【嘉勤點評】美迪凱的半導(dǎo)體封測專利，通過表面的精細控制，實現(xiàn)了蓋板表面的顆粒尺寸在納米級別，克服了CVD與ALD無法沉積多層膜的問題，消除了限制攝像模組像素性能的不利因素,，滿足了攝像模組向更高像素發(fā)展的需求,。

集微網(wǎng)消息,，美迪凱指出,，公司主要從事光學(xué)光電子,、半導(dǎo)體晶圓、半導(dǎo)體光學(xué),、半導(dǎo)體封測的研發(fā),、制造。公司在超精密加工,、半導(dǎo)體晶圓加工,、半導(dǎo)體光學(xué)設(shè)計及加工、半導(dǎo)體封測等領(lǐng)域均具有核心技術(shù)及自主知識產(chǎn)權(quán),。

隨著CMOS的像素尺寸的日漸縮小,，對其封裝工藝也提出了更高的要求。尺寸大于1個像素的顆粒,，就會造成影像上的黑影,，明顯影響成像品質(zhì)，在CMOS整個成像路徑上,，大尺寸顆粒造成的影響非常大,。在CLCC封裝體提高像素的過程中，其他部件已經(jīng)具備實現(xiàn)更小像素尺寸的條件,，但是蓋板卻因制備工藝的限制,，不能實現(xiàn)表面的精細控制，無法保證表面不出現(xiàn)大尺寸的顆粒,。

為此,，美迪凱于2019年12月30日申請了一項名為“含納米級表面的CLCC封裝體蓋板、封裝體和攝像模組”的發(fā)明專利（申請?zhí)? 201911387147.X）,，申請人為杭州美迪凱光電科技股份有限公司,。

圖1 CLCC封裝體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1為本發(fā)明提出的CLCC封裝體結(jié)構(gòu)示意圖，其中包括基板,，其上貼裝有位于中部的CMOS及位于邊緣位置的電容電阻和驅(qū)動馬達,，基板上設(shè)有一隔離墻底座，其上對應(yīng)基板上CMOS,、電容電阻和驅(qū)動馬達的位置分別設(shè)有CMOS傳感器空位,、電容電阻空位及驅(qū)動馬達空位，CMOS傳感器空位上表面安裝一蓋板,。蓋板通過CVD過程或者ALD過程實現(xiàn)功能膜與襯底的結(jié)合,。

圖2 蓋板表面AFM圖

圖2為蓋板表面AFM圖，上述蓋板為玻璃基板上覆有二氧化硅低折射率層L以及五氧化二鉭高折射率層H的攝像模組光學(xué)元件,。低折射率層L層厚為100-200nm,，折射率為1.46-1.50,；高折射率層H層厚為80-120nm，折射率為2.05-2.2,。

蓋板采用ALD制備方法,，過程如下：首先把玻璃基板放置到原子層反應(yīng)腔中，抽真空至0.6Pa,，加熱到150℃,；以惰性氣體為載體，將SiH作為第一反應(yīng)前體通入到反應(yīng)腔中并化學(xué)吸附在襯底基板表面形成第一膜層,，氣體通入時間30-50ms,；然后泵出多余的第一反應(yīng)前體，用惰性氣體吹掃20-30s,；以惰性氣體為載體,，將臭氧作為第二反應(yīng)前體通入到原子層反應(yīng)腔中，氣體通入時間為20ms,，并與第一膜層發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅低折射率層L,；待反應(yīng)完全后，泵出第二反應(yīng)前體臭氧以及第一反應(yīng)前體與第二反應(yīng)前體臭氧反應(yīng)的副產(chǎn)物,，用惰性氣體吹掃20-30s,，通過等離子轟擊進行表面改性；再以惰性氣體為載體,，將五氯化鉭氣體作為第三反應(yīng)前體并通入到反應(yīng)腔中,，并吸附在低折射率層L的改性后的表面，氣體通入時間為20~30ms,，形成第二膜層,；步驟7：泵出多余的第三反應(yīng)前體，用惰性氣體吹掃20-30s,；以惰性氣體為載體,，將水蒸氣作為第四反應(yīng)前體通入到原子層反應(yīng)腔中，氣體通入時間為20ms,，并與第二膜層發(fā)生反應(yīng),，形成五氧化二鉭折射率層H；最后泵出多余的第四反應(yīng)前體以及第三反應(yīng)前體與第四反應(yīng)前體反應(yīng)的副產(chǎn)物,，用惰性氣體吹掃20-30s,。

簡而言之，美迪凱的半導(dǎo)體封測專利,，通過表面的精細控制,，實現(xiàn)了蓋板表面的顆粒尺寸在納米級別,，克服了CVD與ALD無法沉積多層膜的問題,，消除了限制攝像模組像素性能的不利因素,，滿足了攝像模組向更高像素發(fā)展的需求。

美迪凱主要從事各類光電子光學(xué)半導(dǎo)體的研發(fā)制造,，一直以來,，科技創(chuàng)新是美迪凱的生存、發(fā)展之靈魂,。未來,，公司將繼續(xù)加強科技創(chuàng)新，不斷推出新技術(shù)新產(chǎn)品和新應(yīng)用,，拓寬公司的業(yè)務(wù)領(lǐng)域,。