全球芯片短缺仍在蔓延,漲價之勢此起彼伏,。即使是在數(shù)字時代,,但沒有一款電子設備不需要模擬芯片,模擬芯片作為當今諸多設備中的關鍵組件,,成為短缺的重點,。一方面受到疫情、天災等的停產(chǎn)導致的供給失衡,,另一方面新能源汽車,、5G等需求膨脹的速度快于芯片制造商的反應速度。根據(jù) IHS Markit 的分析,,繼2021年的MCU之后,,模擬芯片很可能成為未來三年汽車生產(chǎn)的主要制約因素。于是一眾模擬芯片廠商開始大刀闊斧進行擴產(chǎn)和投資,,以此來應對未來的發(fā)展需求和保持領先地位,。
模擬芯片制造商一般采用IDM模式,傾向于自己設計,、制造和銷售芯片,。由于在模擬行業(yè)領域,繁榮和蕭條的歷史性周期問題是出了名的,,所以模擬芯片制造商一直對擴張持謹慎態(tài)度,。但現(xiàn)在,我們看到基本所有的模擬芯片廠商都開始了明顯的擴產(chǎn)動作,。
縱觀模擬芯片廠商無外乎這幾家,,根據(jù)IC Insights的報告,,2020年排名前十的模擬芯片廠商分別是TI(德州儀器),ADI(亞德諾),,Skyworks(思佳訊),,Infineon(英飛凌),ST(意法半導體),,NXP(恩智浦),,Maxim(美信),ON Semi(安森美),,Microchip(微芯),,Renesas(瑞薩)。這 10 家公司的模擬IC銷售額合計為 354 億美元,,占去年模擬 IC 市場總額570億美元的62%,。除此之外,東芝也是很大的模擬芯片廠商,,而且其投資計劃也非常清晰,。
德州儀器每年支出35億美元
最近德州儀器發(fā)布了未來幾年的資本支出計劃,到2025年,,德州儀器每年將支出約 35 億美元用于芯片制造,,根據(jù)華爾街目前的預測,該計劃所代表的資本支出相當 TI 當年年收入的10% 以上,。而在過去十年間,,德州儀器的平均研發(fā)支出占到年收入的5%。從2026年到 2030 年,,它將繼續(xù)投資其制造業(yè),,達到年收入的10%。TI 的解釋是,,它看到了更多的增長前景,,因此需要更多的生產(chǎn)能力。TI的目標是在未來十年左右實現(xiàn)7%的符合年收入增長率,,在2010-2020年間的憑借增長率為4%,。
德州儀器將擴大工廠的數(shù)量,大約為4家,,主要在謝爾曼進行,,該公司計劃今年完成前兩家工廠的建設,預計2025年第一家工廠投產(chǎn),。第三和第四家工廠的建設將在 2026 年至 2030 年之間開始,。德州儀器表示,當其完成其位于猶他州的Sherman,、Richardson和 Lehigh制造廠以及馬來西亞的另一個制造廠時,,該公司將擁有八家工廠生產(chǎn) 300 毫米晶圓技術,。
去年早些時候,德州儀器還以9億美元收購了美光科技位于猶他州Lehi的一座12英寸晶圓制造廠,。該廠最初是美光科技計劃用其生產(chǎn)3D Xpoint存儲芯片,,由于美光退出3D Xpoint業(yè)務,德州儀器計劃將其改造,,用于制造65nm和45nm工藝的模擬和嵌入式芯片,。
ADI擴產(chǎn)招聘數(shù)百人
ADI 去年的收入增長了30%以上,達到73億美元,。因此,與許多其他芯片制造商一樣,,ADI也在提高產(chǎn)量來滿足巨大的需求,。ADI在愛爾蘭、馬薩諸塞州,、華盛頓卡馬斯,、在比弗頓附近的泰克園區(qū)都有自己的工廠。現(xiàn)在,,ADI正為其工廠進行擴建招人,。
俄勒岡工廠是ADI在2020年從Maxim中收購而來的,這也是其最大的工廠,。去年12月份ADI完成了大規(guī)模擴建,,增加了工程實驗室、故障分析實驗室和工程測試平臺,。ADI表示,,公司計劃在未來兩年內(nèi)將華盛頓縣的700名員工增加近40%。他說,,招聘已經(jīng)開始并將持續(xù)到 2024 年,,ADI 將在后期招聘階段增加操作員、維護技術員和工程師的職位,。
卡馬斯工廠是ADI 2016 年收購凌力爾特所得,,ADI在卡馬斯雇傭了大約 350 名員工,預計隨著產(chǎn)量的增加將增加50名,。該公司正在招聘操作員,、技術人員和工程師。
Skyworks發(fā)力WiFi
Skyworks在濾波器方面取得了重大的成功,,內(nèi)置 BAW 濾波器的集成設備的收入增長非常強勁,。而現(xiàn)在,Skyworks又看到了濾波器在WiFi系統(tǒng)中的作用,。在Skyworks的Broad Markets的戰(zhàn)略中,,一個關鍵就是提高整體WiFi性能的標準,。在這方面,Skyworks有自己的砷化鎵技術,、TC-SAW(熱補償表面聲波濾波器),、標準SAW、體聲波,、組裝和測試,。此外,Skyewokrs還在Mexicali進行必要的投資,,用于其后端運營,,支持先進的封裝和測試。
英飛凌新功率半導體工廠啟用
英飛凌早在2018年開始規(guī)劃在奧地利菲拉赫(Villach)建設300毫米薄晶圓功率半導體工廠,,投資大約為16億歐元,,2021年9月17日,這家工廠正式啟用,。這是英飛凌針對功率半導體的第二家300mm晶圓工廠,。首批晶圓已完成出貨。第一階段擴產(chǎn)目標,,是滿足汽車行業(yè),、數(shù)據(jù)中心、太陽能和風能等可再生能源發(fā)電領域的需求,。據(jù)金融時報報道,,英飛凌在近日表示,將再花費24 億歐元擴大業(yè)務以滿足需求,會在4-5年內(nèi)逐步提升產(chǎn)能,。菲拉赫新工廠將與德累斯頓的300mm生產(chǎn)廠合體,,跨兩地發(fā)揮協(xié)同和彈性特色,實現(xiàn)虛擬生產(chǎn),。
意法半導體投資翻番
在2021年第四季度財報會上,,意法半導體表示,目前公司積壓的訂單能見度為18個月左右,,遠高于ST目前及已經(jīng)規(guī)劃的2022年產(chǎn)能,。而且今年的車用芯片產(chǎn)能已經(jīng)銷售一空。今年意法半導體的資本支出計劃將達到約34億至36億美元,,較2021年的18億元投資增加近一倍,,主要用于進一步提高產(chǎn)能,其中包括在意大利Agrate 12英寸新晶圓廠建設第一條生產(chǎn)線,。
2021年7月,,意法半導體宣布,其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型,。據(jù)意法半導體所稱,,與 150mm晶圓相比,200mm晶圓可增加產(chǎn)能,,將制造集成電路可用面積幾乎擴大1 倍,,合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8 -1.9倍。
恩智浦封測廠投產(chǎn)
2021年9月,,恩智浦半導體(天津)集成電路測試中心一期改造項目竣工投產(chǎn),,該中心主要進行封裝測試。該封測公司是2015年恩智浦從飛思卡爾手中收購得來,,經(jīng)過多年的發(fā)展,,其封裝測試工廠生產(chǎn)能力已接近飽和,沒有足夠的生產(chǎn)空間來進一步引進新的生產(chǎn)設備,,形成工廠的產(chǎn)能規(guī)模,,承接未來新產(chǎn)品的生產(chǎn)。
除此之外,,去年中旬,據(jù)國外媒體報道,,芯片代工廠商聯(lián)華電子宣布將于全球多家客戶攜手,,擴充12A廠產(chǎn)能,參與的客戶將以議定價格預先支付訂金,,確保獲得擴充后的長期產(chǎn)能,。其中,恩智浦已同聯(lián)華電子達成6年芯片代工協(xié)議,。
安森美發(fā)力新策略
去年,,安森美改名,確立了公司的新戰(zhàn)略:智能電源和智能感知,。由傳統(tǒng)IDM模式向更加靈活的Fab-Liter模式轉(zhuǎn)型,,將采取更加靈活的制造路線和策略,未來會退出規(guī)模不足的晶圓廠,、聚焦300mm晶圓產(chǎn)能,,并將提高通用封裝后端廠的靈活性。
2021年Q2的財報顯示,,安森美營收的6%用作了資本投入,。安森美表示,未來兩年將加大投資力度,,由6%增加到12%,,主要用于擴產(chǎn)300mm晶圓廠的產(chǎn)能,再一個是加強SiC供應鏈環(huán)節(jié),包括基板沉底等最終產(chǎn)品,,以及封裝,。而在2021年第四季度財報電話會議上,安森美表示,,計劃到2022年將其基板業(yè)務產(chǎn)能增加四倍以上,,并打算進行大量投資以擴大其設備和模塊產(chǎn)能。到2022年,,安森美預計其碳化硅收入將同比增長一倍以上,。
此外,去年8月,,安森美宣布以4.15億美元現(xiàn)金收購SiC生產(chǎn)商GT Advanced Technologies,,并計劃投資擴大GTAT的研發(fā)工作,以推進150mm和200mm SiC晶體生長技術,。
Microchip 4000萬美元升級工廠
2022年1月,,Microchip宣布計劃斥資4000萬美元用新技術改造其科羅拉多斯普林斯半導體工廠,這將在未來六個月內(nèi)增加50至75 名員工,,它將為工廠購置安裝新設備,,由原本6英寸晶圓轉(zhuǎn)向8英寸晶圓的生產(chǎn),這將使其可以生產(chǎn)的芯片數(shù)量幾乎翻倍,。公司計劃在未來六個月內(nèi)繼續(xù)招聘超過 50-75人,,并在未來兩到五年內(nèi)進行另一階段的擴張。
瑞薩車載MCU產(chǎn)能提高50%
瑞薩是世界車規(guī)級半導體龍頭,,在車用MCU領域掌握全球兩成份額,。2021年9月29日,瑞薩電子在經(jīng)營說明會上透露,,計劃到2023年將車載MCU產(chǎn)能提高50%以上(較2021年),,同時將提高設備投資金額,預計到2021年將超過800億日元,,到2022年將在600億日元左右,,該公司目前的設備投資金額約200億日元。
東芝投入5700億日元
2022年2月8日,,東芝召開了關于兩家公司分拆后可能的經(jīng)營戰(zhàn)略的簡報會,。會議中指出,為了應對全球半導體供應短缺和存儲需求擴大的措施,,將促進產(chǎn)能擴大和穩(wěn)定采購網(wǎng)絡的建設,,東芝將在5年內(nèi)投入5700億日元進行資本投資和研發(fā)。
產(chǎn)能方面,,2021年至2025年將投資約2600億日元,。主要投資包括功率半導體用200mm線的擴建,、2022 年2月4日宣布的日本石川縣新建300mm線的建設、現(xiàn)有建筑物的運營推進,、化合物半導體用200mm線的開發(fā)計劃,。此外,東芝還計劃在菲律賓基地增加近線硬盤的產(chǎn)量,,在中國建立硬盤基地,,并擴大其橫濱工廠的半導體制造設備制造空間。
在構(gòu)建穩(wěn)定的采購網(wǎng)絡方面,,東芝強調(diào),,半導體80%的材料都簽訂了長期合同,多方采購比例提高到70%以上,。
到2025年,,研發(fā)費用計劃約為3100億日元。主要在半導體,、HDD和半導體制造設備三大業(yè)務上加大研發(fā),。
在半導體領域,東芝的整個半導體業(yè)務目標是將銷售額從預計在 2021年的3200億日元增加到 2025年的3700 億日元,。東芝計劃專注于車載和工業(yè)應用的功率半導體,,在重點關注的功率 MOSFET方面,東芝計劃到2025年從第四的全球份額升到第三,。
其中,,僅功率半導體的研發(fā),計劃在五年內(nèi)投資1000億日元,,用來擴大硅功率半導體產(chǎn)品陣容、開發(fā)高效封裝,、加速開發(fā)SiC和GaN產(chǎn)品等,。公司目前主打的硅功率MOSFET是第8代,第9代導通電阻降低15%,,第10代比8代降低了30%,,正在開發(fā)第11代,比第8代導通電阻降低了40%,,并且將在2023 年之前將硅功率 MOSFET產(chǎn)品數(shù)量翻一番,。公司車載硅IGBT目前正在量產(chǎn)耐壓750V和1.2kV的產(chǎn)品,為了提高逆變器特性,,2022年開始量產(chǎn)集成二極管和IGBT的新產(chǎn)品,。第二代二極管集成產(chǎn)品將在300mm線上生產(chǎn),2026年開始量產(chǎn),。
同時東芝計劃在2024年量產(chǎn)車載充電器用SiC MOSFET產(chǎn)品,。在GaN器件的研發(fā)上,東芝計劃在2023年開始提供結(jié)合GaN和硅功率MOSFET的產(chǎn)品。據(jù)說與硅器件相比,,該產(chǎn)品可將損耗減少一半,。據(jù)悉,東芝的僅用GaN實現(xiàn)高速開關,,電源單元體積比硅縮小約60%的第二代產(chǎn)品正在開發(fā)中,。
另一項加大研發(fā)的業(yè)務是近線硬盤HDD,開發(fā)新HDD型號,,該業(yè)務市場對數(shù)據(jù)中心/云服務提供商的需求正在擴大,,預計2021年至2030年的復合年增長率將達到 22%。東芝計劃在2023年完成一臺30T字節(jié)的機器,,目標是未來35TB以上的記錄容量,。
再就是在半導體制造設備上的布局,東芝將專注于電子束掩模光刻設備和外延生長設備,。據(jù)悉,,東芝的NuFlare Technology作為單束機中20納米以下先進節(jié)點的電子束掩模光刻系統(tǒng)擁有100%的市場份額。多光束機“MBM-2000”于2021年交付給客戶,,計劃到2023年占據(jù)50%的市場份額,。此外,東芝正在開發(fā)一種新的電子源,,以獲得更高的電流和更高的亮度,,用于支持2nm,希望在2023年底前開始出貨,,以滿足客戶的發(fā)展路線圖,。
在外延生長設備方面,東芝預計市場增長將受到xEV,、下一代通信標準中使用的SiC,、GaN功率半導體的快速增長以及直徑增加到200 mm晶圓的推動。該公司的SiC和GaN外延生長設備是一種獨特的方法,,使氣體垂直向下均勻地流向反應器中高速旋轉(zhuǎn)的晶片,,具有低缺陷密度、高均勻性和在薄膜上高速成膜的特點表面,。
寫在最后
當下的供應短缺沒有短期解決辦法,,而穩(wěn)定的晶圓產(chǎn)能供應無疑是模擬芯片廠商接下來的競爭點。但擴張之后,,在某個時間點,,他們產(chǎn)品會太多,如果短缺或漲價的周期在某個時候結(jié)束,,模擬芯片廠商們也應當要為此做好準備,。