從制造工藝來看,，憶阻器制造技術(shù)主要有納米壓印,、溶液制備、電子束光刻等,，但這些制備工藝或技術(shù)不成熟,，或效果較差，無法制造出理想的憶阻器產(chǎn)品,。

憶阻器,，全稱為記憶電阻器，是一種表示磁通與電荷關(guān)系的器件,，是有記憶功能的非線性電阻,，其阻值由流經(jīng)的電荷確定,，通過測定阻值，便可計算出流經(jīng)的電荷量,，從而具有記憶電荷作用,，也可以通過控制電流變化來改變其阻值。

憶阻器概念于20世紀(jì)70年代初被提出,，2008年,，美國惠普公司研制出全球首個納米憶阻器。憶阻器可以應(yīng)用在數(shù)據(jù)存儲,、人工智能,、通信等領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)存儲方面,，由于憶阻器具有非易失性,，制造而成的存儲器可以應(yīng)用在計算機(jī)、數(shù)據(jù)中心方面,，即使斷電,，在通電后設(shè)備仍會記憶原有數(shù)據(jù)信息；在人工智能方面,，由于憶阻器具有記憶功能,，可以實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸，讓計算機(jī),、機(jī)器人來模擬大腦功能,；在通信方面，憶阻器可以實現(xiàn)保密通信,?？偟膩砜矗瑧涀杵鲗﹄娮有畔a(chǎn)業(yè)發(fā)展將會產(chǎn)生重大影響,。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022－2026年憶阻器行業(yè)深度市場調(diào)研及投資策略建議報告》顯示,，從材料方面來看，已經(jīng)研究問世的憶阻材料主要有金屬氧化物,、過渡金屬硫化物,、有機(jī)材料、鈣鈦礦材料等類型,，全球多所高校與機(jī)構(gòu)對其研究仍在不斷深入,，但尚未有綜合性能優(yōu)良且適合工業(yè)化生產(chǎn)的產(chǎn)品。從制造工藝來看,，憶阻器制造技術(shù)主要有納米壓印,、溶液制備、電子束光刻等，但這些制備工藝或技術(shù)不成熟,，或效果較差,，無法制造出理想的憶阻器產(chǎn)品。

現(xiàn)階段,，全球憶阻器行業(yè)仍處于發(fā)展初期,，有產(chǎn)品被陸續(xù)研發(fā)問世，但并未大規(guī)模供應(yīng)市場,。憶阻器體積小,、能耗低、存儲性能優(yōu),、工作效率高,，僅從存儲器方面來看，即具有廣闊市場空間,，可以應(yīng)用到云計算,、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子,、醫(yī)療設(shè)備,、航空航天、科學(xué)研究等眾多領(lǐng)域,。因此全球研究開發(fā)憶阻器的高校,、機(jī)構(gòu)、企業(yè)數(shù)量不斷增多,。

在海外,，美國、英國,、德國,、日本、韓國等國家均在大力研發(fā)憶阻器,，研究機(jī)構(gòu)與企業(yè)主要有美國內(nèi)布拉斯加大學(xué),、德國基爾大學(xué)、惠普,、英特爾,、IBM,、NEC,、三星等。與國外相比,，我國憶阻器研究起步晚,，2010年之后研究步伐才逐步加快，相關(guān)研究機(jī)構(gòu)與高校主要有華東理工大學(xué)、華中科技大學(xué),、南京大學(xué),、清華大學(xué)、北京大學(xué),、國防科技大學(xué),、中科院微電子所等。

新思界行業(yè)分析人士表示,，與國外相比,，我國憶阻器研究成果相對較少，且研究機(jī)構(gòu)／高校與企業(yè)之間的合作較少,，不利于憶阻器產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,。憶阻器的材料開發(fā)與制造工藝研究還在不斷深入，市場仍處于發(fā)展初期,，我國還有追趕時間,。未來，開發(fā)綜合性能優(yōu),、可工業(yè)化生產(chǎn)的憶阻材料,，以及研發(fā)理想、高效的憶阻器制備工藝,，是我國今后所需關(guān)注的重點,。