上海2021年10月29日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn),。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件,，包括寄存時鐘驅(qū)動器 （RCD）,、數(shù)據(jù)緩沖器 （DB）,、串行檢測集線器 （SPD Hub）、溫度傳感器 （TS） 和電源管理芯片 （PMIC）,，可為DDR5 RDIMM,、LRDIMM、UDIMM,、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案,。

　　隨著信息技術的飛速發(fā)展，內(nèi)存技術現(xiàn)已發(fā)展至DDR5世代,。作為業(yè)界領先的內(nèi)存接口芯片組供應商和JEDEC內(nèi)存標準的積極貢獻者,，瀾起科技專注于內(nèi)存接口技術的持續(xù)創(chuàng)新，這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB,，支持的最高速率達4800Mbps,，是DDR4最高速率的1.5倍,；接口電壓低至1.1V，能耗更低,；采用創(chuàng)新的信號校準協(xié)議及均衡技術,，大幅提高了內(nèi)存信號完整性。

　　與DDR4內(nèi)存模組相比,，DDR5內(nèi)存模組在架構上進行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外,，還需要搭配其它專用配套芯片,。瀾起科技精準把握這一技術趨勢，首次推出了DDR5 PMIC,、TS 及SPD Hub這三款配套芯片,，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測,、I3C串行總線及路由等輔助功能,。這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度,、容量,、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務器,、臺式機及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求,。

　　10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態(tài)伙伴,，瀾起科技應邀參加了英特爾舉辦的在線創(chuàng)新峰會 （Intel Innovation）,，并在英特爾官網(wǎng)布置虛擬展臺，以視頻,、圖片和宣傳彩頁等形式向業(yè)界展示了這五款芯片及其應用場景,。

　　瀾起科技在英特爾創(chuàng)新峰會布置虛擬展臺

　　瀾起科技的銷售及商務拓展副總裁Geof Findley表示：“瀾起在內(nèi)存接口芯片領域深耕多年，基于DDR2,、DDR3,、DDR4這幾代產(chǎn)品的成功研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗，我們非常高興能為英特爾最新一代的服務器和客戶端產(chǎn)品提供性能更強,、可靠性更高的DDR5內(nèi)存接口解決方案,。”

　　英特爾公司數(shù)據(jù)平臺集團副總裁兼內(nèi)存和IO技術總經(jīng)理Carolyn Duran表示：“英特爾與瀾起科技在內(nèi)存領域已密切合作了十多年,，熱切期待在DDR5內(nèi)存世代繼續(xù)與瀾起科技展開深度合作,。”

　　展望未來,，瀾起科技將以自身在內(nèi)存接口領域的深厚積累和生態(tài)優(yōu)勢,，持續(xù)為客戶提供卓越的內(nèi)存接口產(chǎn)品與服務,，為數(shù)據(jù)中心、云計算及人工智能行業(yè)創(chuàng)造更大價值,。

　　如需了解更多產(chǎn)品詳情,，請參閱：https://www.montage-tech.com/cn/Memory_Interface/DDR5