《電子技術(shù)應用》
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東芯股份:NAND,、NOR、DRAM多品類布局

2022-02-12
來源:半導體風向標
關(guān)鍵詞: 東芯股份 NAND NOR

本文來自方正證券研究所2022年2月07日發(fā)布的報告《東芯股份NAND,、NOR、DRAM多品類布局引領(lǐng)國產(chǎn)閃存制程突破》,,欲了解具體內(nèi)容,,請閱讀報告原文,陳杭S1220519110008  

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聚焦中小容量通用型存儲芯片,,國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND,、NOR、DRAM完整解決方案的公司,。東芯股份打造以低功耗,、高可靠性為特點的多品類存儲芯片產(chǎn)品,公司設(shè)計研發(fā)的24nmNAND,、48nm NOR均為我國領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程,,已達到可量產(chǎn)水平,實現(xiàn)了國內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破,。  

NAND Flash:核心技術(shù)優(yōu)勢明顯,,產(chǎn)品可靠性標準向車規(guī)級邁進。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計與研發(fā),,主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu),,存儲容量覆蓋1Gb至8Gb,可靈活選擇SPI或PPI類型接口,,搭配3.3V/1.8V兩種電壓,。公司的SLC NAND Flash產(chǎn)品被廣泛應用于如5G通訊模塊和集成度要求較高的終端系統(tǒng)運行模塊。公司NAND Flash產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢明顯,,尤其是SPI NAND Flash,,公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù),有效節(jié)約了芯片面積,,降低了產(chǎn)品成本,,提高了公司產(chǎn)品的市場競爭力。公司產(chǎn)品不僅在工業(yè)溫控標準下單顆芯片擦寫次數(shù)已經(jīng)超過10萬次,,同時可在-40℃到105℃的極端環(huán)境下保持數(shù)據(jù)有效性長達10年,,產(chǎn)品可靠性逐步從工業(yè)級標準向車規(guī)級標準邁進。 

NOR Flash:下游新興應用領(lǐng)域需求持續(xù)擴大,,公司適時推出針對性產(chǎn)品推動銷量增長,。公司自主設(shè)計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋2Mb至256Mb,,并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式,公司的產(chǎn)品主要被用于存儲代碼程序,,產(chǎn)品制程已達到國內(nèi)領(lǐng)先的48nm,。公司NOR系列產(chǎn)品的銷量由2018年度的4688.05萬顆增長至2020年度的9438.63萬顆,增長主要源于國產(chǎn)替代形勢下,,下游新興應用領(lǐng)域尤其是可穿戴設(shè)備的需求持續(xù)擴大,,公司適時推出針對性的產(chǎn)品,應用于傳音控股,、麥博韋爾等優(yōu)質(zhì)終端客戶。 

DRAM:產(chǎn)品轉(zhuǎn)向通用型,、標準化,,逐步實現(xiàn)下游應用領(lǐng)域向工業(yè)級的延伸拓展。公司DRAM產(chǎn)品經(jīng)有多年技術(shù)沉淀,,具有類型豐富,、應用領(lǐng)域較寬的特點。公司研發(fā)的DDR3系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的DRAM產(chǎn)品,,具有高帶寬,、低延時等特點,在通訊設(shè)備,、移動終端等領(lǐng)域應用廣泛,;公司針對移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求,自主研發(fā)的LPDDR系列產(chǎn)品具有低功耗,、高傳輸速度等特點,,適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用,。公司結(jié)合市場需求變化,,正逐步實現(xiàn)產(chǎn)品客制化向通用型、標準化方向的轉(zhuǎn)變及下游應用領(lǐng)域由消費級向工業(yè)級的延伸擴展,。 

存儲芯片產(chǎn)品價格存在周期性波動,,公司經(jīng)營業(yè)績依賴下游市場供需情況。存儲芯片作為半導體產(chǎn)業(yè)的“風向標”,,其在單價及數(shù)量上均呈現(xiàn)較強的周期性變化,。周期性的主要原因為存儲芯片的產(chǎn)品通用性及市場集中度較高,為了維持存儲產(chǎn)品的市場份額,,各廠商都會選擇在行業(yè)景氣度上行周期擴產(chǎn)增收,、在景氣度下行周期降價清理庫存,進而導致產(chǎn)能與下游市場需求不匹配的情況,,從而導致價格波動,,影響公司經(jīng)營業(yè)績,。 

規(guī)模效應逐步顯現(xiàn),產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化,,高附加值產(chǎn)品占比提升,,公司盈利能力巨幅增長。公司預計2021年全年歸母凈利潤區(qū)間2..45億元-2.75億元,,同比增長1154%-1308%,;扣非歸母凈利潤區(qū)間2.37億元-2.67億元,同比增長1250%-1421%,,盈利能力增幅巨大,。盈利能力的巨幅增長主要受益于:公司產(chǎn)品市場需求旺盛,隨著公司產(chǎn)品線的不斷豐富,,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化,,高附加值產(chǎn)品占比提升,對完成導入期的客戶銷售規(guī)模逐步擴大,、規(guī)模效應逐步顯現(xiàn),,使得公司閃存芯片銷售規(guī)模持續(xù)擴大,公司經(jīng)營業(yè)績同比上升,,從而銷售毛利率較上年同期提升,。 

盈利預測:我們預計公司2021-2023年營收12.0/16.0/21.0億元,歸母凈利潤2.5/3.2/4.0億元,,首次覆蓋,,給予“推薦”評級。

風險提示:1)產(chǎn)品價格波動風險,;2)產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)風險,;3)下游行業(yè)景氣度不及預期風險。

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