【嘉勤點評】美迪凱的半導體封測專利,，通過表面的精細控制,，實現(xiàn)了蓋板表面的顆粒尺寸在納米級別，克服了CVD與ALD無法沉積多層膜的問題,，消除了限制攝像模組像素性能的不利因素，滿足了攝像模組向更高像素發(fā)展的需求,。

集微網(wǎng)消息,，美迪凱指出，公司主要從事光學光電子,、半導體晶圓,、半導體光學、半導體封測的研發(fā),、制造,。公司在超精密加工、半導體晶圓加工,、半導體光學設計及加工,、半導體封測等領(lǐng)域均具有核心技術(shù)及自主知識產(chǎn)權(quán)。

隨著CMOS的像素尺寸的日漸縮小,，對其封裝工藝也提出了更高的要求,。尺寸大于1個像素的顆粒，就會造成影像上的黑影，明顯影響成像品質(zhì),，在CMOS整個成像路徑上,，大尺寸顆粒造成的影響非常大。在CLCC封裝體提高像素的過程中,，其他部件已經(jīng)具備實現(xiàn)更小像素尺寸的條件,，但是蓋板卻因制備工藝的限制，不能實現(xiàn)表面的精細控制,，無法保證表面不出現(xiàn)大尺寸的顆粒,。

為此，美迪凱于2019年12月30日申請了一項名為“含納米級表面的CLCC封裝體蓋板,、封裝體和攝像模組”的發(fā)明專利（申請?zhí)? 201911387147.X）,，申請人為杭州美迪凱光電科技股份有限公司。

圖1 CLCC封裝體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1為本發(fā)明提出的CLCC封裝體結(jié)構(gòu)示意圖,，其中包括基板,，其上貼裝有位于中部的CMOS及位于邊緣位置的電容電阻和驅(qū)動馬達，基板上設有一隔離墻底座,，其上對應基板上CMOS,、電容電阻和驅(qū)動馬達的位置分別設有CMOS傳感器空位、電容電阻空位及驅(qū)動馬達空位,，CMOS傳感器空位上表面安裝一蓋板,。蓋板通過CVD過程或者ALD過程實現(xiàn)功能膜與襯底的結(jié)合。

圖2 蓋板表面AFM圖

圖2為蓋板表面AFM圖,，上述蓋板為玻璃基板上覆有二氧化硅低折射率層L以及五氧化二鉭高折射率層H的攝像模組光學元件,。低折射率層L層厚為100-200nm，折射率為1.46-1.50,；高折射率層H層厚為80-120nm,，折射率為2.05-2.2。

蓋板采用ALD制備方法,，過程如下：首先把玻璃基板放置到原子層反應腔中,，抽真空至0.6Pa，加熱到150℃,；以惰性氣體為載體,，將SiH作為第一反應前體通入到反應腔中并化學吸附在襯底基板表面形成第一膜層，氣體通入時間30-50ms,；然后泵出多余的第一反應前體,，用惰性氣體吹掃20-30s；以惰性氣體為載體,，將臭氧作為第二反應前體通入到原子層反應腔中,，氣體通入時間為20ms，并與第一膜層發(fā)生反應形成二氧化硅低折射率層L；待反應完全后,，泵出第二反應前體臭氧以及第一反應前體與第二反應前體臭氧反應的副產(chǎn)物,，用惰性氣體吹掃20-30s，通過等離子轟擊進行表面改性,；再以惰性氣體為載體,，將五氯化鉭氣體作為第三反應前體并通入到反應腔中，并吸附在低折射率層L的改性后的表面,，氣體通入時間為20~30ms,，形成第二膜層；步驟7：泵出多余的第三反應前體,，用惰性氣體吹掃20-30s,；以惰性氣體為載體，將水蒸氣作為第四反應前體通入到原子層反應腔中,，氣體通入時間為20ms,，并與第二膜層發(fā)生反應，形成五氧化二鉭折射率層H,；最后泵出多余的第四反應前體以及第三反應前體與第四反應前體反應的副產(chǎn)物,，用惰性氣體吹掃20-30s。

簡而言之,，美迪凱的半導體封測專利,，通過表面的精細控制，實現(xiàn)了蓋板表面的顆粒尺寸在納米級別,，克服了CVD與ALD無法沉積多層膜的問題，消除了限制攝像模組像素性能的不利因素,，滿足了攝像模組向更高像素發(fā)展的需求,。

美迪凱主要從事各類光電子光學半導體的研發(fā)制造，一直以來,，科技創(chuàng)新是美迪凱的生存,、發(fā)展之靈魂。未來,，公司將繼續(xù)加強科技創(chuàng)新,，不斷推出新技術(shù)新產(chǎn)品和新應用，拓寬公司的業(yè)務領(lǐng)域,。