秋琪分析表示,,在這兩年在中美貿(mào)易戰(zhàn),、國外疫情以及東南亞封裝廠的停工等外因擠壓下,早年間對國內(nèi)廠商持觀望態(tài)度的國外廠商逐漸敞開懷抱,,同時本土客戶也持開放的態(tài)度與國內(nèi)原廠交流,。另一方面,一些國外友商跟歐美車廠之間存在深度綁定,,對其他客戶的供應(yīng)能力下降,,國內(nèi)的標(biāo)桿客戶由于供應(yīng)不夠,便會考慮包括國產(chǎn)SiC在內(nèi)的國產(chǎn)半導(dǎo)體。

IDM模式是泰科天潤很大的一個優(yōu)勢,。泰科天潤總部坐落于北京,,在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸SiC半導(dǎo)體工藝晶圓生產(chǎn)線。泰科天潤作為一個IDM公司,,將設(shè)計與工藝整合達到使得產(chǎn)品最優(yōu)的結(jié)構(gòu),,最優(yōu)的良率。泰科天潤打通了與下游客戶的不斷磨合,、挖掘用戶的使用痛點,、能結(jié)合SiC材料的天然優(yōu)勢進行自主創(chuàng)新的道路。




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